「volatile element」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This indoor machine of the air conditioner is constituted by arranging an antibacterial/mildewproof element solidified by mixing a volatile antibacterial/mildewproof agent comprising iodine contained in a microcapsule into gum rosin in an indoor machine body.例文帳に追加

空気調和機の室内機は、マイクロカプセル中にヨウ素を収容した揮発性抗菌・防黴剤をガムロジン中に混合し、固形化した抗菌・防黴エレメントを室内機本体内に配設する。 - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a dust compact for reduction treatment which is efficiently/stably recycled as an iron raw material even when the iron-oxide-based raw material to be used contains a volatile component such as a Cl element and an F element, and to provide a method for producing reduced iron by using it.例文帳に追加

ＣｌやＦなどの揮発成分を含有する酸化鉄系原料を使用しても効率的・安定的に鉄原料として再資源化できる還元処理用ダスト成型物およびそれを使用する還元鉄製造方法を提供する。 - 特許庁

A display element of an electrophoretic system by which display contents are held even if a power source is cut off is used and the information on an ID of a document displayed in the electrophoretic display element and a display page are memorized in an EEPROM which is a non-volatile memory.例文帳に追加

電源が切断されても表示内容が保持される電気泳動方式の表示部が用いられ、不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭに電気泳動表示部に表示されている文書のＩＤ及び表示ページの情報を記憶する。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The image pickup apparatus is provided with a driving timing generating apparatus 13 which has a rewritable nonvolatile memory 13a and volatile memory 13b and outputs a driving timing signal of an image pickup element based on the program data stored in at least either the nonvolatile memory 13a or the volatile 13b.例文帳に追加

撮像装置は、書き換え可能な不揮発性メモリ１３ａおよび揮発性メモリ１３ｂを有し、これら不揮発性メモリ１３ａおよび揮発性メモリ１３ｂの少なくともいずれかに保存されているプログラムデータに基づいて撮像素子の駆動タイミング信号を出力する駆動タイミング発生装置１３を具備する。 - 特許庁

The manufacturing method comprising the steps of forming a control gate electrode of non-volatile memory, wiring, and the polycrystalline silicon thin film resistive element with a relatively thin polycrystalline silicon film and performing a highly doped implantation for forming an ESD protective element on a control gate wiring also.例文帳に追加

不揮発性メモリのコントロールゲート電極と配線、多結晶シリコン薄膜抵抗素子を比較的薄い多結晶シリコン膜で形成し、ＥＳＤ保護素子形成のための高濃度不純物注入をコントロールゲート配線にも行うことを特徴とする製造方法。 - 特許庁

In parallel therewith, sub-side normal data stored in a non-volatile storage element in advance, is read out, and the result of operation transmitted from the sub-microcomputer to the main microcomputer in a step 8 and the sub-side normal data read out from the nonvolatile storage element are compared.例文帳に追加

これと平行して不揮発性記憶素子に予め記憶された副側正常データを読み出し、ステップ８で副マイクロコンピュータから主マイクロコンピュータに送信された演算結果と、不揮発性記憶素子から読み出した副側正常データとを比較する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device using a trench type element separation wherein the word line interval sandwiching a source line is minimized to cause no such problem as the resistance rise of the source line.例文帳に追加

ソース線を挟んだワード線間隔を最小サイズにすることができ、ソース線の抵抗上昇などの問題が生じないトレンチ型素子分離を用いた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the capacity between a resistive element and a substrate in a peripheral circuit of a semiconductor device, especially a non-volatile semiconductor memory, such as a flash memory.例文帳に追加

半導体装置、特にフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの周辺回路部において抵抗素子と基板との容量を小さくすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage.例文帳に追加

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁

By using both a temperature-sensitive element and a moisture- sensitive film, the discharge amount of a volatile anti-fungus/anti-bacterial agent is controlled when a temperature/moisture range is not suitable for a fungus to grow.例文帳に追加

感温素子及び感湿膜の双方用いることにことによって、カビの好育条件から外れた温度・湿度範囲では、揮発性抗菌・抗カビ製剤の放出量を抑制するものである。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element capable of securing operating current by increasing an effective channel width by coping with the decrease of a gate area incidental to large scale integration and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高集積化に伴うゲート面積の減少に対応して有効チャネル幅を増大させて、動作電流を確保することができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its driving method in which data are never destroyed by read-out, and neither a selection transistor for read-out nor element separation for write-in/erasing is required.例文帳に追加

読み出しによるデータの破壊がなく、読み出し用の選択トランジスタが不要で、かつ書き込み消去のための素子分離も不要な不揮発な半導体記憶装置とその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pipe thermal insulating material made of styrene-based resin foam molding element, stabilizing dimensions thereof under high temperature atmosphere for the long term, and including a finite amount of volatile organic compound.例文帳に追加

高温の雰囲気下でも長期にわたって寸法が非常に安定し、揮発性有機化合物の含有量も極めて少ないスチレン系樹脂発泡成形体製のパイプ用保温材を提供する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、抵抗変化素子Ｒ及びショットキーダイオードＳＢＤが直列に接続されたメモリ素子ＭＣを複数有する複数のメモリストリングＭＳを備える。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device, a first insulating film 3 is formed on an element isolation region between the floating gate electrodes 2 adjacent to a second direction on a semiconductor substrate plane.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板平面上で第２の方向に隣接する浮遊ゲート電極２間の素子分離領域上には、第１の絶縁膜３が形成されている。 - 特許庁

To provide an element having a laminate gate structure such as a non-volatile memory in which a hole to be formed in an insulating film on the source/drain areas is made shallow, and the dimension is easily made fine.例文帳に追加

不揮発性メモリ等の積層ゲート構造をとる素子において、ソース及びドレイン領域上の絶縁膜に形成する孔を浅くし、寸法の微細化を容易にできる構造を提供する。 - 特許庁

The display driver IC is provided with an initialization table 11 which is used to correct the variations of element parts 11 to 17 from a prescribed value and the variation of the display panel from a prescribed value and is constituted of a non-volatile memory.例文帳に追加

各要素部品１１〜１７の規定値からのばらつき、及び表示パネルの規定値からのばらつきをそれぞれ補正する為の不揮発性メモリからなる初期設定テーブル１１を、表示ドライバＩＣに設ける。 - 特許庁

The floating gate 27 of a non-volatile memory element is formed on the main surface of a semiconductor substrate 21, and then a nitride silicon film 60 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 21 in a manner to cover the floating gate 27.例文帳に追加

半導体基板２１の主面上に不揮発性記憶素子のフローティングゲート２７を形成した後、フローティングゲート２７を覆うように、半導体基板２１の主面上に窒化シリコン膜６０を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device and an organic EL device, capable of preventing oxidization of a counter electrode due to a volatile component of a resin layer, external oxygen, and moisture and deterioration of an organic EL element.例文帳に追加

樹脂膜の揮発成分や外部の酸素、水分に起因して対向電極が酸化し、有機ＥＬ素子が劣化してしまうのを防止した、有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an optical element where high optical performance can be achieved and the shape transfer accuracy of a mold, releasing property and durability are not spoiled, even when an optical raw material containing a volatile ingredient is used.例文帳に追加

光学素子成形方法において、揮発成分を含む光学素材を用いても、高い光学性能が得られ、かつ金型の形状転写精度、離型性及び耐久性を損なわないようにする。 - 特許庁

The setter discrimination elements inherent to the shipped discrimination element setters respectively are written in a non-rewritable memory and a predetermined initial value relative to a variable code of the predetermined number of digits is written in a non-volatile rewritable memory.例文帳に追加

出荷する識別子設定器にそれぞれ固有の設定器識別子を書き換え不能なメモリに書き込み、所定の桁数の可変符号に対する所定の初期値を不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込む。 - 特許庁

To provide a gas detecting element having a sensitive part of high sensitivity for detecting a volatile organic compound VOC of the extremely low concentration by firmly bringing the sensitive part and a base board into close contact with each other; and its manufacturing method.例文帳に追加

感応部と基板とが強固に密着しているとともに、極めて低濃度の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）を検知する高感度の感応部を有するガス検知素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Provided is the semiconductor device having a non-volatile memory cell which includes a writing transistor using an oxide semiconductor, a reading transistor using semiconductor material different from the writing transistor, and a capacitative element.例文帳に追加

酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ、該トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In either of the first and second non-volatile memory elements 108A, 108B, data are memorized, and the other is made not to function as a data memorizing element.例文帳に追加

第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂの一方は、データが記憶され、第１および第２の不揮発性メモリ素子１０８Ａ，１０８Ｂの他方は、データを記憶する素子として機能させないことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device including a non-volatile memory with a well structure in consideration of the element alignment of memory cell array blocks and a driving voltage supply block, and to provide an electronic apparatus including the device.例文帳に追加

メモリセルアレイブロックと駆動電圧供給ブロックとでの素子配列を考慮したウェル構造を有する不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供すること。 - 特許庁

A backup power supply 2b is disposed in a power supply part 205, and the backup power is fed to a volatile storage element (RAM) 2c via a main board 1 and a second wire harness WH2 to be detached in the fraudulence.例文帳に追加

電源部２０５にバックアップ電源２ｂを設けるとともに、不正行為の際に取り外されるメイン基板１や第２ワイヤハーネスＷＨ２を経由してバックアップ電力を揮発性記憶素子（ＲＡＭ）２ｃに供給する。 - 特許庁

To provide a reading operation method of a non-volatile element, which suppresses channel boosting and hot electrons, to prevent a change in threshold voltage distribution of a memory cell, at reading operation.例文帳に追加

読出動作の際、チャンネルブスティングの発生を抑制し、ホットエレックトロンの発生を防止し、これによりメモリセルのしきい値電圧分布の変化を防止することができる不揮発性素子の読出動作方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a laser module comprising a semiconductor laser element having an oscillation wavelength in the range of 350-450 nm and arranged in an enclosed container in which a long lifetime is attained by suppressing the generation of organic volatile gas in the enclosed container.例文帳に追加

発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にある半導体レーザ素子を密閉容器内に配置してなるレーザモジュールにおいて、密閉容器内での有機揮発ガスの発生を抑えて、高寿命化を達成する。 - 特許庁

This non-volatile memory element is provided with a pair of gate electrodes formed in spacer configurations at the both side walls of a fin, and a pair of storage nodes formed between the gate electrodes and a semiconductor substrate.例文帳に追加

フィンの両側壁にスペーサ形態にそれぞれ形成された一対のゲート電極と、ゲート電極と半導体基板との間にそれぞれ形成された一対のストレージノードと、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element for preventing the degree of etching in a conductive layer at a lower portion of a gate electrode layer from causing a difference, when etching the gate electrode layer at a memory cell region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域と周辺回路領域のゲート電極層をエッチングする時にゲート電極層の下部の導電層がエッチングされる程度の差を発生させないようにする非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic non-volatile storage element in which cell area can be reduced, storage information can be detected at high speed and accurately even if a magnetic resistance variation rate is small, and can be integrated in high density.例文帳に追加

セル面積を小さくすることができるとともに、磁気抵抗変化率が小さくとも、高速、かつ、正確に記憶情報を検出することができる、高度に集積可能な強磁性体不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

In the program element 20, corresponding to the cell plate electrode line CP in which short circuit of a path generated between the word lines WL the state is transited in a non-volatile state, from a conduction state to a cut-off state, in response to input indication from the outside.例文帳に追加

ワード線ＷＬとの間に短絡経路が発生したセルプレート電極線ＣＰに対応するプログラム素子２０は、外部からの入力指示に応答して、導通状態から遮断状態に不揮発的に遷移する。 - 特許庁

The catalyst for cleaning volatile organic compounds is characterized in that MnO2 as a main component is made to form a composite catalyst with cobalt, and at least one of Ce, Zr, Fe, Ni and Ag as a metal element M.例文帳に追加

本発明の揮発性有機化合物の浄化触媒は、ＭｎＯ_2を主成分とし、Ｃｏと、金属元素ＭとしてＣｅ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＡｇのうち少なくとも一つをＭｎＯ_2に複合化したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a superconducting element which is excellent in high frequency characteristics by improving grain growth and c-axis orientation of a superconducting body and suppressing volatilization of volatile components and dispersion of Cu at the time of heating a metal thickness film.例文帳に追加

超伝導体の粒成長およびｃ軸配向を促進させると同時に、金属厚膜加熱時に超伝導体からの揮発成分の揮発やＣｕの拡散を抑制し、高周波特性に優れた超伝導素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical resin composition having non-birefringent characteristics and low moisture absorption characteristics, having excellent heat resistance, and capable of preventing formation of a volatile gas which corrodes a mold in injection molding, and to provide an optical element, by using the same.例文帳に追加

非複屈折性及び低吸湿性を有すると共に耐熱性に優れ、かつ、射出成形時における金型腐食性の揮発性ガスの発生を防止した光学用樹脂組成物及びこれを用いた光学用素子を得る。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device including a variable resistive element which reduces the variation in the resistance values among elements, restrains read-out disturbance in a high-resistance state, and performs stable switching operation at high speed.例文帳に追加

素子間の抵抗値のバラツキを軽減すると共に、高抵抗状態の読み出しディスターブを抑制し、安定したスイッチング動作を高速で行うことのできる可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

The non-volatile memory 11 is a memory element capable of holding data even when a power is turned off, uses time data f output by the real time 13 as written data, and reads the data as read data g from a microcomputer 3.例文帳に追加

不揮発性メモリ１１は、電源を切ってもデータ保持ができるメモリ素子であり、リアルタイムクロック１３が出力する時間データｆを書き込みデータとして使用し、マイコン３からは、読み出しデータｇとしてデータを読み出すことができる。 - 特許庁

To prevent the thickness of an element isolation film from decreasing in a method for manufacturing a stack-type non-volatile semiconductor storage with a contact electrode that is connected in self alignment manner between stack cell electrodes.例文帳に追加

スタックセル電極同士の間に不純物拡散層と自己整合的に接続されるコンタクト電極を有するスタック型不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、素子分離膜の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor chip incorporates a control data storing circuit 6 having a non-volatile storage element in which control data is programmed, and a read-out control circuit 7 performing read-out control of its control data.例文帳に追加

半導体チップに、制御データがプログラムされた不揮発性記憶素子とその読み出しデータを保持するラッチ回路とを有する制御データ記憶回路６と、その制御データの読み出し制御を行う読み出し制御回路７とを内蔵する。 - 特許庁

To improve writing, erasure and read characteristics in a non-volatile semiconductor memory device, employing an MOSFET in which floating gate electrodes are formed on the both sidewalls of the control gate electrode as a memory element.例文帳に追加

コントロールゲート電極の両側壁にフローティングゲート電極を形成したＭＯＳＦＥＴを記憶素子とする不揮発性半導体記憶装置において、書込み、消去特性を向上させるとともに、読出し特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile memory element and a manufacturing method thereof, in which the generation of a leakage current between cells is prevented by suppressing the generation of a void in a device isolation layer when forming a conductive layer for a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の形成時に、素子分離膜内のボイドの生成を抑制することで、セルとセル間の漏れ電流を防止して信頼性の高い不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a program/program-verify cycle and a erase/erase-verify cycle, a non-volatile storage element over-writen preventing circuit masks a mode enable-mask internal signal line 111 by a pass signal outputted by a memory control circuit 103 through a verify-pass signal line 110.例文帳に追加

プログラム／プログラムベリファイサイクル、イレーズ／イレーズベリファイサイクルにおいてメモリ制御回路１０３がベリファイパス信号線１１０を介して出力するパス信号により不揮発性記憶素子過書込防止回路はモードイネーブルマスク内部信号線１１１をマスクする。 - 特許庁