「volatile element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a non-volatile memory element using a carrier spin injected magnetoresistive effect film that consumes only a small amount of power and does not result in malfunction even if element size and the distance between the elements are greatly reduced, and can be integrated on a large scale, and to provide a memory device using the non-volatile memory element.例文帳に追加

消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。 - 特許庁

In a non-volatile memory cell element of the present invention and a method of forming such an element, at least one edge of an electric charge trap film is recessed.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子及びそのような素子を形成する方法において、電荷トラップ膜の少なくとも一つのエッジがリセスされる。 - 特許庁

In this semiconductor device, a semiconductor element protecting film formed by applying and thermohardening semiconductor element protecting materials containing volatile solvent is formed on a semiconductor element surface, and the corner part of the semiconductor element protecting film is chamfered.例文帳に追加

半導体素子表面に、揮発性溶剤を含む半導体素子保護材を塗布・熱硬化することにより形成された半導体素子保護膜を備え、前記半導体素子保護膜のコーナー部が面取りされている。 - 特許庁

To display the element structure of a non-volatile storage device having superior element isolation, stably holding two values of at least a high resistance and a low resistance and generating no defective retention, and to provide a manufacturing method for the non-volatile storage device.例文帳に追加

素子分離が良く、かつ少なくとも高抵抗と低抵抗の２値を安定に保持し、リテンション不良が発生しない不揮発性記憶装置の素子構造を示し、かつ、その不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A duplexing write-in circuit 106 simultaneously selects the first non-volatile memory 102 and the second non-volatile memory 103 based on a duplexing signal (enable signal) from a CPU 101, and writes the duplexed data in the second non-volatile memory element 103 when writing the data in the first non-volatile memory 102.例文帳に追加

二重化書込み回路１０６は、ＣＰＵ１０１からの二重化信号（イネーブル信号）に基づいて、第１の不揮発メモリ１０２と第２の不揮発性メモリ素子１０３を同時に選択し、第１の不揮発メモリ１０２へデータを書込むときに、第２の不揮発性メモリ素子１０３へ二重化したデータを書込む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell.例文帳に追加

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, before the dicing process, a volatile protection agent is coated to at least front surface of the substrate on which a device element is formed (S2).例文帳に追加

次いで、ダイシングの前に、デバイス素子が形成された基板の少なくとも表面に揮発性保護剤を塗布する（Ｓ２）。 - 特許庁

The data storage device includes a data storage medium, a write element, a non-volatile cache memory circuit, and a controller circuit.例文帳に追加

データ記憶装置はデータ記憶媒体、書き込み素子、不揮発性キャッシュメモリ回路、およびコントローラ回路を含んでいる。 - 特許庁

BUFFER COMPOSITION HAVING VOLATILE COMBUSTION PRODUCT USED IN SPECIFICITY DETECTOR FOR GAS PHASE OR VAPOR PHASE ELEMENT例文帳に追加

気相または蒸気相元素特異性検出器で使用するための揮発性燃焼生成物を有するバッファー組成物 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which can be easily and highly integrated and has high reliability, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高集積化が容易であり、高い信頼性を持つ不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-bit operation method of a non-volatile memory element operating at a low operating current and permitting high integration.例文帳に追加

低い動作電流で動作し、高集積化の可能な不揮発性メモリ素子のマルチビット動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which can be easily and highly integrated and has high reliability, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高集積化が容易で、且つ高い信頼性を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加

特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁

Temperature is monitored by a Seebeck element 25 disposed right beneath the non-volatile memory 22 for feedback control, and while keeping temperature at a high level by applying voltage on a Peltier element disposed close to the non-volatile memory 22, a gate oxide film 22e is formed thick.例文帳に追加

一方、不揮発性メモリ２２直下に配置したゼーベック素子２５で温度を監視しフィードバック制御して、不揮発性メモリ２２近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を高温に保持しつつ、ゲート酸化膜２２ｅを厚く形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic element capable of detecting changes in magnetic states for use e.g. as a read sensor in a data transducing head or as a solid-state non-volatile memory element.例文帳に追加

データ変換ヘッドにおける読取センサとして、または固体不揮発性メモリ素子などとして使用するための、磁気状態の変化を検出可能な磁気素子を提供する。 - 特許庁

In the storage 10, at the time when the state of the programmable element 2 and the volatile storage element 1 is outputted via a selection circuit, an address can be individually specified.例文帳に追加

記憶装置（１０）は選択回路（２０）を介してプログラミング可能な素子（２）と揮発性記憶素子（１）の状態を出力する際個別にアドレス指定が可能である。 - 特許庁

A dedicated controlling element 23 then transfers and saves the various data once saved in the volatile memory 21 from the volatile memory 21 to a flash memory 22 under power supply from a capacitor 7 (S320).例文帳に追加

そして、その揮発性メモリ２１に一旦保存された各種データを、専用制御素子２３が、コンデンサ７からの電力供給により揮発性メモリ２１からフラッシュメモリ２２へ転送して保存させる（Ｓ３２０）。 - 特許庁

A first non-volatile memory (MLC-NAND memory) 102 and a second non-volatile memory element (SLC-NAND memory) 103 whose characteristics are different are connected to a common data bus and an address bus.例文帳に追加

共通のデータバス及びアドレスバスに、特性の異なる第１の不揮発メモリ（ＭＬＣ−ＮＡＮＤメモリ）１０２と第２の不揮発性メモリ素子（ＳＬＣ−ＮＡＮＤメモし）１０３が接続されている。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element capable of further improving data retention time, operation speed, and reliability, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

データ保有時間、動作速度及び信頼性を一層改善できる非揮発性メモリ素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the frequency of erasing a block in a non-volatile semiconductor storage element, and to improve write efficiency.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子内のブロックの消去回数を減少させるとともに、書き込み効率の向上を実現する。 - 特許庁

To suppress the deterioration of the reliability of storage data in a memory system, configured by using a non-volatile semiconductor storage element.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子を用いて構成されるメモリシステムにおいて、記憶データの信頼性の低下を抑止すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element that can operate with high reliability without having to use channel boosting, and to provide a method of operating the same.例文帳に追加

チャンネルブースティングを利用せずとも信頼性の高く動作可能な不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

A passive sampler for capturing a volatile organic compound is provided, where an adsorbing element comprising an adsorbent that is graphic carbon block and a pair of metal meshes for pinching the adsorbent is accommodated in a container where the volatile organic compound can enter from the outside due to diffusion, thus measuring the volatile organic compound in environment with high sensitivity, accuracy, and reproducibility without using solvents for desorption.例文帳に追加

グラファイトカーボンブラックである吸着剤と、該吸着剤を挟持する一対の金属メッシュとから成る吸着素子を、外部から揮発性有機化合物が拡散により入ることができる容器内に収容して成る揮発性有機化合物捕集用パッシブサンプラーを提供した。 - 特許庁

To provide an integrated circuit in which power consumption can be reduced in a non-operation mode of the integrated circuit while surely keeping data stored in a volatile memory element, in the integrated circuit provided with a volatile memory element and a logical interface circuit.例文帳に追加

本発明は、揮発性メモリ素子及び論理インターフェイス回路を備えた集積回路において、揮発性メモリ素子に記憶されたデータを確実に保持しつつ、集積回路の非活動モードにおける電力消費を低減できる集積回路を提供する。 - 特許庁

When the fuse element is formed by printing fuse element paste containing meta particles and by sintering the metal particles in an oxidizing atmosphere, fuse element paste containing volatile particles vaporizing by the sintering is used.例文帳に追加

金属粒子を含む可溶体ペーストを印刷し、酸化性雰囲気中で前記金属粒子を焼結させることにより可溶体を形成する際、前記焼結により揮発する揮発性粒子を含む可溶体ペーストを用いる。 - 特許庁

To provide a recording medium including a ferroelectric film, a non-volatile memory including the recording medium and a data recording/reproducing method of a memory element.例文帳に追加

強誘電膜を含む記録媒体とそれを含む不揮発性メモリ素子、このようなメモリ素子のデータ記録／再生方法を提供する。 - 特許庁

FERROMAGNETIC NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT, ITS INFORMATION REPRODUCING METHOD, MEMORY CHIP USING IT, AND PORTABLE INFORMATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加

強磁性体不揮発性記憶素子およびその情報再生方法ならびにそれを用いたメモリチップおよび携帯型情報処理装置 - 特許庁

The method for manufacturing the non-volatile memory element having the nanocrystal has a step where a semiconductor substrate is prepared, and the step where a tunnel insulating film is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。 - 特許庁

In the non-volatile memory element, a semiconductor substrate has a pair of sidewall channel regions that are disposed upwardly and are mutually opposed.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板は、上向き配置されて互いに対面する１対の側壁チャンネル領域を有する。 - 特許庁

A first digital word (12) derived from a physical parameter network is coupled (13) with a second word stored in a non-volatile memory element (14).例文帳に追加

物理パラメータネットワークからとり出される第１デジタルワード（１２）を、非揮発メモリ素子（１４）に蓄積される第２ワードと結合（１３）する。 - 特許庁

To improve operation reliability of a non-volatile memory element by raising integration degree and simplifying forming process of a common source line.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、素子の集積度を高め、共通ソースラインの形成工程を単純化し、動作信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a clamp circuit for feeding a stable voltage for a memory element, regardless of the operation of a peripheral circuit or a variation of power voltage, and a non-volatile memory element using the circuit.例文帳に追加

周辺回路の動作または電源電圧の変化に関係なく、メモリ素子に安定した電圧を供給するクランプ回路及びこれを用いた不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

Each storage 10 has at least one of output sides Q1 and Q2 for inspecting each state of the programmable element 2 and the volatile storage element 1.例文帳に追加

それぞれの記憶装置（１０）はプログラミング可能な素子（２）と揮発性記憶素子（１）のそれぞれの状態を検査するために、それぞれ少なくとも１つの出力側（Ｑ１，Ｑ２）を有する。 - 特許庁

To contrive reduction of write voltage and miniaturization of an element while securing sufficient accumulating charge density, a data holding time and write/erase repeat resistance in a non-volatile storage element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子において、十分な蓄積電荷密度、データ保持時間、及び書き込み／消去繰り返し耐性を確保しつつ、書き込み電圧の低減、素子の小型化を図る。 - 特許庁

To provide a non-volatile ferroelectric memory element that simplifies processes, is thin, and has less capacitor connection, and its manufacturing method.例文帳に追加

工程を簡素化し、厚さが薄く、かつキャパシタの接続が少ない不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus and method is for enhancing data writing and retention to a magnetic memory element, e.g., in a non-volatile data storage array.例文帳に追加

不揮発性データ記憶アレイなどにおける磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法である。 - 特許庁

The offset voltage of the analog buffer circuit can be adjusted by changing the element characteristics of the non-volatile memory elements 131, 132, 133, ....例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１３１，１３２，１３３，…の素子特性の変更して、アナログバッファ回路のオフセット電圧を調整することが可能になっている。 - 特許庁

To provide a technology for switching from a primary power source to a secondary power source without loosing data stored from a volatile element.例文帳に追加

記憶されているデータが揮発性要素から失われることなしに一次電源から二次電源への切替を行う技術を提供する。 - 特許庁

In a cleaner housing 11, the fuel adsorption member 16 for adsorbing volatile fuel is provided in a downstream side of a filter element 14.例文帳に追加

クリーナハウジング１１内において、揮発燃料を吸着するための燃料吸着部材１６をフィルタエレメント１４の下流側に配設する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element that facilitates high integration owing to expansion by employing a laminate structure, and to provide an economical method of manufacturing the same.例文帳に追加

積層構造により拡張されて高集積化の容易な不揮発性メモリ素子及びその経済的な製造方法を提供する。 - 特許庁

A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

This memory element is the non-volatile memory element in which erasing is basically possible and maintenance of information is possible even in a non-power state, and high operational speed and high integration degree are realized.例文帳に追加

本発明のメモリ素子は、基本的に消去が可能であり無電源状態でも情報の維持が可能な不揮発性メモリ素子であって、速い動作速度、高い集積度の具現が可能である。 - 特許庁