あいまいりろんの英語

Ｓｉ基板１１上の絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１４内を被覆するＴｉ膜１５を堆積し、有機チタン材料を用いたＣＶＤ法によりＴｉ膜上にＴｉＮ膜１６を堆積する。例文帳に追加

A Ti film 15 for covering the inside of a contact hole 14 formed on an insulating film 13 on a Si wafer 11 is deposited and a TiN film 16 is deposited on the Ti film by the CVD method using organic titanium materials. - 特許庁

一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるメソイオン化合物の存在下で化学増感することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。例文帳に追加

In a silver halide photographic sensitive material, chemical sensitization is carried out under existence of a mesoionic compound expressed by general formula (I) or (II). - 特許庁

一方、省略道路が存在し、マッチングもできなかった場合、ユーザによりなぞられた軌跡は表示された道路を意識しておらず、走行経路の概略指定（曖昧な指定）と考えられるため、概略なぞり探索（曖昧なぞり探索）を行う。例文帳に追加

Meanwhile, when there is an eliminated road and matching is not performed, the locus traced by the user is not regarded by the user and it is determined that rough designation (ambiguous designation) of the traveling route is performed so that rough searching with tracing (ambiguous searching with tracing) is performed. - 特許庁

活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。例文帳に追加

An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon. - 特許庁

所望のサービス提供者によるＡサービスが経理サービス提供者による経理サービスの利用を伴う場合、まず、Ａサービス代理オブジェクト経理サービス代理オブジェクトを取得する（Ｓ３０１、Ｓ３０２）。例文帳に追加

When a service A by a desired service provider is accompanied by the use of an accounting service by an accounting service provider, a service- A acting object and an accounting service acting object are obtained first (S301, S302). - 特許庁

少なくとも１種のヒドラジン化合物を含有し、一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物を感光材料１ｍ^2あたり０．０１〜０．２０ｇ含有するハロゲン化銀写真感光材料。例文帳に追加

The silver halide photographic sensitive material contains at least one hydrazine compound and also contains a compound of formula (I) or (II) by 0.01-0.20 g per 1 m^2 sensitive material. - 特許庁

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。例文帳に追加

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed. - 特許庁

その後、非晶質Ｓｉ膜４及び多結晶Ｓｉ粒子５を熱酸化させることにより、第２のＳｉＯ_２膜６を形成する。例文帳に追加

Then, the amorphous Si film 4 and the polycrystal particles 5 are thermally oxidized to form a second SiO2 film 6. - 特許庁