Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

When not reflected on the double-faced mirror, the input A_n is output to C_n and input B_m is output to D_m.例文帳に追加

両面反射鏡による反射がない場合は、入力したＡ_nはＣ_nに出力され、入力したＢ_mはＤ_mに出力されるようにする。 - 特許庁

Then, with the X_n/Y_n antenna as the center, a plurality of antennas positioned on both sides are scanned.例文帳に追加

次は、Ｘ_n／Ｙ_nアンテナを中心として、両側に位置されている複数のアンテナがスキャンされる。 - 特許庁

Both the masters are installed at different areas, and slaves A(1)-(n) and slaves B(1)-(n) are connected by radio waves fa1, fb1 and fa2, fb2, respectively, in a specified small power radio line.例文帳に追加

両親機を異なるエリアに設置し、夫々子機Ａ(1)〜(n)と子機Ｂ(1)〜(n)が特定小電力無線回線の電波fa1、fb1とfa2、fb2により接続される。 - 特許庁

In the memory device, the bit lines B_1 to B_n and the plate electrode lines P_1 to P_n are both disposed in a row direction, and resistance values between both ends of the bit lines B_1 to B_n and resistance values between both ends of the plate electrode lines P_1 to P_n are made same.例文帳に追加

このメモリ装置において、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nとプレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nとを共に列方向に配置し、かつビット線Ｂ_1〜Ｂ_nの各々における両端間の抵抗値とプレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nの各々における両端間の抵抗値とを同一にする。 - 特許庁

AMPHIPHILIC POLY(N-VINYL-2-PYRROLIDONE) COPOLYMER例文帳に追加

両親媒性ポリ（Ｎ−ビニル−２−ピロリドン）コポリマー - 特許庁

The FN and N components are required by both 2.1 and 3.0 version vCards.発音を聞く 例文帳に追加

FN および N コンポーネントは、バージョン 2.1 および 3.0 の両方の vCard で必須となります。 - PEAR

If required, either or both of O and N are further contained in the range of O+1.6N≤0.7%.例文帳に追加

更に必要に応じてO若しくはNの何れか一方或いは両方をO＋1.6N≦0.7％の範囲で含有させる。 - 特許庁

In this case, both the n-offset 9 and the n-well region 2 can be made into current passages.例文帳に追加

この場合、ｎオフセット９とｎウェル領域２の両方を電流経路とすることができる。 - 特許庁

Also, a matrix Z consisting of one line and N rows indicating the number of vehicles needed on each of the N days is created.例文帳に追加

また、Ｎ日の各日の必要車両台数を示す１行Ｎ列の行列Ｚを生成する。 - 特許庁

Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加

酸窒化アルミニウム層は、Al−Ｏ−Ｎ固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁

Both first and second charge transfer MOS transistors M1(N) and M2(N) are N channel transistors.例文帳に追加

第１及び第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１（Ｎ），Ｍ２（Ｎ）の両方をＮチャネル型で構成する。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

This apartment house 2 is provided with a parking shelf part 4 allowed to arrange the parking garage Pm-n exclusive to respective dwelling units allowed to park vehicles V in a position faced to a porch Dm-n of the respective dwelling units Hm-n (m indicates the floor, and n indicates the respective dwelling units) of the whole floors.例文帳に追加

マンション２に、全ての階の各住戸Ｈ_m-n （ｍは階、ｎは各住戸を示す）の玄関Ｄ_m-n に面する位置に車両Ｖが駐車できる各住戸専用の駐車場Ｐ_m-_n を設けることが可能な駐車棚部４を配置する。 - 特許庁

The maximum value Max and the minimum value Min of a region except for both end residues of the Core region are calculated, and if Max-Min is a constant threshold or less, amino acid residue number NN at N end and amino acid residue number NC at C end are calculated.例文帳に追加

次にCore領域の両端残基を除いた領域の [H] の最大値Maxと最小値Minを算出し、Max−Minが一定の閾値以下となる場合に、N端側のアミノ酸残基数N_NとC端側のアミノ酸残基数N_Cを算出する。 - 特許庁

Fluorine ions are implanted into both the p-well and the n-well.例文帳に追加

ｐウェルおよびｎウェルの両方にフッ素イオンが注入される。 - 特許庁

MAGNETIC BUTTON UTILIZING BOTH POLES (N, S) AND ITS SETTING UP STRUCTURE例文帳に追加

両極（Ｎ，Ｓ）を利用した磁石ボタン、およびその設置構造 - 特許庁

Then, the double-side printing is executed in accordance with the selected N (S105).例文帳に追加

そして，その選択したＮに従って両面印刷を実行する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

Trenches 3 are formed on both the sides of the N+ type source layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層４の両側にトレンチ３を形成する。 - 特許庁

To achieve compatibility between an S/N ratio and response properties when detecting an angular velocity.例文帳に追加

角速度を検出するときのＳ／Ｎ比と応答性を両立する。 - 特許庁

To provide a PLL synthesizer to establish the compatibility between the high speed performance and a high C/N.例文帳に追加

ＰＬＬシンセサイザにおいて、高速性と高Ｃ／Ｎを両立する。 - 特許庁

The both ends thiol-terminated oligopropylene is represented by general formula (wherein n is an integer of 10-200).例文帳に追加

両末端チオール化オリゴプロピレンは、下記の一般式で表される。 - 特許庁

As the ampholytic resin, a copolymer of N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium-α-N-methylcarboxybetaine and an alkyl methacrylate is preferable.例文帳に追加

上記両性樹脂としては、Ｎ−メタクリロイルオキシエチルＮ，Ｎ−ジメチルアンモニウム−α−Ｎ−メチルカルボキシベタイン・メタクリル酸アルキルエステル共重合体が好ましい。 - 特許庁

When the variation dif(n)exceeds the second threshold c2(n), advance to processing of step S08 is made and after is allowed; and when the variation dif(n) is less than the second threshold c2(n), it is determined that there is no vehicle within the detection area RX (step S21).例文帳に追加

変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）以上であれば、ステップＳ０８以降の処理に進み、変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）未満であれば、感知エリアＲＸにおいて車両なしと判定する（ステップＳ２１）。 - 特許庁

N digital images, where N is equal to or greater than 2, the image content in the overlapped region of contiguous images is the same, and the end edge of a screen nearest to an X-ray source is present in both contiguous images, are provided.例文帳に追加

連続した画像の重複領域部分の画像内容は同一であってＸ線源に最も近いスクリーンの端縁が両隣の連続した画像内に存在するN(N≧２)のデジタル画像を供給する。 - 特許庁

When the number of the virtual plane P_1 on the one hand is made as L and the number of the virtual plane P_2 on the other hand is made as N, the ratio L/N of the both L and N is 0.5≤L/N≤2.0.例文帳に追加

一方の仮想平面Ｐ_1 の数をＬとし，他方の仮想平面Ｐ_2 の数をＮとしたとき，両者Ｌ，Ｎの比Ｌ／Ｎは０．５≦Ｌ／Ｎ≦２．０である。 - 特許庁

The main control part carries out normalization computation of dividing a difference (N-F) between N side photoreception luminous energy obtained from the N side photoreception face and F side photoreception luminous energy obtained from the F side photoreception face by the sum (N+F) of the both photoreception luminous energies.例文帳に追加

主制御部は、Ｎ側受光面から得られたＮ側受光量とＦ側受光面から得られたＦ側受光量との差（Ｎ−Ｆ）を両受光量の和（Ｎ＋Ｆ）で割る正規化演算を行う。 - 特許庁

A P-type region 4 and an N-type region 5a are formed in a P-type well 2, a P-type region 7a and an N-type region 8 are formed in an N-type well 3, and an N-type region 6 is formed straddling both the wells 2 and 3.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２内にはＰ型領域４，Ｎ型領域５ａが、Ｎ型ウェル３内にはＰ型領域７ａ，Ｎ型領域８がそれぞれ形成され、両ウェル２及び３にまたがってＮ型領域６が形成されている。 - 特許庁

Multiple location data (node points) Nd[n] on a road ahead of a vehicle where the vehicle travels are acquired, and a curve degree Rc[n] of a road at each node point Nd[n] is computed.例文帳に追加

車両の前方における車両が走行している道路上の複数の位置データ（ノード点）Ｎｄ[ｎ]が取得され、各ノード点Ｎｄ[ｎ]における道路の屈曲度Ｒｃ[ｎ]が演算される。 - 特許庁

Both of the amine composition and the amine epoxy composition each containing N,N'-dimethyl-m-xylylenediamine are provided.例文帳に追加

本発明は、Ｎ、Ｎ’ジメチル−メタ−キシリレンジアミンを含有するアミン組成物およびアミンエポキシ組成物の両者を開示する。 - 特許庁

To provide a versatile solenoid valve to be used as both N/C and N/O type solenoid valves.例文帳に追加

Ｎ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの両方に使うことのできる汎用性に優れたソレノイドバルブを提供する。 - 特許庁

One solenoid valve 1 can be used as both N/C and N/O type solenoid valves, to allow excellent versatility.例文帳に追加

このため、１つのソレノイドバルブ１においてＮ／ＣタイプとＮ／Ｏタイプの両方に使うことができ、汎用性に優れる。 - 特許庁

The gate electrode 13a consists of N type sections 131 in both end parts and a P type section 132 of a specified distance between the N type sections 131.例文帳に追加

ゲート電極１３ａは両端部がＮ型部分１３１かつその間の所定距離がＰ型部分１３２となっている。 - 特許庁

Then, an intermediate fluctuation voltage vm is generated by selectively changing over both reference voltages Vn, Vn+1 in accordance with a fluctuation frequency.例文帳に追加

両変動基準電圧ｖ_n およびｖ_n+1 を変動周波数に合わせて選択的に切り替えることにより中間変動電圧ｖ_m を生成する。 - 特許庁

Further, the brake remanent life L_R is calculated based on the brake life L_H and the detected vehicle operation time t_N.例文帳に追加

更に、ブレーキ寿命Ｌ_Hと検出した車両稼動時間ｔ_Nとに基づいてブレーキ残存寿命Ｌ_Rを計算する構成とする。 - 特許庁

In the buried pipes, emergency valves V_n-1, V_n and V_n+1 are provided while squeezing both ends of each of the backup pipes.例文帳に追加

埋設配管には、各予備配管の両端を挟んだ形で非常弁Ｖ_ｎ−１，Ｖ_ｎ，Ｖ_ｎ＋１を設ける。 - 特許庁

The velocity V_n of the vehicle 1 is calculated from speed pulses, generated by rotations of an axle 3 rotating a wheel 5.例文帳に追加

車輪５を回転させる車軸３の回転によって生じる速度パルスから車両１の速度Ｖ_nを算出する。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁

The pitch b between two pole teeth positioned on both sides of the boundary B of two adjacent angle ranges is set in the range of (360°/n)<b<(450°/n).例文帳に追加

隣接する２つの角度範囲の境界Ｂの両側に位置する２つの極歯間のピッチｂを、（３６０°／ｎ）＜ｂ＜（４５０°／ｎ）の範囲内の値とする。 - 特許庁

Then, the congestion level length (l_n) is divided by the anticipated travelling speed (V_n) as the last step, to thereby calculate the moving duration (T_l) of the vehicle (S4).例文帳に追加

そして、最後に渋滞レベル長(ｌ_ｎ)を予想移動速度(Ｖ_ｎ)で割って車両の移動所要時間(Ｔ_ｌ)を算出する（Ｓ４）。 - 特許庁

In this resistance network, dummy blocks 10 and 11 are placed on both sides of the arrangement position of blocks B_1 to B_N including normal resistance elements R_1 to R_L.例文帳に追加

ダミーブロック１０，１１を正規の抵抗素子Ｒ_1〜Ｒ_Lを含むブロックＢ_1〜Ｂ_Nの配置領域の両側に設ける。 - 特許庁

Further, a clutch residual life L_R is calculated based on the clutch life L_H and a detected vehicle operation time t_N.例文帳に追加

更に、クラッチ寿命Ｌ_Hと検出した車両稼動時間ｔ_Nとに基づいてクラッチ残存寿命Ｌ_Rを計算する構成とする。 - 特許庁

A printer performs duplex printing including a step of printing on one side of N sheets of paper and subsequently printing on the other side by M (M≤N) sheets.例文帳に追加

プリンタは，Ｎ枚の用紙の片面を印刷した後に，他面をＭ（Ｍ≦Ｎ）枚印刷する工程を含む両面印刷を行うことが可能である。 - 特許庁

Based on the lifetime L_H of the rotating body and an operating time t_N of the vehicle, the residual lifetime L_R of the rotating body is also calculated.例文帳に追加

更に、回転体寿命Ｌ_Hと検出した車両稼動時間ｔ_Nとに基づいて回転体残存寿命Ｌ_Rを計算する構成とする。 - 特許庁