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そこが問題ではありませんの英語
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英訳・英語 That's not the point.
「そこが問題ではありません」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
それは問題ではありません問題ではないことを強く確信する場合に述べられる表現【通常の表現】 例文帳に追加
That shouldn't be problem.発音を聞く - 場面別・シーン別英語表現辞典
それは問題ではありませんそれが問題なのではありません、と、別のことが問題であることを指摘する場合の表現。【通常の表現】 例文帳に追加
That's not the issue.発音を聞く - 場面別・シーン別英語表現辞典
それは問題ではありませんそれが問題の原因だとは思えません、といった意味合いで使う表現【通常の表現】 例文帳に追加
I don't think that would cause any problems.発音を聞く - 場面別・シーン別英語表現辞典
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Weblio例文辞書での「そこが問題ではありません」に類似した例文 |
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そこが問題ではありません
I make little of the problem.
そこが問題だ.
That doesn't matter.
That's not much of a problem.
That's the problem.
It is completely out of the question.
It is altogether out of the question.
これって問題だよな。
This is the problem.
「そこが問題ではありません」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
これが、一方で何か消費者ローンでどうだという話もあるのだけれども、そこまで私は考えていませんけれども、貸借関係の中でもいろいろあるでしょう。どこまでに網をかぶせるかという問題も実際はあります例文帳に追加
Although I know the idea of applying the scheme to consumer loans has been floated, I am not considering that as an option. There are various kinds of lender-borrower relationships, and there is also the issue of the scope of the coverage発音を聞く - 金融庁
銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide an improved polishing composition by solving the problems that the polishing selection ratio of copper to a tantalum compound is insufficient when a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound is polished, a wiring groove and the copper film of a hole are excessively scrapped when the selection ratio to the copper is increased, smoothness on the surface of the copper film is damaged, or the like. - 特許庁
銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing composition for solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound may be inadequate or that, when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes may be overshaved or the smoothness of the surface of the copper film may be impaired. - 特許庁
銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing composition solving such problems that in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁
銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing composition improved in such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁
銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive composition which can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selectivity ratio of the copper and tantalum compound is insufficient or, when the selectivity ratio to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished or the surface smoothness of the copper film is detracted, or the like. - 特許庁
銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive composition that can solve the problem that, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polishing selection rates of the copper and tantalum compound do not become sufficient or, when the selection rate to the copper is raised, copper films in wiring grooves or holes are excessively polished, the surface smoothness of the copper film is detracted, and so on. - 特許庁
銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加
To provide an abrasive composition which improves the problems wherein, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polish selection ratio of the cooper and the tantalum compound is not sufficient, the copper film of a wiring groove or a hole is polished excessively, if the selection ratio for the cooper is increased, and smoothness in the surface of the copper film is damaged. - 特許庁
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That's not the point.
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