ひらおかさんじょう４ちょうめの英語

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。例文帳に追加

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface. - 特許庁

本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）ライナー膜３上にＬｏｗ−ｋ膜４を形成する工程と、（ｂ）Ｌｏｗ−ｋ膜４に照射角度を走査しながら紫外線を照射する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device according to one practical embodiment is characterized by comprising the steps of: (a) forming a Low-k film 4 on a liner film 3; and (b) radiating ultraviolet rays, while scanning a radiating angle to the Low-k film 4. - 特許庁

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。例文帳に追加

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5. - 特許庁

走査ヘッド部４をＸ軸方向へ走査させる際に予め隙間検出部７で読み取られた隙間情報に応じてワーク表面からノズルまでの高さ位置を調整しながら液材吐出部６よりワーク３上に液材１６を吐出する。例文帳に追加

The liquid material 16 is discharged on the workpiece 3 from a liquid material discharge part 6 while controlling the height position from the surface of the workpiece to the nozzle corresponding to the gap information previously read in a gap detecting part 7 when a scanning head part 4 is scanned in the X axis direction. - 特許庁

第六条　各省各庁の長等又は任命権者は、その指定する職員（以下この条において「指定職員」という。）に、第三条第四項、第四条第一項若しくは第二項又は前条第一項本文若しくは第二項の規定による調査（以下この条ｘにおいて「調査」という。）を実施させなければならない。この場合において、各省各庁の長等又は任命権者は、当該調査を適正に実施するに足りる能力、経験等を有する職員を指定する等当該調査の実効を確保するために必要な措置を講じなければならない。例文帳に追加

Article 6 (1) The Heads of Ministries and Agencies etc. or appointers shall have the employees designated by them (hereinafter in this Article referred to as "designated employees") perform the investigation as provided for in Article 3, paragraph 4; Article 4, paragraph 1 or paragraph 2; or the main clause of paragraph 1 or paragraph 2 of the preceding Article, (hereinafter in this Article referred to as "investigation"). In this case, Heads of Ministries and Agencies etc. or appointers shall implement the necessary measures to secure an effective investigation by designating employees equipped with abilities and experience to properly perform the said investigation.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

コア１と当該コア１を覆うクラッド２とを有する光導波路基板１２の表面に、金属薄膜を所定幅Ｗで帯状に形成して金属導波路３とし、金属導波路３上には屈折率を所定に調整したオーバークラッド層４を設ける。例文帳に追加

A metallic thin film is formed into a belt state with a prescribed width W on the surface of an optical waveguide substrate 12, which has a core 1 and a clad 2 covering the core 1 for making the film a metallic waveguide 3, and an overclad layer 4 whose refractive index is adjusted to be a prescribed value is provided on the metallic waveguide 3. - 特許庁

これにより、配線基板３上にスイッチ用チップ４と電力増幅用チップ２とを近接して配置した場合でも、電力増幅用チップ２の表面から封止樹脂７中に放射される出力信号の高調波の影響がスイッチ用チップ４に及び難くなるので、高調波歪の少ないＲＦパワーモジュール１を実現することができる。例文帳に追加

Therefore, even if the switching chip 4 and power amplification chip 2 are closely located on the wiring substrate 3 each other, since the effect of harmonic of an output signal which is irradiated from the surface of the power amplification chip 2 into a sealing resin 7 is difficult to be given to the switching chip 4, the RF power module 1 of less harmonic distortion can be attained. - 特許庁

第百三十三条　第百六条第二項から第四項まで、第百七条、第百八条、第百十条、第百十二条、第百十三条第二項、第百十五条から第百十七条まで、第百十九条、第百二十条、第百二十三条及び第百二十四条の規定は、懲戒審査請求について準用する。この場合において、第百六条第二項中「第十九条第二項の規定により抑留令書が示された日」とあるのは「第五十一条第五項の規定により懲戒処分の通知を受けた日」と、同条第三項中「抑留資格認定官又は捕虜収容所長」とあるのは「懲戒処分権者」と、同条第四項中「提出し、又は口頭で陳述した」とあるのは「提出した」と読み替えるものとする。例文帳に追加

Article 133 The provisions of paragraphs (2) to (4) of Article 106, Article 107, Article 108, Article 110 and Article 112, paragraph (2) of Article 113, Articles 115 to 117, and Article 119, Article 120, Article 123 and Article 124 shall apply mutatis mutandis to an appeal for application for review on disciplinary actions. In these cases, the term "the day on which the written order of internment is shown as provided for by the provision of paragraph (2) of Article 19" in paragraph (2) of Article 106 shall be deemed to be replaced with "the day on which the disciplinary action is noticed as provided for by the provision of paragraph (5) of Article 51"; the term "the recognition officer of internment status or a prisoner of war camp commander", in paragraph (3) of Article 106 shall be deemed to be replaced with "the discipliner"; and the term "submitted to, or orally stated " in paragraph (4) of Article 106 shall be deemed to be replaced with "submitted ".発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム