再結晶させる温度の英語

また、ガラスセラミックスの製造方法は、原料を混合してその融液を得る溶融工程と、前記融液を冷却してガラス体を得る冷却工程と、前記ガラス体の温度をガラス転移温度を超えた領域まで上昇させる再加熱工程と、前記温度を前記温度領域内で維持して結晶を生じさせる結晶化工程と、を有するものである。例文帳に追加

The method for producing the glass ceramic includes: a melting step to mix raw materials and obtain a molten liquid; a cooling step to obtain a glass body by the cooling of the molten liquid; a reheating step to raise the temperature of the glass body up to a range beyond glass transition temperature; and a crystallization step to generate a crystal by keeping the temperature of the glass body within the temperature range. - 特許庁

目的とする金属管の断面形状１１を有する金属板を積層し、これらを加圧した状態で該金属の再結晶温度以上の温度で加熱して金属板同士を固着させることにより金属管を得る。例文帳に追加

By laminating metallic sheets having the cross-sectional shape 11 of an objective metallic tube and sticking the metallic sheets to each other by heating them in the state where they are pressed at a temperature not lower than the recrystallization temperature, the metallic tube is obtained. - 特許庁

第３アニール工程では、アニール温度を７００℃以上として再度熱処理を施すと、第１アニール工程および降温工程により形成された結晶核１０を中心として結晶を成長させ、低抵抗なチタンシリサイド膜９を低抵抗金属膜として形成させる。例文帳に追加

In a third annealing process, at the time of carrying out heat treatment again at an annealing temperature which is 700°C or higher, a crystal is grown with the crystal core 10 formed in the first annealing process and the temperature reducing process as a center, and a low-resistance titanium silicide film 9 is formed as a low-resistance metal film. - 特許庁

高い鋳造温度におけるシェルモールドの引張強度を向上させ、冷却中のモールドの圧縮強度を低下させることによって、鋳造の熱亀裂、再結晶その他の欠陥を低減又は解消させる。例文帳に追加

To reduce or remove casting defects such as heat cracking, recrystallization or the like by raising tensile strength of a shell mold at high casting temperature and reducing compressive strength of a mold under cooling. - 特許庁

相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子を金属バンプの再結晶温度よりも低い温度に熱したパッケージに、フリップチップボンディング法で搭載して、相対的に高い周波数特性の弾性表面波素子をパッケージのアースと導通させる。例文帳に追加

The surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic is mounted on a package heated to a temperature lower than a recrystallization temperature of metallic bumps by the flip chip bonding method to make the surface acoustic wave element with a relatively high frequency characteristic conductive to earthing of the package. - 特許庁

超合金からビレットを形成し、超合金のγ′ソルバス温度よりも低温で加工して加工物品を形成し、次いで超合金のγ′ソルバス温度よりも高温で熱処理して結晶粒を均一に粗大化した後、冷却してγ′を再析出させる。例文帳に追加

A billet is formed of the superalloy and worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article, which is then heat treated above the γ' solvus temperature of the superalloy to uniformly coarsen the grains of the article, after which the article is cooled to reprecipitate γ'. - 特許庁

加工品を次いで加工品の結晶粒を均一に粗大化するのに十分な時間超合金のγ′ソルバス温度を超える温度で熱処理し、しかる後に加工品を加工品内でγ′相を再析出させるのに十分な速度で冷却する。例文帳に追加

Thereafter, the worked article is heat treated at a temperature above the γ' solvus temperature of the superalloy for a duration sufficient to uniformly coarsen the grains of the worked article, after which the worked article is cooled at a rate sufficient to reprecipitate γ' within the worked article. - 特許庁

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。例文帳に追加

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method. - 特許庁