多値記憶素子の英語

不揮発性半導体記憶装置の一つの記憶素子に多値情報が記憶可能な半導体記憶装置、その駆動方法および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory capable of storing multi-valued information in one memory cell of a nonvolatile semiconductor memory, and to provide the driving method and manufacturing method. - 特許庁

ナノギャップ素子に３値以上の多値情報を好適に記憶させることができるナノギャップ素子の駆動方法及びナノギャップ素子を備える記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a driving method of a nanogap device and a storage device equipped with the nanogap device, capable of appropriately storing multivalued information on three or more values in the nanogap device. - 特許庁

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体記憶装置において、多値データの高速なデータ書き込みを実現する。例文帳に追加

To achieve high speed write of multivalued data in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element. - 特許庁

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、２つの電圧付加部１，４の間に、第１の抗電圧を有する第１の強誘電体層２と、第１の抗電圧と異なる第２の抗電圧を有する第２の強誘電体層３とを積層した積層誘電体構造を有する。例文帳に追加

This multilevel information storage element which stores multilevel information has a laminated dielectric structure constituted by laminating a first ferrorelectric layer 2 having a first coercive voltage and a second ferroelectric layer 3 having a second coercive voltage which is different from the first coercive voltage upon another, between two voltage adding sections 1 and 4. - 特許庁

一素子当たりの多値化を図ることが可能な、素子構造上、製造方法上さらに改良された半導体記憶装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device and a method for manufacturing it which can be multi-valued per one element and which is improved concerning element structure and to provide the manufacturing method. - 特許庁

安定したメモリ動作が可能で、素子の微細化にも対応可能な上に、信頼性が高く、多値記憶に対応可能で、さらには、簡便な製法で作製可能な繰返し書込み／消去が可能な不揮発メモリ素子構成の半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory composed of a non-volatilization memory element, which is capable of stably operating the memory and also coping with miniaturization of the element, which has high reliability and can cope with multilevel memory, and which can be simply manufactured and is capable of repetitively writing/erasing. - 特許庁

第１の記憶素子における第１の電極の形状の一部を、第２の記憶素子における第１の電極の形状と異ならせることで、第１の電極と第２の電極の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、１ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。例文帳に追加

A part of the shape of a first electrode in a first storage element is made different from the shape of the first electrode in a second storage element to cause a voltage value, at which electric resistance between the first electrode and the second electrode changes, to be made different, so that a single memory cell can store multivalued information in excess of one bit. - 特許庁

１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。例文帳に追加

To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration. - 特許庁