同期機および同期機用多層クラッド材例文帳に追加

SYNCHRONOUS MACHINE AND MULTILAYER CLAD MATERIAL FOR SYNCHRONOUS MACHINE - 特許庁

アルミニウム合金多層クラッド材の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM ALLOY MULTI-LAYER CLAD MATERIAL - 特許庁

半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。例文帳に追加

The semiconductor multilayer film includes a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer sequentially integrated from the substrate side. - 特許庁

ｎ型基板２上に、下部半導体多層膜反射層３、下部クラッド層４、活性層５、上部クラッド層６を積層した構造を有する。例文帳に追加

A lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3, a lower-part clad layer 4, an active layer 5, and an upper-part clad layer 6 are laminated on an n-type substrate 2. - 特許庁

また、本発明の同期機は、この多層クラッド材を進行磁界を発生する固定子に対向して配置される移動子（回転子）に用い、進行磁界磁束の磁束分布方向と多層クラッド材の積層方向とを合わせる。例文帳に追加

This synchronous motor uses this multiplayer material 3 for a moving element (rotor) to be arranged counterposing a stator which generates a progressive magnetic field, and the direction of the magnetic flux distribution of the progressive magnetic field flux is adjusted to the direction of lamination of the multilplayer material 3. - 特許庁

基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。例文帳に追加

In a semiconductor LD epitaxial structure 1 constituted by laminating thin film crystals of multi layers containing an N cladding layer 4, an active layer 5 and a P cladding layer 6 on a substrate 2, a thin film of the N cladding layer 4 is carried out in 500 nm or more, 1,000 nm or less. - 特許庁

アレイ型半導体レーザ１０は、第１クラッド層１２、活性層１３および第２クラッド層１４が積層された多層膜半導体層を有し、複数の帯状導波路２１が並列的に配列されてなる。例文帳に追加

The array type semiconductor laser 10 comprises: a multifilm semiconductor layer constituted of laminating a first clad layer 12; an active layer 13; and a second clad layer 14; and a plurality of band-like waveguides 21 arrayed in parallel. - 特許庁

ｐ側電極５９として、ｐ型クラッド層５５上からｐ型キャップ層５７上を延在し、次いでｐ型クラッド層５５上に達するｐ型キャップ層５７を跨がった形状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層金属膜が形成されている。例文帳に追加

A Ti/Pt/Au multilayered material film is formed as a P-side electrode 59 extending over the P-type clad layer 55 and bestriding the P-type cap layer 57. - 特許庁

積層構造のうち、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層の上層部、多層膜、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、幅が約１０μｍのストライプ状リッジ３２として形成されている。例文帳に追加

In the laminated structure, the upper layer part of the layer 22, the multilayer film, the layer 26, and the layer 27 are formed as a stripe-shaped ridge 32 of a width of about 10 μm. - 特許庁

固体高分子型燃料電池セパレータ用多層ステンレスクラッド鋼板、厚板およびそれらの素材、並びにそれらの製造方法例文帳に追加

MULTILAYER-CLAD STAINLESS STEEL PLATE FOR SEPARATOR OF SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL, THICK PLATE, MATERIAL THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ファイバーコアと、単層又は多層で構成されたファイバークラッドとを有するポリマー光導波体を有する光ケーブル例文帳に追加

OPTICAL CABLE HAVING POLYMER OPTICAL WAVEGUIDE COMPRISING FIBER CORE AND FIBER CLAD COMPOSED OF SINGLE OR MULTIPLE LAYERS - 特許庁

磁気突極性を十分に確保し、かつ、高速化に対応し得る十分な機械的強度を備えた同期機および同期機用多層クラッド材を提供すること。例文帳に追加

To secure sufficient magnetic saliency and provide mechanical strength fully sufficient to make a machine high in speed. - 特許庁

多層膜１０３の上の所定位置にコア１０４が形成され、その周囲および上部に上クラッド１０５が形成される。例文帳に追加

A core 104 is formed at a predetermined position on the multi-layered film 103, and an upper clad 105 is formed at the periphery of the core 104 and upper part thereof. - 特許庁

多層構造は、コア層（１０４）と、コア層に金属組織学的に結合された少なくとも一つのクラッド層（１０２）とを含んでもよい。例文帳に追加

The multi-layer structure may include a core layer (104) and at least one cladding layer (102) metallographically-bonded to the core layer. - 特許庁

基板１上に下部クラッド層、活性層及び上部クラッド層からなる多層膜を形成し、この多層膜上に加工領域１ａを横切る状態で加工領域１ａの両脇の初期表面領域１ｂにまで延設された電流注入層を形成する。例文帳に追加

A multilayer film constituted of a lower clad layer, an active layer and an upper clad layer is formed on the substrate 1, and a current injection layer which is stretched to the primary surface regions 1b on both sides of the worked region 1a is formed on the multilayer film, in a state of crossing the worked region 1a. - 特許庁

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。例文帳に追加

The plane emission laser element 1 has a structure wherein a lower multilayer film reflector 3, a lower clad layer 4, an active layer 5 of a multi-quantum well structure, an upper clad layer 6, and an upper multilayer film reflector 7 are sequentially layered on a p-GaAs substrate 2 in this order. - 特許庁

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。例文帳に追加

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order. - 特許庁

上部クラッド層６上には、上部半導体多層膜反射層７を有し、ｐ型の上部半導体多層膜反射層７の一部に電流狭窄層８を配置する。例文帳に追加

An upper-part semiconductor multilayer film reflection layer 7 is provided on the upper-part clad layer 6, and a current constricting layer 8 is provided at a part of the p-type upper-part semiconductor multilayer film reflection layer 7. - 特許庁

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。例文帳に追加

Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film. - 特許庁

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。例文帳に追加

Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown. - 特許庁

光ファイバ純度センサは、ファイバコアと、屈折率が周期的に変調される格子構造と、格子構造の周囲に位置決めされたファイバクラッドと、ファイバクラッドの周りに位置決めされた多層感知フィルムとを備えることができる。例文帳に追加

The fiber optic purity sensor may comprise: a fiber core; grating structure with a periodically modulated refractive index; a fiber cladding positioned around the grating structure; and a multilayered sensing film positioned around the fiber cladding. - 特許庁

本発明による光導波回路の作製方法においては、基板上に、アンダークラッド、コア、中間クラッド、コアのように順次積み重なった２層以上のコア層を、フォトマスクを用いて露光し、それら多層コア層を含むガラス膜を一括してエッチングすることによって形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing an optical waveguide circuit according to the present invention, a core layer having two ore more sub layers laid in an order of an under clad, a core, an intermediate clad, and a core on a substrate is exposed to light using a photomask, and glass films including the multi-layer core layer are etched all at once, thereby forming an optical waveguide. - 特許庁

本発明にかかる光ファイバ１は、コア部２の外周に、コア部２に比して屈折率が低い第１クラッド部３を有する光ファイバであって、この第１クラッド部３内に前記第１クラッド部３の主媒質部に比して屈折率が低い副媒質部５ａ〜５ｆ，６ａ〜６ｆを多層配置したものである。例文帳に追加

The optical fiber 1 of the present invention has a first cladding portion 3 having a lower refractive index than a core portion 2 on the outer circumference of the core portion 2, and sub medium portions 5a-5f, 6a-6f having lower refractive index than the main medium portion of the first cladding portion 3 are arranged in multilayer configurations in the first clad portion 3. - 特許庁

面発光型半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、順次に形成された、ｎ型の下部半導体多層膜反射鏡３２、下部クラッド層３３、活性層３４、上部クラッド層３５、ｐ型の上部半導体多層膜反射鏡３６、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層３７を構成層として備える。例文帳に追加

The face light-emitting type semiconductor laser device 30 comprises an n-type lower semiconductor multilayer film reflector 32, a lower cladding layer 33, an active layer 34, an upper cladding layer 35, a p-type upper semiconductor multilayer film reflector 36, and a p-type GaAs cap layer 37 successively formed on an n-type GaAs substrate 31 as constituting layers. - 特許庁

下部半導体多層膜反射層３の上部領域および下部クラッド層４よりも上に積層された半導体層はメサポスト状に形成されている。例文帳に追加

A semiconductor layer laminated above the upper-part region of the lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3 and the lower-part clad layer 4 is formed in mesa-post. - 特許庁

固体高分子型燃料電池セパレータとして最適な、ボロン（Ｂ）を含有する鋼を外層とする多層ステンレスクラッド鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer-clad stainless steel plate having an outer layer made of steel containing boron (B), which is optimal for a separator of a solid polymer type fuel cell. - 特許庁

この構成によれば、多層反射層３，９とクラッド層４，８との屈折率の差異を小さくすることなく、量子井戸層とバリア層のバンドギャップの差を大きく取ることができる。例文帳に追加

With this configuration, the difference in band gap between a quantum well layer and a barrier layer is made larger, without reducing difference in refractive index between the multilayer reflection layers 3 and 9 and clad layers 4 and 8. - 特許庁

複数のコア層がクラッド層を中間層として積層された多層構造を有し、複雑なデザインの光配線を可能とし、情報信号の高速、高容量伝送化を可能とする光導波路を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical waveguide that has a multi-layered structure in which a plurality of core layers are laminated with a cladding layer as an intermediate layer that enables the optical wiring of complicated design, and enables the higher speed and higher volume transmission of information signals. - 特許庁

光モジュール１００は、樹脂製のコア１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、ガラス基板２１の裏面に多層膜２２を形成した光学フィルタ２０、コア１０ａ端に位置する発光素子４０、それらを覆うクラッド１５とから成る。例文帳に追加

The optical module 100 includes resin-made cores 10a, 10b, 10c, an optical filter 20 in which a multi-layered film 22 is formed on the reverse side of a glass substrate 21, a light emitting element 40 situated in an end of the core 10a, and a cladding 15 for covering these. - 特許庁

（２）前記クラッド鋼板用素材を１０００〜１２００℃に加熱したのち、粗圧延を行い、次いで圧延終了温度を６００℃以上とする熱間圧延を行い、その後冷間圧延することを特徴とする固体高分子型燃料電池セパレータ用多層ステンレスクラッド鋼板の製造方法である。例文帳に追加

(2) The method for manufacturing the multilayer-clad stainless steel plate for the separator of the solid polymer type fuel cell comprises the steps of: heating the above material for the clad steel plate to 1,000 to 1,200°C; rough-rolling it; subsequently hot-rolling it at a finishing temperature of 600°C or higher; and then cold-rolling it. - 特許庁

コア層及びクラッド層を樹脂製にし、上記の凹凸パターンを簡易に形成できるようにして、光メモリ素子を容易かつ安価に実現できるようにする場合に、光メモリ素子の製造工程（特に、コア層及びクラッド層を積層する工程）の効率化，簡略化を図りながら、大容量化を実現すべく積層数を増やして多層化できるようにする。例文帳に追加

To form multiple layers by increasing the number of laminated layers to increase a capacity while an optical memory element production process (especially, a process for laminating a core layer and a clad layer) is made efficient and simple when the optical memory element is produced easily and inexpensively by forming the core layer and the clad layer from a resin and forming an uneven pattern easily. - 特許庁

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。例文帳に追加

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5. - 特許庁

下クラッド１０２の上には、高温アニール処理に強い第１の膜１１１と溶融温度の低い第２の膜１１２とを任意の開始順序で複数回交互に積層した多層膜１０３が形成されており、所定の温度でアニール処理される。例文帳に追加

On the lower clad 102, a multi-layered film 103 is formed, which is obtained by alternately stacking a 1st film 111 resistant to high temperature annealing treatment and a 2nd film 112 of low melting temperature two or more times in optional beginning order, and is anneal-treated at a predetermined temperature. - 特許庁

本発明の同期機用多層クラッド材は、磁性材料からなる板材と非磁性材料からなる板材とを交互に複数枚積層した積層部材を圧延処理して、この積層部材の積層界面を金属結合せしめて一体化したものである。例文帳に追加

This multilayer clad material 3 is obtained by rolling a laminated member 3a, formed by alternately laminating a plurality of sheet materials 1 made of a magnetic material and sheet materials 2 made of nonmagnetic material, and metallically to be bonding the laminated interfaces of the laminated member 3a into one body. - 特許庁

多層構造半導体２１に設定される測定対象領域４１に対して成長層側からエッチングが行われ、測定対象領域４１内で、キャップ層３４、中間層３３およびｐ型第２クラッド層３２の各一部が除去される。例文帳に追加

An object region to be measured 41, which is set in a multi-layer semiconductor 21, is etched from its growth layer side, and respective portions of a capping layer 34, a middle layer 33 and a p-type second cladding layer 32 in the object region to be measured 41 are removed. - 特許庁

一対のクラッド層４、６で活性層５を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ｇａ溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差ＬＰＥ法により厚さ２０μｍ以上のｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させる。例文帳に追加

A p-type GaAs contact layer 9 of 20 μm or more is grown by the temperature difference liquid phase epitaxial growth (LPE) method at a Ga solution temperature stationarily higher than the substrate vicinity temperature on a semiconductor multilayer film, having an active layer 5 sandwiched between a pair of clad layers 4, 6. - 特許庁

端面に４５°の反射面３を有し、導波路を多層に重ねた再生専用多重ホログラム情報記録媒体の各導波路のコア−クラッド界面に赤青緑の立体ホログラム情報を重畳して周期的散乱要因７として形成する。例文帳に追加

Red, blue and green components of stereoscopic hologram information are overlapped with the core-clad interface of the individual waveguide of a reproduction-only multiplex hologram information recording medium where the reflection surface 3 of 45 degrees is given at an end face and the waveguide are overlapped in multiple layers to form a periodic scattering cause 7. - 特許庁

（１）Ｂ含有量が０〜０．３質量％であるステンレス鋼を内層とし、その外層として片面または両面にＢ含有量が０．３〜２．５質量％であるステンレス鋼を組み合わせたこと特徴とする固体高分子型燃料電池セパレータ用多層ステンレスクラッド鋼板およびその素材である。例文帳に追加

(1) The multilayer-clad stainless steel plate for the separator of the solid polymer type fuel cell is formed by combining an inner layer made of stainless steel containing 0-0.3 mass% B, with the outer layer made of stainless steel containing 0.3-2.5 mass% B on one surface or both surfaces of the inner layer. - 特許庁