残圧排気弁の英語

この残圧除去手段を、流体通路５１、連通路５２、排気通路５７、ピストン４８、弁シート５３から構成し、それらを弁収容ケーシング１２に配置する。例文帳に追加

The residual pressure removing means is composed of a fluid passage 51, a communicating path 52, an exhaust passage 57, a piston 48, and a valve seat 53, which are arranged on a valve storage casing 12. - 特許庁

ＥＧＲ制御弁３５が閉弁してＥＧＲクーラー３６内に排気ガスが残留していても、吸気通路２６の上流側の高圧部からバイパス通路３７に流入した新気がＥＧＲクーラー３６の内部を通過して吸気通路２６の下流側の低圧部に流れることで、ＥＧＲクーラー３６内に残留する排気ガスを排出することができる。例文帳に追加

Even if the EGR control valve 35 is closed and exhaust gas remains in the EGR cooler 36, new air flowing from a high pressure portion upstream of the intake passage 26 into the bypass passage 37 passes through the EGR cooler 36 and flows to a low pressure portion downstream of the intake passage 26 to discharge residual exhaust gas in the EGR cooler 36. - 特許庁

シリンダＡ２内に燃料噴射弁Ａ８より噴射供給した燃料を圧縮して着火する一方、前記シリンダ内に燃焼後における排気ガスの一部を残留し、この残留排気ガスの比率を、負荷の変化に応じて増減制御するように構成して成る圧縮着火式内燃機関Ａにおいて、前記残留排気ガスの比率を増大したときにおけるスモークの発生及び騒音の増大を低減する。例文帳に追加

To suppress the occurrence of smoke and an increase of noises when the rate of residual exhaust gas increases in a compression ignition internal combustion engine A in which fuel injected and supplied into a cylinder A2 by a fuel injection valve A8 is compressed and ignited while part of the exhaust gas resides in the cylinder after combustion and the rate of the residual exhaust gas is controlled to increase/reduce depending on a load change. - 特許庁

更に吸気バルブの開弁タイミングを略吸入上死点又はそれよりも遅いタイミングに設定することで、排気バルブの閉弁から吸入上死点までの期間に筒内の残留ガスをピストンで圧縮して筒内温度を上昇させる。例文帳に追加

Further, the opening timing of the intake valve is set to almost the intake top dead center or slower timing to compress residual gas in the cylinder by a piston in a period from the closing of the exhaust valve to the intake top dead center, thus heightening the temperature in the cylinder. - 特許庁

イグニッションスイッチオフによりステップモータ式のアイドル制御弁の基準位置を校正する際、スロットル弁下流に大きな吸気管負圧が残留することを回避し、この吸気管負圧に起因するエンジン停止までのバルブオーバラップ期間での排気ガスの吸気側への逆流やアイドル制御弁を開弁したときの気流音の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent backward flow of exhaust gas to an intake side during valve overlap period until engine stop and generation of airflow noise in closing an idle control valve caused by negative pressure in an intake pipe by avoiding large negative pressure's remaining in the intake pipe in downstream of a throttle valve when a standard position of the stepping motor type idle control valve is calibrated by ignition switch off. - 特許庁

火花点火燃焼と内部ＥＧＲガスによる圧縮自己着火燃焼とを切り換え可能な内燃機関の燃焼制御装置において、前記圧縮自己着火燃焼から前記火花点火燃焼へ切り換える場合に、排気弁の閉時期ＥＶＣを調整することにより前記内部ＥＧＲガスの残量を制御し、吸気弁の閉時期ＩＶＣを調整することにより総ガス量を制御する制御手段１１を備える。例文帳に追加

The combustion control device for the internal combustion engine capable of changing over combustion between spark ignition combustion and compression self ignition combustion by internal EGR gas includes a control means 11 controlling internal EGR gas remaining quantity by adjusting exhaust valve close timing EVC and controlling total gas quantity by adjusting intake valve close timing IVC when combustion is changed over from the compression self ignition combustion to the spark ignition combustion. - 特許庁

自着火可能領域では、排気行程終期から吸気行程初期にかけて両弁７，８が共に閉弁して、残留ガスを予圧昇温する負のオーバラップ期間を形成することで比熱比を高め、実用領域内の圧縮比であっても燃焼室３内の混合気温度を自着火可能温度まで高めるようにする。例文帳に追加

In the self-ignition operation region, body valves 7 and 8 are closed from the completion of an exhausting stroke to the start of an intake stroke and a negative overlap period for preloading and heating residual gas is formed to increase ratio of specific heat, and the mixture temperature in a combustion chamber 3 is increased to a self-ignitable temperature even for combustion ratio in a practical region. - 特許庁

エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。例文帳に追加

When the etching step is completed, before execution of the ashing step, a pressure control valve 134 provided at an exhaust port 130 of a processing room 102 is fully opened and the inside of the processing room is vacuumed for a specified time, thereby continuously executing a residual gas removal step of exhausting the etching gas remained in the processing room after the etching step, without taking out a wafer W from the inside of the processing room. - 特許庁