金属箔の熱量測定方法、表面特性の調整方法、レーザー穴開け方法又は熱量測定装置例文帳に追加

METHOD OF MEASURING CALORIE OF METAL FOIL, SURFACE CHARACTERISTIC ADJUSTING METHOD, LASER PERFORATING METHOD AND CALORIMETRIC METER - 特許庁

金属箔の熱量測定方法、表面特性の調整方法、レーザー穴開け方法又は熱量測定装置例文帳に追加

METHOD OF MEASURING HEAT QUANTITY OF METAL FOIL, METHOD OF REGULATING SURFACE CHARACTERISTIC, LASER DRILLING METHOD, OR INSTRUMENT FOR MEASURING HEAT QUANTITY - 特許庁

圧延銅箔からなる負極集電体の熱履歴を測定する適切な方法を提案する。例文帳に追加

To provide a method suitable for measuring thermal hysteresis of a negative electrode collector comprising a rolled copper foil. - 特許庁

金属箔の連続メッキユニット及び連続メッキ装置並びに電位差測定方法例文帳に追加

CONTINUOUS PLATING UNIT AND APPARATUS FOR METALLIC FOIL AND POTENTIOMETRIC METHOD - 特許庁

箔押しした後の残箔に光を当ててカメラでとらえ、箔押しして抜け落ちた部分の面積を測定し、その面積が所定範囲内の値であるか否かを判定して、箔押しが確実に行われたかどうかを検査する箔押検査方法と装置である。例文帳に追加

Foil having been stamped is irradiated with light and photographed by a camera, the area of a part punched out by the stamping is measured, and it is decided whether or not the area is within a specific range to inspect whether or not the sampling is done normally. - 特許庁

酸化しない金属箔を被測定金属材料表面に溶接し、高温での材料の微小変形をその金属箔のスペックルパタ−ン計測で求める方法における、計測精度向上方法の提供。例文帳に追加

To provide a measuring precision improving method in a method for finding minute deformation of a material at high temperature by speckle pattern measurement of a metal foil by welding an inoxidizable metal foil on the surface of the metal material to be measured. - 特許庁

箔電極を用いた部分放電測定方法において、部分放電信号における４０ＭＨｚ以上の高周波成分を検出してシース縁切り部（絶縁接続部）以外の箇所でも部分放電の測定が行えるようにする。例文帳に追加

To measure partial discharge even at a position except a sheath dissolution (insulator connector) by detecting a high frequency component of 40 MHz or more of a partial discharge signal in a method for measuring a partial discharge using a foil electrode. - 特許庁

寸法変化率（％）＝ [（Ｌ_1−Ｌ_0）／Ｌ_0]×１００ ここで、Ｌ_0は銅張り積層体を２５℃、６０％ＲＨ条件で４８時間調湿した後に測定した寸法、Ｌ_1は、その後銅箔をエッチング除去した後２５℃、６０％ＲＨ条件で４８時間調湿した後測定した寸法である。例文帳に追加

In the formula, L0 is a size measured after the laminate is conditioned at 25°C for 48 h in 60% RH, and L1 is a size measure after the copper foil is removed by etching and the laminate is conditioned at 25°C for 48 h in 60% RH. - 特許庁

同じ種類で同じ厚さの２枚の金属箔を重ねて板に貼り合わせ、化学エッチング液をスプレー噴霧し、上側の金属箔が全てエッチング除去されないうちにその板を取り出し、その２枚の金属箔を重ねたまま同じ面積になるように切断し、その重量を比較することによりエッチング量を調査するエッチング精度の測定方法。例文帳に追加

In this measurement method for the etching accuracy, two sheets of metal foils of the same kind and thickness are superposed and stuck to a plate, chemical etchant is sprayed thereon, the plate is taken out before the whole of the upper metal foil is removed by etching, the two metal foils are cut to have the same area as they are still superposed, and the etching amount is examined by comparison of weight. - 特許庁

また、この発明の方法ではガラスエポキシ樹脂プリント配線基板の銅箔をエッチングして形成された細い円状の銅ランドと基材のガラスエポキシ樹脂積層板との剥離荷重の測定を可能にした。例文帳に追加

In this method, it also becomes possible to measure the peeling load between a slim circular copper land formed by etching a copper foil on the glass epoxy resin printed wiring substrate and a glass epoxy resin laminate of the substrate. - 特許庁

また、この電解銅箔は、ＥＢＳＤ法で測定した常態双晶密度（Ａ）と、３８０℃×３０ｍｉｎ加熱後の双晶密度（Ｂ）との双晶密度比（Ｂ／Ａ）の値が０．７以上であることが好ましい。例文帳に追加

In the electrolytic copper foil, the ratio (B/A) of the twin density B after heated at 380°C for 30 min to the normal twin density A measured by an EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns) method is ≥0.7. - 特許庁

光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the metal foil with the electric resistance layer includes a step of forming the electric resistance layer by vapor growth method while applying oxygen as an atmosphere gas, on the metal foil having a surface where the average roughness of ten points measured by an optical method is adjusted to 4.0 to 6.0 μm, using a sputtering target containing nickel, chromium, and silicon. - 特許庁

片面または両面における面内の長手方向とそれに直交する方向につき、ＪＩＳ Ｚ ８７４１で規定する方法４で鏡面光沢度を測定したときに、いずれの方向においても、４５度鏡面光沢が２５０以上である高周波用銅箔。例文帳に追加

When the high frequency copper foil is measured with respect to specular glossiness by a method 4 prescribed in JIS Z 8741 in an in-plane longitudinal direction in one or both surfaces and in a direction perpendicular thereto, the foil has a 45-degree specular glossiness of 250 or more in the both directions. - 特許庁

また、本発明の検査方法は、測定された幅が画素の大きさより大きな不良が検出されないと、回路パターン又は空間成分の明るさレベルを垂直方向により細かく分析して、オープン、ショート又は残留銅箔に応じる不良を検出する。例文帳に追加

In the manufacturing method, manufacturing processes can be decreased, by detecting whether the circuit pattern is proper, and an open-circuit or short-circuit defect in an optical inspecting process and the yield of following processes can be improved. - 特許庁

プリント回路基板の層間接続孔（スルーホール）を効率良く形成するために金属箔の熱量を測定し、レーザーによる穴開けが容易となり、品質に優れ安定した小径層間接続孔が形成できる方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an instrument for measuring a heat quantity of a metal foil, in order to efficiently form an interlayer connection hole (through hole) for a printed circuit board of excellent quality. - 特許庁

被膜層を設けた金属箔上にポリイミド層を形成した後、前記金属箔とポリイミド層とを分離してポリイミドフィルムを製造する方法において、前記被膜層が３-グリシドキシプロピルトリメトキシシランのような有機シラン化合物により形成されたものであり、前記被膜層におけるケイ素量が、波長分散型蛍光X線分析装置で測定したケイ素量として２０〜５００ｍｇ/ｍ^2の範囲であることを特徴する。例文帳に追加

In a method for producing a polyimide film comprising forming a polyimide layer on a metal foil having a coating layer and separating the metal foil from the polyimide layer, the coating layer is formed from an organic silane compound such as 3-glycidoxpropyl trimethoxy silane, and an amount of silicone in the coating layer is 20 to 500 mg/m^2 measured by a wavelength-dispersion type fluorescent X ray analysis device. - 特許庁

Ｇｄ箔やチョッパーなどを用いてＣｄの吸収断面積のピーク値より低い部分の中性子をカットすることにより即発ガンマ線分析において、ノイズとなるＨのコンプトン成分の影響を低減させる方法、又は^１１３Ｃｄが同時に強い強度の即発ガンマ線を２本出すこととに着目し、多重ガンマ線検出法と即発ガンマ線分析法を組み合わせることによりＨからのガンマ線を測定しないようにする方法。例文帳に追加

Alternatively, in accordance with focusing on a phenomenon that ^113Cd simultaneously emits two prompt gamma-rays with high intensity, a provided method does not detect gamma-ray from H by combining a multiple gamma-ray detecting method and the prompt gamma-ray analysis method. - 特許庁