DIT isとは 意味・読み方・使い方

A catalyst is early activated by giving retard angle correction to the ignition timing until the ignition retard angle release time TDI is reached, and when the ignition retard angle release time TDI is reached, the ignition retard angle amount DIT is decreased for each setting value ΔDIT until it is set to 0.例文帳に追加

そして、点火遅角解除時間ＴＤＩに達するまで点火遅角量ＤＩＴで点火時期を遅角補正して触媒を早期活性化させ、その後、点火遅角解除時間ＴＤＩに達すると、点火遅角量ＤＩＴを０になるまで設定値ΔＤＩＴずつ減少させる。 - 特許庁

When the TS source is inputted from the DSM, the PID(packet identifier) of the transport packet of the TS source is referred to and whether or not the PID has a certain specific value for example, the PID of a DIT(discontinuous information table) is decided.例文帳に追加

ＤＳＭからの入力であった場合には、ステップ３で、そのトランスポートパケットのＰＩＤ(パケット識別子)を参照し、さらにそのＰＩＤがある特定の値[例えば、ＤＩＴ(不連続情報テーブル)のＰＩＤ]であるかどうかの判定を行う。 - 特許庁

Step (B) of processing digital image data (ID) comprises or realizes a sub-step (B') of an image improvement with respect to the digital image data (ID) which employs or is based on a process of re-mapping (REM) together with a process of dithering (DIT).例文帳に追加

デジタル画像データ（ＩＤ）を処理するステップ（Ｂ）は、再マッピング処理（ＲＥＭ）をディザリング処理（ＤＩＴ）と共に用い又はこれに基づくデジタル画像データ（ＩＤ）の画質向上のサブステップ（Ｂ’）を含み又は実現する。 - 特許庁

During idling operation after the starting of an engine, the ignition retard angle DIT is set based on engine cooling water temperature Tw (S205), and ignition retard angle release time TDI for defining the retard angle correction period is set based on the engine cooling water temperature Tw (S206).例文帳に追加

エンジン始動後アイドルのとき、エンジン冷却水温Ｔｗに基づき点火遅角量ＤＩＴを設定し（Ｓ２０５）、遅角補正期間を定める点火遅角解除時間ＴＤＩをエンジン冷却水温Ｔｗに基づき設定する（Ｓ２０６）。 - 特許庁

That is, they are outputs of an MPEG decoder 18, a sample rate converter 32 and an RDI 22, one signal is selected by switches 31, 22 among the three signals, a DIT 23 converts the selected signal into a signal with a prescribed transmission format and the resulting signal is outputted from an optical terminal 24.例文帳に追加

すなわち、ＭＰＥＧデコーダ１８、サンプルレート変換器３２、ＲＤＩ２２の各出力がそれであり、前記３つの信号から一つの信号がスイッチ３１、３３で選択され、ＤＩＴ２３で所定の伝送フォーマットに変換されて、一つの光端子２４から出力される。 - 特許庁

To provide a SOI wafer whose manufacturing process itself is not complicated, whose number of defects on a bonding interface is at a level of no practical matter and which has a high interface level (Dit) for trapping carriers on an interface between a BOX layer and a base wafer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、ＢＯＸ層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位（Ｄｉｔ）が高いＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

This groove part DIT is installed so as to be stretched and extended along its extending direction, for example in a brim region (that is, the vicinity of the border region with a neighboring display pixel PIX) of a pixel forming region Rpx of a display pixel PIX and in the vicinity of a data line Ld and a selection scan line Ls.例文帳に追加

この溝部ＤＩＴは、例えば表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxの縁辺領域（すなわち、隣接する表示画素ＰＩＸとの境界領域近傍）であって、データラインＬｄ及び選択走査ラインＬｓ近傍に、その延在方向に沿って伸延するように設けられている。 - 特許庁

This has a constitution that a groove part DIT is installed at a prescribed region of protective insulation film 13 and the flattening film 14 on an insulating substrate 11 in which transistors Tr 11 to 13, a capacitor Cs, and a various kinds of wiring layers to constitute a pixel circuit DC have been covered and formed.例文帳に追加

画素回路ＤＣを構成するトランジスタＴｒ１１〜１３やキャパシタＣｓ、各種配線層が形成された絶縁性基板１１上に、被覆形成された保護絶縁膜１３及び平坦化膜１４の所定領域に、溝部ＤＩＴを設けた構成を有している。 - 特許庁