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Vbnとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 揮発性塩基窒素; volatile basic nitrogen;


学術用語英和対訳集での「Vbn」の意味

VBN


「Vbn」を含む例文一覧

該当件数 : 12



例文

Substrate potentials VBP and VBN are supplied through the substrate supply wirings 5a and 5b.例文帳に追加

基板電位V_BP,V_BNは、基板給電配線5a,5bを介して供給される。 - 特許庁

The buried layer 538 is set to a potential Vbn lower than the power supply potential Vdd.例文帳に追加

埋め込み層538は電源電位Vddより低い電位Vbnに設定される。 - 特許庁

A clamp voltage VBp is applied to a gate of the clamp TR MP3 and a clamp voltage VBn is applied to a gate of the clamp TR MN4.例文帳に追加

クランプトランジスタMP3のゲートにはクランプ電圧VBpを、MN4のゲートにはクランプ電圧VBnを印加する。 - 特許庁

When the bias voltage of the circuits (58L and 60L) changes to a power supply voltage level Vss from the voltage VBn, the circuits (58L and 60L) are turned off and no current flows.例文帳に追加

しかし、各定電流源回路(58L,60L)に対するバイアス電圧がVBnから電源電圧レベルのVssに変わると、各定電流源回路(58L,60L)はオフ状態となり、電流を流さなくなる。 - 特許庁

A voltage follower 32L operates as a source type voltage follower when constant current source circuits (58L and 60L) are supplied with a bias voltage VBn.例文帳に追加

電圧フォロア32Lは、各定電流源回路(58L,60L)にバイアス電圧VBnを供給されているときは、ソース型の電圧フォロアとして動作する。 - 特許庁

Further, voltage Vbp and voltage Vbn whose settings can be arbitrarily changed are respectively given to the substrate potential of the switching transistor Mpv and the substrate potential of the ground transistor Mnv by the control circuit.例文帳に追加

さらに、スイッチングトランジスタMpv、接地トランジスタMnvの基板電位には、コントロール回路によって、それぞれ任意に変更設定可能な電圧Vbp、Vbnが与えられている。 - 特許庁

例文

By this program, levels of the substrate bias voltages Vbp, Vbn are adjusted, and the variances of the threshold voltages of MOS transistor of CMOS-SRAM are controlled to be within a predetermined tolerance range.例文帳に追加

プログラムにより基板バイアス電圧Vbp、Vbnのレベルが調整されて、CMOS・SRAMのMOSトランジスタのしきい値電圧のバラツキは、所定の誤差範囲に制御される。 - 特許庁

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Wiktionary英語版での「Vbn」の意味

vb. n.

名詞

vb. n.

  1. (grammar) Initialism of verbal noun.

Weblio例文辞書での「Vbn」に類似した例文

vbn

Weblio例文辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「Vbn」を含む例文一覧

該当件数 : 12



例文

To provide a calibration curve creating method for obtaining a high-accuracy calibration curve for measuring a VBN content and a value of a V2-score in an extraction liquid of a silage sample, and to provide a program for implementing the method.例文帳に追加

サイレージ試料の抽出液におけるVBN含有量、及びV2−スコアーの値を測定するための高い精度の検量線を得ることのできる検量線作成方法、及び該方法を行うプログラムを提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit, substrate bias voltages Vbp, Vbn are applied to substrates (well) of the MOS transistors of a SRAM memory cell by any one of active mode from among information-holding operation, writing operation and reading operation of SRAM.例文帳に追加

SRAMの情報保持動作と書き込み動作と読み出し動作のいずれかのアクティブモードで基板バイアス電圧Vbp、VbnがSRAMメモリセルのMOSトランジスタの基板(ウェル)に印加される。 - 特許庁

The control circuit 100a applies a first bias voltage Vbn to one end of the first resistor R1 and one end of the second resistor R2 so that a predetermined first reference voltage Vref1 and an output voltage Vout are same.例文帳に追加

制御回路100aは予め設定された第1の基準電圧Vref1と出力電圧Voutが等しくなるように、第1の抵抗R1の他端および第2の抵抗R2の他端に第1のバイアス電圧Vbnを印加する。 - 特許庁

The control switch Cnt_SW feeds an N well N_Well of PMOSQp1 of a CMOS circuit, and a P well P_Well of NMOSQn1 with PMOS substrate bias voltage Vbp and NMOS substrate bias voltage Vbn, respectively.例文帳に追加

制御スイッチCnt_SWは、CMOS回路のPMOSQp1のNウェルN_WellとNMOSQn1のPウェルP_WellとにPMOS基板バイアス電圧VbpとNMOS基板バイアス電圧Vbnとをそれぞれ供給する。 - 特許庁

例文

TFT 40P, 40N constituting flop-flop F1-Fn+1 of a shift register 24a or the like are back-gate structured, and a back bias change-over circuit 25 makes the back-gate voltages VBP, VBN differ in value from each other at the time of the operational state and the stand-by state of the TFT 40P, 40N, respectively.例文帳に追加

シフトレジスタ24aのフリップフロップF1〜Fn+1等を構成するTFT40P,40Nをバックゲート構造とし、バックバイアス切換え回路25は、バックゲート電極43P,43Nに、前記TFT40P,40Nの動作状態と待機状態とで、バックゲート電圧VBP,VBNをそれぞれ異なる値とする。 - 特許庁

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