a PEDとは 意味・読み方・使い方

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having superior resolving power and sufficient size difference between sparse and dense areas and excellent also in PED stability.例文帳に追加

解像力、粗密寸法差が優れ、更にＰＥＤ安定性にも優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition for electron beams or X-rays having high sensitivity and high resolution and excellent in stability of PED.例文帳に追加

高感度かつ高解像度で、ＰＥＤの安定性に優れた電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams or X rays having high sensitivity, high resolution and excellent stability of PED(post exposure delay).例文帳に追加

高感度かつ高解像度で、ＰＥＤの安定性に優れた電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The optimal erasing power Peo at the overwriting time is set by OPC, a coefficient α is set according to the type and the rotational speed of the optical disk 10, and optimal erasing power Ped at the DC current erasing time is set based on Ped=α×Peo.例文帳に追加

ＯＰＣによりオーバライト時の最適消去パワーＰｅｏを設定し、光ディスク１０の種類や回転数に応じた係数αを設定し、Ｐｅｄ＝α・Ｐｅｏにより直流消去時の最適消去パワーＰｅｄを設定する。 - 特許庁

To provide a resist protective film composition for obtaining a resist protective film having high transparency and no sensitivity in a wide wavelength region and excellent in suppression of a PED (post exposure delay) effect.例文帳に追加

幅広い波長領域において高い透明性と不感性とが得られ、かつ、ＰＥＤ効果抑制に優れるレジスト保護膜を得るためのレジスト保護膜用組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and excellent in PED stability in the formation of a contact hole pattern in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にＰＥＤ安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition excellent in etching resistivity and the stability during a post-exposure delay (PED) period, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

エッチング耐性及びＰＥＤに対する安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming fine and accurate resist patterns without being affected by a PED or a PCD in resist pattern formation using charged particle beams.例文帳に追加

荷電粒子線によるレジストパターン形成において、ＰＥＤ、ＰＣＤ等によって影響を受けることなく、微細で、かつ、正確なレジストパターンを形成するための方法を開発すること。 - 特許庁