a bodingとは 意味・読み方・使い方

To provide a substrate boding method capable of bonding two substrates with the accuracy of not more than tens μm while eliminating the generation of a void in bonding the two substrates.例文帳に追加

２枚の基板の接合に際し、ボイドの発生を無くしさらに数十μｍ以下に精度良く貼り合わすことのできる貼り合わせ方法を提供する。 - 特許庁

Due to a stable electrical boding structure, there are no complicated voltages or impedances caused by an unstable contact between the electrode and the human skin.例文帳に追加

また、安定的な電気的結合構造によって電極と皮膚との不安定な接触による複雑な電位やインピーダンスの発生がない。 - 特許庁

The bonding pads 16 are each composed of a pad 16a which is constant in width as prescribed and a tip 16b which is extended from the pad 16a toward the adjacent row of the boding pads 16.例文帳に追加

ボンディングパッド１６の各々は、所定の一様な幅を有するパッド部１６ａと、パッド部からボンディングパッドの隣の列に向かって延在する先端部１６ｂとを有する。 - 特許庁

To form a bonding layer or a BSF layer in simple steps by forming the boding layer by a thermal diffusion, then switching to an oxygen atmosphere in a furnace, and annealing to form a protective film on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱拡散による接合層の形成の後、炉内を酸素雰囲気に切り換えて徐冷を行うことで、基板表面に保護膜を形成し、これにより簡単な工程で接合層やＢＳＦ層を形成する。 - 特許庁

To secure adhesiveness to an insulating protective layer by making the surface of a wiring pattern in a TAB tape carrier coarse and to secure an excellent boding characteristic by smoothing the surface of a connecting part.例文帳に追加

ＴＡＢテープキャリアにおける配線パターンの表面を粗面化して絶縁性保護層との密着性を確保すると共に、接続部の表面を平滑化して良好なボンディング特性を確保する。 - 特許庁

To provide a mounting structure of an IC chip capable of reducing the length of a bonding wire and simplifying wiring of the boding wire even when mounting an IC chip in the vicinity of a wiring-disabling region.例文帳に追加

配線不可領域の近傍にＩＣチップを実装する場合であっても、ボンディングワイヤの長さを短くでき、ボンディングワイヤの配線を簡単とすることができるＩＣチップの実装構造を提供する。 - 特許庁

A first semiconductor device in the present invention comprises, as shown in Fig.(b), a die pad 1, a major chip 2, a minor chip 3, a conductive film 7 formed on the backside of the minor chip 3, bumps 4, leads 5, and boding wires 6.例文帳に追加

本発明の第１の半導体装置は、図１（ｂ）に示すように、ダイパッド１と、親チップ２と、子チップ３と、子チップ３の裏面上に形成されている導電体膜７と、バンプ４と、リード５と、ボンディングワイヤ６とから構成されている。 - 特許庁

For wedge-bonding a gold alloy boding wire 1 onto an electrode film 3, the relation of the minimum value D of a wire compression bond thickness at its bond zone to the electrode film thickness (t) is set for 4t+2≤D (μm).例文帳に追加

金合金ボンディングワイヤ１を電極膜３上にウェッジ接合する場合は、その接合部においてワイヤ圧着厚さの最小値Ｄと電極膜厚ｔの関係を、４ｔ＋２≦Ｄ（μｍ）とする。 - 特許庁