electro migrationとは 意味・読み方・使い方

To inhibit the degradation of yield in a process forming the wiring having a wiring width ≤0.2 μm, and to elevate an electro-migration resistance.例文帳に追加

配線幅が０．２μｍ以下の配線幅の配線形成工程において歩留まり低下を抑制し、エレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

To increase long-lasting connection reliability to improve electro-migration resistance in a semiconductor package.例文帳に追加

半導体パッケージにおいて長期接続信頼性を向上させ、エレクトロマイグレーション耐性を改善する。 - 特許庁

To provide a layout method providing a layout taking an EM (Electro Migration) into consideration by simple modification, and achieving a short TAT (Turn Around Time).例文帳に追加

簡単な修正によりＥＭを考慮したレイアウトが可能で、短ＴＡＴ化が可能なレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device in which disconnection caused by electro-migration of word lines and bit lines can be prevented, and its operating method.例文帳に追加

ワード線、ビット線のエレクトロマイグレーションによる断線防止が可能な不揮発性記憶装置とその動作方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the degradation of yield in the wiring forming process is inhibited, and the electro-migration resistance is improved.例文帳に追加

これにより配線形成工程の歩留まり低下を抑制し、エレクトロマイグレーション耐性を向上させることができる。 - 特許庁

To shorten the design time by suppressing electro-migration at the stage of layout design in an integrated circuit of a VLSI or the like.例文帳に追加

レイアウト設計の段階でエレクトロマイグレーションを抑制して、設計時間の短縮化を図る。 - 特許庁

The electric resistance ratio found by the calculation 24 is applied to the correlation between the previously found electric resistance ratio and the duration of the electro-migration of the wiring, whereby an estimation 25 of the duration of the electro-migration(EM) of the pattern is made.例文帳に追加

次に、算出２４で求めた電気抵抗比を、予め求めていた電気抵抗比とエレクトロマイグレーション寿命との相関関係にあてはめることにより、評価配線パターンのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）寿命の時間推定２５をする。 - 特許庁

When current tolerance of Ta and NiCr, so to speak electro-migration tolerance is compared, Ta being a high melting point metal is highly excellent, then electro-migration of the resistance line 40 is greatly improved by using the Ta thin film 42 to hold the NiCr thin film 42.例文帳に追加

TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜４２でNiCr薄膜４２を挟み込む構造とすることにより、抵抗線４０自体のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。 - 特許庁