electron structure of atomとは 意味・読み方・使い方

By forming a structure wherein a cesium adsorption region 103 is formed on a flat part 102 on a silicon substrate with an atom step 101 formed at predetermined density, this stable electron emission material having a remarkably lowered work function can be provided by a synergistic effect of the atom step 101 and the adsorption structure.例文帳に追加

所定の密度で原子ステップ１０１が形成されたシリコン基板上の平坦部１０２上にセシウム吸着領域１０３が形成されている構成とすることで、原子ステップ１０１と吸着構造の相乗効果によって、仕事関数が著しく低下した安定な電子放出材料が得られる。 - 特許庁

The radiation-sensitive acid generator contains at least one kind of sulfonyloxyimide compound having such a structure that an aromatic hydrocarbon group having an electron donating group and/or a heterocyclic group having an electron donating group is bonded to the skeleton having a sulfonyloxyimide group and that the electron donating group is bonded in the moiety of the electron donating atom with the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group or with the heterocycle in the heterocyclic group.例文帳に追加

感放射線性酸発生剤は、電子供与性基を有する芳香族炭化水素基および／または電子供与性基を有する複素環式基がスルホニルオキシイミド基を有する骨格に結合しており、かつ該電子供与性基はその電子供与性原子の部位で該芳香族炭化水素基中の芳香環あるいは該複素環式基中の複素環に結合した構造を有するスルホニルオキシイミド化合物を少なくとも１種含む。 - 特許庁

The pigment dispersant is characterized by containing at least a metal compound having a phthalocyanine structure whose central metal can form a five-coordinate structure or six-coordinate structure, and an n-electron- imparting compound such as a styrene-vinylpyridine copolymer which exhibits affinity to the dispersing medium and can be coordinated on the central atom of the metal compound.例文帳に追加

顔料分散剤として、中心金属が五配位構造又は六配位構造をとることのできるフタロシアニン構造を有する金属化合物と、分散媒に対して親和性を示し、かつ金属化合物の中心金属に配位可能なｎ−電子供与性化合物、たとえばスチレン−ビニルビリジン共重合体、とを少なくとも含有することを特徴とする構成とした。 - 特許庁

AIN layer/GaN layer/AIN layer three-layered structure in the atomic layer order is generated on an n-type GaN layer having C surface of a nitrogen atom surface on its surface, and thereby an enormous internal electric field by spontaneous polarization or piezopolarization generated in the quantum structure is used, and the electric field emitting electron emitting element drastically reducing a work function is obtained.例文帳に追加

表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 - 特許庁

The fiber structure containing a polyester fiber has the surface atom number ratios O1S/C1S and N1S/C1S determined by electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA) by X-ray irradiation is higher than that of the part at a depth of ≥0.5μm from the surface by ≥0.02.例文帳に追加

ポリエステル系繊維を含む繊維構造物であって、該ポリエステル系繊維表面の、Ｘ線照射による電子分光法（ＥＳＣＡ）による測定で求められる原子数比Ｏ1S／Ｃ1SおよびＮ1S／Ｃ1Sの値が、繊維表面から少なくとも０．５μｍ以上の深部の値に比べて０．０２以上増加していることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a low-molecular organogelatinizer capable of forming network structure necessary for gelatinization utilizing mutual chalcogen atom contact rather than hydrogen bond, of gelatinizing an organic solvent on a small amount of addition, and also of desirably carrying out a gel-dispersion( sol ) transformation by redox control by merely addition of an electron acceptor, and to provide a low-molecular organogel obtained using the gelatinizer.例文帳に追加

水素結合と異なり、カルコゲン原子間接触を利用してゲル化に必要な網目構造を形成するとともに、少量の添加で有機溶媒をゲル化し、さらに、電子受容体を添加するだけで酸化還元制御によりゲル−分散溶液状態（ゾル）間の変換を任意に行うことができる低分子オルガノゲル化剤およびこれを用いた低分子オルガノゲルを提供する。 - 特許庁

In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more.例文帳に追加

繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁