etched out surfaceとは 意味・読み方・使い方

To provide a process for fabricating a CMOS image sensor in which the contact resistance of a read out circuit in a unit pixel can be reduced while suppressing variation thereof by preventing the surface of a photodiode from being etched thereby minimizing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオードの表面がエッチングされないようにして暗電流を最小にし、単位画素内のリードアウト回路部のコンタクト抵抗の減少と、コンタクト抵抗の変化を減少させることのできるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A process to carry out the hole etching or the trench etching of silicon so as to substantially expose at least the silicon on the bottom surface of an etched part and a process to form a silicon oxide film on a silicon structure formed in the process to carry out the hole etching or the trench etching by a CVD method are carried out.例文帳に追加

エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁

A transparent conductive film 12 is formed covering the top surface and a flattening film 13 is formed thereupon and the entire surface is etched until the acryl-based resin film 10a in the area except the through hole and recess is exposed to pattern pixel electrodes 12a, and contact hole processing and pixel electrode patterning are carried out by a sheet of photomask.例文帳に追加

その表面を覆うように透明導電膜１２を形成し、その上に平坦化膜１３を形成し、貫通孔および凹所以外の領域のアクリル系樹脂膜１０が露出するまで全面エッチングすることで画素電極１２ａをパターニングし、コンタクトホール加工と画素電極パターニングを１枚のフォトマスクで行う。 - 特許庁

This metal separator with improve anti-corrosivity is so formed that the surface of a base metal 1 composed of the iron-based alloy containing at least one kind out of chromium, nickel, titanium, niobium, aluminum and silicon is etched to form the concentration layer 2 having concentrated additive element concentration in the vicinity of the surface.例文帳に追加

クロム、ニッケル、チタン、ニオブ、アルミニウム、ケイ素等のうち、いずれか少なくとも１種類を含む鉄基合金からなる母材１の表層をエッチング処理して、表面近傍における添加元素の濃度を濃縮させた濃縮層２を形成し、耐食性の向上を図った金属セパレータを構成する。 - 特許庁

A photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form a patterned resin layer mask, irradiation with UV is carried out again in such a way that only the surface of the patterned resin layer mask is cured and the polyimide film is etched with an alkaline solution.例文帳に追加

ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、引き続いて前記樹脂層パターンマスクの表面のみを硬化せしめるように再度の紫外線照射を行った上で、アルカリ性液でエッチングする。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To form a hole in a film to be etched in such a way that the surface shape of the hole is not made star and the diameter of the hole does not considerably exceed a prescribed value even when plasma etching is carried out at ≥1×1010/cm3 plasma density through a hole-patterned photosensitive material film formed by irradiation with KrF excimer laser as mask.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザを照射して形成したホールパターン化された感光性材料膜をマスクとして、１×１０^10／ｃｍ^3 以上のプラズマ密度でプラズマエッチングを行なっても、被エッチング膜に形成されるホールの平面形状が星形にならないと共にホールの径が所定値からあまり大きくならないようにする。 - 特許庁