gan tとは 意味・読み方・使い方

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

A mask 4 capable of being etched is formed on the whole surface of the GaN layer 31, and the mask 4 is etched so as to expose only the top parts T of the islands of the GaN layer 31.例文帳に追加

GaN層３１上全体にエッチ可能なマスク４を形成し、次いでマスク４をエッチして島状態のGaN層３１の頂上部Ｔのみを露出させる。 - 特許庁

A GaN layer 2 is grown on a C-face sapphire substrate 1, and a T-shaped USG film 3 is fabricated on the GaN layer 2 so that the side surface of the USG film 3 is parallel to an A-face and an M-face of the GaN layer 2.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。 - 特許庁

On a surface of a p-type GaN layer 23, a transparent electrode 31 is formed to the vicinity of a right end part of the p-type GaN layer 23 (at a position of T) so as to be extended from a left end part side toward the right end part side.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層２３の表面には、左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、ｐ型ＧａＮ層２３の右端部（Ｔの位置）付近まで透明電極３１が形成されている。 - 特許庁

The periodic structure layer 13 may be a periodic structure of the AlGaN layer and the GaN layer so that the relationship of t≤0.000422*X^-2.821 is met, where X is an average aluminum composition ratio of the periodic structure layer 13 and t is a total thickness.例文帳に追加

周期構造層１３を、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造とし、周期構造層１３の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとを、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ^-2.821の関係を満たすようにしてもよい。 - 特許庁