メモリストリングＭＳは、メモリ柱状半導体層３６と、メモリ柱状半導体層３６の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層を含むメモリゲート絶縁層３５と、メモリゲート絶縁層３５を取り囲むように形成された４層のワード線導電層３１ａ〜３１ｄと、ワード線導電層３１ａ〜３１ｄの上部を保護する２層の保護層３３ａ、３３ｂとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a; a memory gate insulating layer 34 formed while surrounding the side of the columnar section 35a; and word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the memory gate insulating layer 34.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、柱状部３５ａを有するＵ字状半導体層３５と、柱状部３５ａの側面を取り囲むように形成されたメモリゲート絶縁層３４と、メモリゲート絶縁層３４を取り囲むように形成されたワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a channel-shaped semiconductor layer 45 including a columnar portion 45A extending in a stacking direction on a substrate; a charge storage layer 44b surrounding the columnar portion 45A; and word-line conductive layers 41a to 41d stacked so as to surround the charge storage layer 44b.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、基板上に積層方向に延びる柱状部４５Ａを含むＵ字状半導体層４５と、柱状部４５Ａを取り囲むように形成された電荷蓄積層４４ｂと、電荷蓄積層４４ｂを取り囲むように積層されたワード線導電層４１ａ〜４１ｄとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a pair of columnar portions; a U-shape semiconductor layer 35 having a coupling portion for coupling the lower ends of the columnar portions; a tunnel insulating layer 34c for surrounding the columnar portions; a charge accumulating layer 34b; a block insulating layer 34a; and word line conductive layers 32a-32d for surrounding the block insulating layer 34a.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、一対の柱状部、及びそれらの下端を連結させる連結部を有するＵ字状半導体層３５、柱状部を取り囲むトンネル絶縁層３４ｃ、電荷蓄積層３４ｂ、ブロック絶縁層３４ａ、及びブロック絶縁層３４ａを取り囲むワード線導電層３２ａ〜３２ｄを備える。 - 特許庁

The memory string MS comprises a columnar semiconductor CLmn extended vertically with respect to a substrate Ba, a trap film (charge accumulation layer) 21 contacted with the columnar semiconductor CLmn for accumulating charges, a block insulating film 22 contacted with the trap film 21, and a word line WL contacted with the block insulating film 22.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、基板Ｂａに対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎに接し且つ電荷を蓄積するトラップ膜（電荷蓄積層）２１と、トラップ膜２１に接するブロック絶縁膜２２と、ブロック絶縁膜２２と接するワード線ＷＬとを備える。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer 34 functioning as bodies of the memory transistors MTr1 to 8, a charge storage layer 33b formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 and configured to hold data by storing charges, and word line conductive layers 31a to 31d formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 via the charge storage layer 33b.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、メモリトランジスタＭＴｒ１〜８のボディとして機能するＵ字状半導体層３４と、Ｕ字状半導体層３４を取り囲むように形成され、電荷を蓄積することによりデータを保持する電荷蓄積層３３ｂと、電荷蓄積層３３ｂを介してＵ字状半導体層３４を取り囲むワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a extended vertically and a connection section 35b connecting their lower ends; a charge storage layer 34 formed while surrounding the columnar sections 35a; and first to fourth word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the columnar sections 35a and the charge storage layer 34.例文帳に追加