restricted gateとは 意味・読み方・使い方

On the occasion of mold opening, the runner part 170 pushed up by the ejector pin 160 is bent at the restricted portion 174 and thus a submarine gate part 180 is extracted smoothly.例文帳に追加

開型時には、エジェクターピン１６０に押し上げられたランナー部１７０は、絞り部１７４で折れ曲り、サブマリンゲート部１８０はスムーズに引き抜かれる。 - 特許庁

A projection 132 is provided between an ejector pin 160 and the entrance of the submarine gate 140 and so a restricted portion 174 is formed in a runner part 170 of a molding resin.例文帳に追加

エジェクターピン１６０と、サブマリンゲート１４０の入口との間に突起１３２が設けてあり、成形樹脂のランナー部１７０に絞り部１７４が形成される。 - 特許庁

To provide a gate valve in which an arrangement space of a valve drive system is not wide, a vertical dimension is restricted compactly and a multistage passage can be controlled to open and close.例文帳に追加

バルブ駆動系の配置スペースを広くとらず、上下方向寸法をコンパクトに抑えながら、多段数の通路の開閉制御が可能なゲートバルブを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method wherein, even when a space between adjacent gate electrodes is narrow, a deterioration of characteristics is restricted, while a side wall insulating film can be reliably formed.例文帳に追加

隣接するゲート電極間の間隔が狭い場合においても、特性の劣化を抑制しつつ、サイドウォール絶縁膜を確実に形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layout method for laying out memories of a desirable capacity in a memory layout desirable area when a usable gate region is restricted in a semiconductor integrated circuit device in which a hard macro and a usable gate are mixedly present; and the semiconductor integrated circuit device laid out by the layout method.例文帳に追加

ハードマクロとユーザブルゲートが混在した半導体集積回路装置において、ユーザブルゲート領域に制限がある場合にメモリ配置希望エリアに希望容量のメモリを配置するためのレイアウト方法および当該レイアウト方法によって配置された半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a test voltage of a gate withstand voltage is not restricted by a clamping voltage of a protection element, without having to enlarge chip size to the utmost, and to provide its testing method.例文帳に追加

本発明の課題は、極力、チップサイズを大きくすることなく、ゲート耐圧のテスト電圧が保護素子のクランプ電圧の制約を受けることのない半導体装置およびそのテスト方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device comprising a charge holder to the side wall of the gate electrode, in the structure that the charge holder is allocated lower than the interface between a gate insulating film and a channel region, in order to improve the write operation rate wherein length of the read current path is restricted and read access time is shortened.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に電荷保持部を有する半導体記憶装置で、書き込み動作の速度を向上させるために電荷保持部をゲート絶縁膜とチャネル領域との界面よりも下に配置する構造では、読み出し電流経路が長くなることを抑制し、読み出しのアクセス時間を短くする。 - 特許庁

To provide a gate device that prevents its applicable range from being restricted by the installation location or its environment and facilitates cancellation of the restriction on traffic of persons or vehicles or the like at the entrance during the occurrence or the like of an abnormality when a restraint bar is located at the lower side and traffic of persons or vehicles or the like at the entrance is restricted.例文帳に追加

適用可能な範囲に対する、設置する場所や、その環境による制限が抑えられ、且つ、制止バーが下方に位置し、入出口における人や車両等の通行を制限しているときに異常が発生する等したときに、入出口における人や車両等の通行制限の解除が簡単に行えるゲート装置を提供する。 - 特許庁