After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ３１を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークＤ_P がチャネル領域３３よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

With use of the substrate accommodating apparatus having adequately fed back gas flow rate and the impurity controlling method provided within the same substrate accommodating apparatus, adverse effect, for example, corrosion of wires and formation of naturally oxidized film or the like of impurity to semiconductor substrate can be prevented during the semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

ガス流量を適切にフィードバックした基板収納装置及び基板収納装置内の不純物制御方法を用いることにより、半導体製造工程間における不純物による半導体基板への悪影響、例えば配線の腐食、自然酸化膜の形成等を防止する。 - 特許庁

To provide new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while the effect of disturbing crystal structure is reduced without having to locally supply energy more than is needed and is used as a function region by injecting it to the semiconductor substrate.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

To provide a new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while reducing the effect disturbing a crystal structure, without locally supplying energy more than is required, and which is injected into the semiconductor substrate to be used as a function region.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

The opening area 7b is formed in such a way that the impurity made incident to the substrate 1 obliquely to the main surface of the substrate 1 is not introduced to the substrate 1 by a shadowing effect and the impurity made incident to the substrate 1 perpendicularly or nearly perpendicularly to the main surface of the substrate 1 can be introduced to the substrate 1.例文帳に追加

この開口領域７ｂは、半導体基板１の主面に対して斜めに入射される不純物がシャドウィング効果により半導体基板１に導入されないように形成され、半導体基板１の主面に対して垂直またはその近傍の角度で入射する不純物が半導体基板１に導入されるように形成されている。 - 特許庁

Since the hydrogen radicals can be efficiently generated with no emission of gases, the cleaning effect of the substrate 21 and the impurity eliminating effect of the film formation material can be remarkably improved.例文帳に追加

これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 - 特許庁

In a process for forming a field-effect transistor on a single-crystal semiconductor substrate, impurity is introduced to form an extension region and a single crystal lattice is broken to make the extension region amorphous.例文帳に追加

単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタの作成過程において、エクステンション領域を形成するために不純物を導入するとともに、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a gate insulating film 3 and a gate electrode 4a on a semiconductor substrate 1S, and then implanting an impurity to form a channel region 6 of the field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板１Ｓ上にゲート絶縁膜３およびゲート電極４ａを形成した後に、電界効果トランジスタのチャネル領域６を形成するための不純物を導入する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel which prevents an effect of static electricity on a color filter substrate side and the elution of impurity into a liquid crystal layer from a color filter substrate, and hardly causes display irregularity with respect to an in-plane switching (IPS) type liquid crystal display panel.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示パネルであって、カラーフィルタ基板側の静電気の影響およびカラーフィルタ基板から液晶層への不純物の溶出を防止すると共に、表示むらが生じにくい液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁

To provide a CMP process metal impurity remover which is excellent in performance for removing metal impurities attached to the surface of a semiconductor substrate subjected to a CMP treatment without having any adverse effect on the semiconductor substrate in the manufacture of semiconductor elements, such as ICs, LSIs and the like, and liquid crystal panel elements.例文帳に追加

本発明の目的は、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造における、ＣＭＰ処理後の半導体基板表面の金属不純物除去性能に優れ、半導体基板へ悪影響を与える恐れが少ないＣＭＰ工程用金属不純物除去剤を提供することにある。 - 特許庁

An impurity introduction step is performed to introduce impurities into a semiconductor layer 1a on one surface 10s side of a substrate body 10w when a pixel transistor composed of an electric field effect transistor of LDD structure is formed on the one surface 10s.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスターを基板本体１０ｗの一方面１０ｓに形成するにあたって、一方面１０ｓ側の半導体層１ａに不純物を導入する不純物導入工程を行う。 - 特許庁

The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁

The field effect transistor 100 comprises a channel region 130 formed within a silicon substrate 110, a gate electrode 150 formed on the channel region 130 via a gate insulating film 140, a high-concentration impurity region 170, and a pocket region 180.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、シリコン基板１１０内に形成されたチャネル領域１３０と、チャネル領域１３０上にゲート絶縁膜１４０を介して形成されたゲート電極１５０と、高濃度不純物領域１７０と、ポケット領域１８０とを備える。 - 特許庁

Since the cleaning solution is an acidic solution containing organic acid and has a pH value of 4 or less, the fine particles 13 are charged negatively similar to the surface of the substrate 11, and at the same time, the metallic impurity ions in the solution become negative complex ions due to the complexing effect of the organic acid.例文帳に追加

洗浄液が有機酸を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電されるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物イオンはマイナスの錯イオンとなる。 - 特許庁

A protective insulating film 14 is deposited on a field effect transistor provided on a semiconductor substrate 10, and a contact plug 15 whose lower end is connected to the impurity diffused layer 13 is formed in the protective insulating film 14.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された電界効果型トランジスタの上には保護絶縁膜１４が堆積されており、該保護絶縁膜１４中には、下端部が電界効果型トランジスタの不純物拡散層１３と接続するコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.例文帳に追加

共通の基板３１に、しきい値電圧を異にする少なくとも第１および第２の２つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第１および第２の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域２６１および２６２による深さを異にするそれぞれｐ−ｎ接合Ｊ_1 およびＪ_2 による第１および第２のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

This field effect transistor 1 has a buried gate region 5 formed by doping an impurity in a compound semiconductor substrate 19, wherein concave portions 6L and 6R are provided on both the sides of the buried gate region 5 of the compound semiconductor substrate 19.例文帳に追加

本発明に係る電界効果トランジスタ１は、化合物半導体基体１９に不純物をドーピングして形成した埋め込みゲート領域５を有する電界効果トランジスタ１において、前記化合物半導体基体１９に埋め込みゲート領域５の両側に隣接する凹部６Ｌ、６Ｒを設けることを特徴とする。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a substrate 101 comprising a semi-insulating InP; a hole transit layer 102 formed on the substrate 101 and comprising GaAsSb in which carbon (C) is introduced as a p-type impurity; a channel layer 103 formed on the hole transit layer 102 and comprising InGaAs; an electron supply layer 104 formed on the channel layer 103; and a barrier layer 105 formed on the electron supply layer 104.例文帳に追加

半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されて、炭素（Ｃ）がｐ形の不純物として導入されたＧａＡｓＳｂからなる正孔走行層１０２と、正孔走行層１０２の上に形成されたＩｎＧａＡｓからなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成された電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備える。 - 特許庁

In an element substrate 10, a conductive film 11 for detecting temperature, in which impurity is doped in a semiconductor layer formed at the same time with a semiconductor layer of field effect transistors 30, is provided, and the data conversion part 113 performs correction corresponding to resistance change of the conductive film 11 for detecting temperature, when the digital driving signal is created.例文帳に追加

素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 - 特許庁

The gate stack structure is equipped with: an interfacial layer 4 formed on a semiconductor substrate 5; a high-k dielectric 3 formed on the interfacial layer 4; a silicide gate 1 including a diffusive material and an impurity metal and formed over the high-k dielectric; and a barrier metal 2 having a barrier effect to the diffusive material and formed between the high-k dielectric 3 and the silicide gate 1.例文帳に追加

ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁