t siとは 意味・読み方・使い方

A film formation material for forming an Si-system film contains t-C_4H_9SiX_3.例文帳に追加

Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、 前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 - 特許庁

The modified zeolite catalyst is prepared by performing dealumination-silylation treatment and chemical treatment to an intermediate fine pore zeolite which has a ten-membered ring structure composed of ten units of tetrahedral type TO_4 (T=Si or Al) and has a fine pore diameter in the range of 0.50 to 0.65 nm.例文帳に追加

四面体型TO_4（T = SiまたはAl）ユニット10個からなる10員環構造を有し、細孔径が0.50〜0.65 nmの範囲にある中間細孔ゼオライトに対し、脱アルミニウム−シリル化処理および化学処理を行うことにより調製される変性ゼオライト触媒。 - 特許庁

Concerning one side of a hyperboloid Ci1, a=0 in the case of t=t1, and Ci1 becomes a plane (X=0), and it can be said that the earthquake source is in a domain (Di1) on the point S1 side of a plane of symmetry (X=0) of Si.例文帳に追加

双曲面Ci1の当該片業が、ｔ＝ｔ1の時にはａ＝０で、Ci1は平面（X＝０）となり、震源が点S1、Siの対称面（X＝０）の点S1側の領域（Di1）にあることが言える。 - 特許庁

A poylcrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge which contacts a gate insulating film 2 as well as a polycrystal Si layer 4 provided on the polycrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge constitute a gate electrode, especially a T-type gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２と接する少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３と、この少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３上に設けた多結晶Ｓｉ層４によって、ゲート電極、特に、Ｔ型ゲート電極を形成する。 - 特許庁

A film forming material for forming the Si-based film contains t-C_4H_9SiX_3 (X is an arbitrary group) and a reactive compound which reacts with the t-C_4H_9SiX_3.例文帳に追加

Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 - 特許庁

By operating under condition of regulating the heat flow rate shown with (heat capacity of charging material/heat capacity of gas) ≤0.7 and the blasting temperature to ≤500°C, the Si content in the molten iron is made to ≤0.45%, at the tapping rate ≤1.1 t/dm3.例文帳に追加

（装入物の熱容量）／（ガスの熱容量）で表される熱流比を0.7 以下とし、かつ送風温度を 500℃以下とした条件により操業することにより、出銑比 1.1ｔ／ｄｍ^３以下において、溶銑中Si含有量 0.45 ％以下とする。 - 特許庁

Then correlations between frames of objective titles T[1] to T[Tn] and the reference thumbnail picture Si are respectively obtained and a frame number of a frame with the highest correlation is automatically detected and stored in the memory S[i].例文帳に追加

次に、対象となるタイトルＴ［１］〜Ｔ［Ｔｎ］に対して、各タイトルのフレーム毎に基準サムネイル画像Ｓｉとの相関が求められ、最も相関の高いフレームのフレーム番号が自動検出され、メモリＳ［ｉ］に保存される。 - 特許庁

In a second scheme, the FH function (r, T) used for soft-handoff users is defined to be orthogonal to or have low correlation with the FH function (k, T) used for users not in soft handoff in each sector Si, so that the modification of the FH function (k, T) is not needed.例文帳に追加

第２のスキームでは、ソフトハンドオフ・ユーザに使用されるＦＨ関数（ｒ，Ｔ）は、ＦＨ関数（ｋ，Ｔ）の修正が必要とされないように、各セクタＳ_ｉにおいてソフトハンドオフ中ではないユーザに使用されるＦＨ関数（ｋ，Ｔ）と直交するように、又は、低い相関関係を有するように定義される。 - 特許庁