「"アルミニウム結晶"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。例文帳に追加

The method for growing an aluminum nitride crystal 20 comprises the following steps. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。例文帳に追加

The method for growing an aluminum nitride crystal includes the following steps. - 特許庁

安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an inexpensive high-quality aluminum nitride crystal. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal, which, in growing an aluminum nitride crystal, can prevent the sublimation of a base substrate and can grow an aluminum nitride crystal having good crystallinity at an improved growth rate, to provide a method for producing an aluminum nitride crystal, and to provide an aluminum nitride crystal. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の成長方法と窒化アルミニウム基板および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR GROWING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL, ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal and a crystal growth device capable of growing a high-quality aluminum nitride crystal in a simple process. - 特許庁

そして、基板１１の主表面１１ａ上に、基板１１と異なる材料の窒化アルミニウム結晶１２が昇華法により成長される。例文帳に追加

An aluminum nitride crystal 12 comprising a material different from the substrate 11 is grown on the main surface 11a of the substrate 11 by a sublimation method. - 特許庁

その後、水酸化ナトリウム処理により、前記表層２ａ内の窒化アルミニウム結晶粒子Ｇを溶解除去して、アンカーＡを形成する。例文帳に追加

Then an aluminum nitride crystal particle G in the surface layer 2a is dissolved and removed in a process with sodium hydroxide, to form an anchor A. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。例文帳に追加

A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas. - 特許庁

第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。例文帳に追加

The first layer 12 is formed of a material having a lower level of sublimability than the base substrate 11 at a growth temperature of the aluminum nitride crystal 20. - 特許庁

そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。例文帳に追加

An aluminum nitride crystal 20 is grown on the main surface 11a of the base substrate 11 by a vapor growth method. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の粒界に生じるイットリウム化合物の最大粒径を１０μm 以下とする。例文帳に追加

This sintered compact is designed to be ≤5 μm in the average crystal grain size of aluminum nitride(AlN) and ≤10 μm in the maximum grain size of a yttrium compound at the grain boundary. - 特許庁

この場合、アルミニウム素管のアルミニウム結晶粒の抽伸方向の長さをＬ、抽伸方向と直角な方向の長さをＤとするとき、７０％以上のアルミニウム結晶粒のＬ／Ｄを１．５以上３．０以下、かつ旋削時の線速を６５００ｍｍ／ｓｅｃ以上とする。例文帳に追加

In such a case, when length in the reduction direction of the aluminum crystal grain of the aluminum pipe stock is defined as L and length in a direction perpendicular to the reduction direction is defined as D, L/D of ≥70% aluminum crystal grain is 1.5 to 3.0, and the linear velocity at the time of lathe turning is ≥6500 mm/sec. - 特許庁

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。例文帳に追加

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C. - 特許庁

Ｇａ−Ａｌ合金融液４に窒素ガスを導入し、Ｇａ−Ａｌ合金融液４中の種結晶基板３上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Nitrogen gas is introduced into a Ga-Al alloy melt 4, to thereby generate epitaxial growth of an aluminum nitride crystal on a seed crystal substrate 3 in the Ga-Al alloy melt 4. - 特許庁

この窒化物半導体の多層膜には共振器の端面が形成されており、この端面の少なくとも一方には窒化アルミニウム結晶からなる保護膜が設けられている。例文帳に追加

An end face of a resonator is formed at the multilayer film of the nitride semiconductor, and a protective film comprising aluminum nitride crystal is provided at least on one of the end faces. - 特許庁

光出射部上に第１コート膜が形成されており、第１コート膜は酸化アルミニウム結晶を含む窒化物半導体発光素子であることを特徴とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor light-emitting element is composed so that a first coat film is formed on a light-emitting part and the first coat film includes an aluminum-oxide crystal. - 特許庁

このマグネシウム合金は、凝固時にマグネシウムの結晶粒よりも高い温度域においてＡｌ_４Ｃ_３が多数形成され、これが結晶核として機能することで、アルミニウム結晶粒の均一かつ微細化が図られる。例文帳に追加

In the magnesium alloy, many of Al_4C_3 are formed in a temperature region higher than those of crystal grains of magnesium in solidification, Al_4C_3 functions as a crystal core, and thus, aluminum crystal grains are equalized and miniaturized. - 特許庁

プラズマ光に晒されて使用される窒化アルミニウムを主成分とする誘電体部品において、窒化アルミニウム結晶中に含まれる酸素原子の濃度が０．１原子％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In the dielectric component which is used so as to be exposed to plasma light and which is composed mainly of aluminum nitride, the concentration of oxygen atoms contained in an aluminum nitride crystal is 0.1 atomic % or less. - 特許庁

焼結助剤１を含有した窒化アルミニウム成形体１を焼結させる際に、その表層２ａの窒化アルミニウム結晶粒界Ｂに、主として焼結助剤からなるガラス相３を滲出させる。例文帳に追加

When an aluminum nitride mold 1 comprising a sintering assistant 1 is sintered, a glass phase 3 comprising mainly of the sintering assistant is allowed to bleed at an aluminum nitride grain boundary B of its surface layer 2a. - 特許庁

窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、セリウムを酸化物に換算して０．０１重量％以上、１．０重量％以下含有している。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact contains aluminum nitride as a main component and cerium in an amount of ≥0.01 and ≤1.0 wt.%, expressed in terms of its oxide and has a polycrystalline structure composed of aluminum nitride crystals. - 特許庁

窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、焼結体中に酸化物に換算して１００ｐｐｍ以上、５００ｐｐｍ以下のリチウムを含有している。例文帳に追加

This aluminum nitride-based sintered product contains aluminum nitride as a main component, has the polycrystalline structure of aluminum nitride crystals, and contains lithium in an amount of ≥100-500 ppm converted into the oxide in the sintered product. - 特許庁

短波長領域での発光素子として有用なＡｌＧａＮ系混晶半導体薄膜のエピタキシャル成長用基板材料に適した窒化アルミニウム結晶を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining an aluminum nitride crystal suitable as a material for a substrate for epitaxial growth of an AlGaN mixed-crystal semiconductor thin film useful as a light-emitting device in the short-wavelength region. - 特許庁

プラズマ光に晒されて使用される窒化アルミニウムを主成分とする誘電体部品において、窒化アルミニウム結晶中に含まれる酸素原子の濃度が３原子％以上１０原子％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

This treatment apparatus is equipped with a dielectric part which is used under the exposure to plasma light and mainly comprises aluminum nitride, provided that the concentration of oxygen atom in aluminum nitride crystals is 3 atom % or higher but not higher than 10 atom %. - 特許庁

高吸液基材の例としては、ケイ酸カルシウム、二酸化ケイ素（ケイ酸）、メタケイ酸アルミン酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、結晶セルロース、軽質無水ケイ酸から選択されるいずれか１種または２種以上を組み合わせたものが挙げられる。例文帳に追加

As the example of the high fluid-absorbent base material, at least one selected from calcium silicate, silicon dioxide (silicic acid), magnesium metasilicate aluminate, aluminum silicate, crystalline cellulose, and light anhydrous silicic acid and a combination of two or more kinds can be mentioned. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact is characterized in that, in defect analysis in positron annihilation method, the ratio of positrons annihilated within 180 ps (picosecond) in aluminum nitride crystals is ≥90%, and preferably has thermal conductivity of ≥200 W/mK. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の少なくとも粒界に１０重量％以下の助剤相を含み、該助剤相には平均長径が１．０〜３．０μｍの鱗片状の窒化ホウ素粒子が分散していることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact comprises ≤10 wt.% auxiliary agent phase in at least a grain boundary of aluminum nitride crystal and flake like boron nitride particles having 1.0-3.0 μm average length are dispersed in the auxiliary agent phase. - 特許庁

擬ベーマイト構造のアルミナ水和物、γ型酸化アルミニウム結晶および気相法により合成された非晶性シリカから選択される無機微粒子と下記式１で表されるホスホニウム化合物を少なくとも１種含有する塗被液を塗工して形成されるインクジェット記録媒体。例文帳に追加

An ink jet recording medium is coated with a coating fluid containing at least one kind out of organic fine particles selected from an alumina hydrate of pseudo-boehmite structure, γ-type aluminum oxide crystals and an amorphous silica synthesized by the gas phase process and a phosphonium compound represented by a formula I. - 特許庁

前記基体中に、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、マグネシウムを含有している窒化アルミニウム質焼結体からなる中間層が埋設されており、前記金属部材が、前記窒化アルミニウム質焼結体からなる中間層中に埋設されている。例文帳に追加

In the base substance, an intermediate layer including aluminum nitride as the main component, having a polycrystalline structure of aluminum nitride, and consisting of the aluminum nitride-based sintered compact including magnesium is buried, and the metallic component is buried in the intermediate layer consisting of the aluminum nitride-based sintered compact. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム結晶組織にＹＡＧ，ＹＡＭおよびＹＡＬの少なくとも一種を含む粒界相が形成され、粒界相の最大径が１μｍ以下であり、かつ熱伝導率が１８８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact has grain boundary phases which are formed in the crystal structure of aluminum nitride and each of which contains at least one of YAG, YAM and YAL and has ≤1 μm maximum diameter and ≥188 W/m.K thermal conductivity. - 特許庁

イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact comprises 0.1-0.5 mass% of a yttrium compound in terms of yttrium element, in which the percentage that yttrium nitride occupies in the yttrium compound is 5-30%, at least a part of the yttrium nitride exists in two-grain boundary of aluminum nitride crystal particles, and the relative density thereof is ≥98%. - 特許庁

窒化物半導体となる窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物結晶を製造する際の基板として好適に使用できる、表面に窒化アルミニウム結晶層を有するサファイヤ基板を、プラズマ発生装置等の特殊な装置を使用することなく、効率的且つ簡便に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a sapphire substrate having an aluminum nitride crystal layer on its surface and being suitably used as a substrate when a nitride crystal such as gallium nitride (GaN) being a base material for a nitride semiconductor is produced, by which method the sapphire substrate having the aluminum nitride crystal layer is efficiently and easily produced without using a specific apparatus such as a plasma generating system. - 特許庁

チタン酸アルミニウム結晶１００重量部及びスピネル結晶２〜６重量部を含む混合物を粉砕することを特徴とするチタン酸アルミニウム焼結体製造用原料粉末の製造方法、及びこの方法で得られたチタン酸アルミニウム焼結体製造用原料粉末を成形した後、焼成することを特徴とするチタン酸アルミニウム焼結体の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing raw material powder for manufacturing the aluminum titanate sintered compact consisting in pulverizing a mixture containing 100 pts.wt. aluminum titanate crystal and 2 to 6 powder spinel crystal and the method for manufacturing the aluminum titanate sintered compact consisting in molding the raw material powder for manufacturing the aluminum titanate sintered compact obtained by the method, then sintering the molding. - 特許庁

ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍである窒化アルミニウム焼結体を得る。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact having volume resistivity at normal temperature of 1×10^9 to 1×10^14Ω cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass%, expressed in terms of its oxide, so as to form a compound oxide of the lanthanide element and aluminum on the grain boundary of aluminum nitride crystals. - 特許庁

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。例文帳に追加

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate. - 特許庁

窒化アルミニウム層２の表面に酸化層３が形成されており、酸化層３は窒化アルミニウム結晶粒子４を含有し、酸化層３中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが５〜１００μｍになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。例文帳に追加

The aluminum nitride substrate comprises an oxide layer 3 and is characterized in that an oxide layer 3 is formed on the surface of an aluminum nitride layer 2, the oxide layer 3 contains aluminum nitride crystal particles 4, and the thickness of a virtual layer formed of only aluminum oxide calculated based on the total content of the aluminum oxide component in the oxide layer is 5-100 μm. - 特許庁

単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride composite film 10 is produced by precipitating aluminum nitride 1 at 150 to 500°C by sputtering on a base material 6 comprising a single crystal α-Al_2O_3 substrate 3 and an aluminum nitride crystal film 5 formed thereon via an aluminum oxynitride layer 4, and subsequently annealing at a temperature higher than the reaction sputtering temperature and in a range from 250 to 800°C to form a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1. - 特許庁