「"吸収領域"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

テーパ状電極及び衝撃吸収領域を有する耐衝撃性電気化学セル例文帳に追加

TAPERED ELECTRODE AND SHOCK-RESISTANCE ELECTROCHEMICAL CELL HAVING SHOCK ABSORPTION REGION - 特許庁

インク貯蔵領域２５５ａの毛管力は、インク吸収領域２５５ａの毛管力よりも大きい。例文帳に追加

Capillary force of the ink storage region 255b is higher than that of the ink absorbing region 255a. - 特許庁

複数の光吸収領域１８は、実質的にＡｌを含まないIII−Ｖ族化合物半導体からなる。例文帳に追加

The optical absorption areas 18 are substantially made of III-V group compound semiconductor containing substantially no Al. - 特許庁

圧着部９で囲まれた範囲に所定面積の中央吸収領域１１が設けられている。例文帳に追加

A central absorption region 11 with a fixed area is provided in a range which is surrounded by a contact bonded part 9. - 特許庁

一方、光吸収領域１２では、観察者の観察角度によらずほぼ同一の色を呈する。例文帳に追加

In the light absorption region 12, a similar color is observed regardless of the observation angle of the observer. - 特許庁

制御光４の強度は、可飽和吸収領域６が飽和しない程度になっている。例文帳に追加

Intensity of the control light 4 is at the level of not saturating the saturable absorption region 6. - 特許庁

肌側表面２ａに、圧縮溝で囲まれた縦長の主吸収領域１０が設けられている。例文帳に追加

The sanitary napkin has a vertically long, main absorbent region 10 surrounded by a compressed groove on a surface 2a on the skin side. - 特許庁

可飽和吸収領域32には、n側共通電極12と可飽和吸収領域のp側電極22とを介して定電圧源26によって逆バイアス電圧が印加される。例文帳に追加

A reversed bias voltage is applied to a saturable absorbing region 32 by a constant-voltage source 26 via the n-side common electrode 12 and a p-side electrode 22 of the saturable absorbing region. - 特許庁

インク再吸収部材２５５は、ジョイント口２３０に隣接したインク吸収領域２５５ａと、インク吸収領域２５５ａで吸収されたインクを貯蔵するためのインク貯蔵領域２５５ｂとを有する。例文帳に追加

The ink reabsorbing member 255 has an ink absorbing region 255a adjacent to the joint port 230, and a region 255b for storing ink absorbed into the ink absorbing region 255a. - 特許庁

可飽和吸収領域には、n側共通電極と可飽和吸収領域のp側電極12とを介して定電圧源38によって逆バイアス電圧が印加される。例文帳に追加

Meanwhile, the saturable absorber region is applied with inverse bias voltage from a constant voltage source 38 via the n-side common electrode and a p-side electrode 12 of the saturable absorber region. - 特許庁

吸液構造体４０には高吸収領域が形成され、高吸収領域では残余の部分よりも体液の吸収容量が大きくなるようにしている。例文帳に追加

A high absorption region is formed in the liquid absorbing structure 40, and the high absorption region is adapted to have a higher liquid absorbing capacity than the remaining region of the liquid absorbing structure. - 特許庁

樹脂フィルム１１，１２を介して光吸収領域２にレーザ光Ｌを照射し、光吸収領域２を発熱させて、溶着予定ライン５に沿って樹脂フィルム１１，１２を溶着する。例文帳に追加

A light absorbing region 2 is irradiated with a laser beam L through the resin films 11 and 12 and heat is produced in the light absorbing region 2 to weld the resin films 11 and 12 along the welding scheduled line 5. - 特許庁

これにより、レーザ光Ｌが照射された際に、光吸収領域２の幅方向への熱の伝播が促進され、幅方向において光吸収領域２の温度が効率良く均一化される。例文帳に追加

As a result, the propagation of heat in the width direction of the light absorbing region 2 is accelerated at the irradiation with the laser beam L and the light absorbing region 2 is efficiently uniformized in temperature in the width direction thereof. - 特許庁

高吸収領域を設けて吸収量を高めることで液体の漏れ出しを軽減しつつ、この高吸収領域を移動可能として汎用性を高めた吸収性物品を得る。例文帳に追加

To provide an absorptive article in which a high absorption area is made movable to enhance versatility while reducing the leakage of liquid by providing the high absorption area and increasing an absorption amount. - 特許庁

これにより、レーザ光Ｌが照射された際に、光吸収領域２の温度が効率良く上昇し、レーザ光Ｌの照射領域Ｒが通過した後も、光吸収領域２の温度が急激に低下し難くなる。例文帳に追加

By this constitution, the temperature of the light absorbing region 2 rises efficiently at the irradiation with the laser beam L, and even after the passage of the laser beam L through an irradiation region R, the lowering of the temperature of the light absorbing region 2 becomes hard suddenly. - 特許庁

よって主吸収領域Ａが捩れにくく、フラップが形成された側部領域Ｂは、境界領域Ｃが存在しているために主吸収領域Ａと重なるように変形しづらい。例文帳に追加

Accordingly, the absorption area A is hard to kink, and the presence of the boundary area C makes it hard for the side area B formed with a flap to be deformed in such a manner as to overlap with the absorption area A. - 特許庁

導波路上に電極分離された複数の可飽和吸収領域を有する半導体レーザと、前記可飽和吸収領域のそれぞれにビームを入射するビーム入射手段を備えた。例文帳に追加

The aligning apparatus is equipped with a semiconductor laser which is provided with a plurality of saturable absorption regions isolated by the electrode on a waveguide and a beam incident means by which a beam is made incident on each of the saturable absorption regions. - 特許庁

高調波吸収領域１１を光学材料基板の入射端面近傍に設け、非高調波吸収領域１２と高調波吸収領域の導波路内を伝搬する基本波の導波モードサイズを一致させることで、基本波の導波損失を低減し、高効率な光導波路型波長変換デバイスを実現した。例文帳に追加

A higher harmonic absorption area 11 is provided nearby the incidence end surface of an optical material substrate and a non-higher harmonic absorption area 12 and a basic wave propagated in a waveguide in the higher harmonic absorption area are made to have the same waveguide mode size to reduce the waveguide loss of the basic wave, thereby actualizing the optical waveguide type wavelength conversion device having high efficiently. - 特許庁

半導体基板上に形成された光導波路と、これを囲むように形成された光吸収領域と、この光吸収領域の上部に形成された第１の電極と、前記光吸収領域の下部または両側部に形成された第２の電極と、を備えることを特徴とする導波路型光検出装置。例文帳に追加

The waveguide type light detecting device includes an optical waveguide formed on a semiconductor substrate, a light absorbing region formed to encircle it, a first electrode formed on the upper part of the light absorbing region, and second electrodes formed on the lower part of the light absorbing region or on both sides thereof. - 特許庁

アモルファスシリコンの吸収領域より長波長側の光を効果的に散乱させるなどして、光電変換装置の変換効率を向上させる。例文帳に追加

To improve the conversion efficiency of a photoelectric converter by effectively scattering light whose wavelength is longer than an absorption region of amorphous silicon. - 特許庁

本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。例文帳に追加

High purity molybdenum oxide is used for a light emitting area or an absorption area of a semiconductor optical device. - 特許庁

光増幅領域３および可飽和吸収領域４は、半導体レーザが双安定状態を満足する条件において作製されている。例文帳に追加

The region 3 and the region 4 are manufactured under conditions in which the semiconductor laser satisfies a bistable state. - 特許庁

活性層２は、ＩｎＧａＡｓＰから構成される量子井戸構造を有し、可飽和吸収領域４と、光増幅領域５，６とを含む。例文帳に追加

An active layer 2 has a quantum well structure constituted of InGaAsP, and includes a saturable absorption region 4, and optical amplification regions 5, 6. - 特許庁

可飽和吸収領域１５のレーザストライプ１１の幅を利得領域１４のレーザストライプ１１の幅に比べて大きくする。例文帳に追加

The width of the laser stripe 11 in the saturable absorption region 15 is made larger than the width of the laser stripe 11 in the gain region 14. - 特許庁

ペット用排泄物吸収シート１は吸収体１２を有する長方形の吸収領域２を有している。例文帳に追加

This excrement-absorbing sheet 1 for the pet has a rectangular absorption region 2 having an absorber 12. - 特許庁

光デバイス１０はさらに、基板２１上に設けられ、コア１４から漏れ出た光を吸収する光吸収領域１８を含む。例文帳に追加

The optical device 10 further includes a light absorber layer 18, provided on the substrate 21, which absorbs light leaked from the core 14. - 特許庁

この光導波路１０は、可飽和吸収領域１１と光利得領域１２と分布ブラッグ反射領域１３とを含む。例文帳に追加

The optical waveguide 10 includes a saturable absorption region 11, an optical gain region 12 and a distributed Bragg reflector region 13. - 特許庁

利得領域１４および可飽和吸収領域１５の上にそれぞれ電極１６、１７を互いに分離して設ける。例文帳に追加

Electrodes 16 and 17 are provided separately from each other on the gain region 14 and saturable absorption region 15 respectively. - 特許庁

多電極半導体レーザ素子は、利得領域20と可飽和吸収領域10とが直列に配置された多電極半導体レーザ素子である。例文帳に追加

The multielectrode semiconductor laser element consists of a gain region 20 and a saturable absorber region 10, which are arranged in series. - 特許庁

レーザストライプ１１は共振器長方向に利得領域１４および可飽和吸収領域１５を有する。例文帳に追加

The laser stripe 11 has a gain region 14 and a saturable absorption region 15 in the resonator length direction. - 特許庁

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。例文帳に追加

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure. - 特許庁

本願発明の光検出器は、対応する電子正孔対を作成するために個々の入射光子を吸収する光吸収領域（１）を有する。例文帳に追加

A photodetector has a light absorbing region (1), in which individual incident photon is absorbed for dealing with corresponding electron-hole pairs. - 特許庁

半導体レーザ素子は、共振器方向において活性層が光増幅領域３と可飽和吸収領域４との２つに分割されている。例文帳に追加

In a semiconductor laser element, an active layer is divided into two of an optical amplifying region 3 and a saturable absorption region 4 in the resonator direction. - 特許庁

可飽和吸収領域４には、ｐ電極１０を介して、光増幅領域５，６とは独立に電圧が印加される。例文帳に追加

A voltage is applied via a p electrode 10 to the saturable absorption region 4 independently from the optical amplification regions 5, 6. - 特許庁

そのシャフト51が衝撃吸収領域42ａを押し拡げコラム側部材22が塑性変形することで衝撃が吸収される。例文帳に追加

The shaft 51 expands the impact absorbing range 42a by pushing, and the column side member 22 is plastically deformed, thereby absorbing impact. - 特許庁

ペット用排泄物吸収シート１は吸収体１２を有する長方形の吸収領域２を有している。例文帳に追加

The excrement-absorbing sheet 1 for pets includes a rectangular absorption region 2 having an absorber 12. - 特許庁

更に、光吸収領域２では、幅方向における熱伝導率が厚さ方向における熱伝導率よりも大きくなっている。例文帳に追加

Further, the heat conductivity in the width direction of the light absorbing region 2 is set larger than that in the thickness direction thereof. - 特許庁

バイアス電圧供給部は、可飽和吸収領域で発生するフォトカレントを電気クロック信号として取り出す。例文帳に追加

The bias voltage supply section extracts a photocurrent to be generated in the saturable absorbing region as an electric clock signal. - 特許庁

活性層１０３における電流ブロック層１０５の直下の領域に可飽和吸収領域が形成されている。例文帳に追加

The excessive saturation absorbing region is formed just under the current block layer 105 in the active layer 103. - 特許庁

２本の線欠陥光導波路１および２と可飽和吸収領域６とによって方向性結合器が構成される。例文帳に追加

A directional coupler is constructed with two line defect optical waveguides 1 and 2 and a saturable absorption region 6. - 特許庁

表示素子１０は、互いに異なる領域に設けられた微細凹凸領域１１と、光吸収領域１２とを含んで構成されている。例文帳に追加

The display element 10 is constituted by including a fine uneven region 11 and a light absorption region 12 respectively provided in a different region. - 特許庁

また溝部４に流れ出た排泄液が主吸収領域Ｓの表面シート５や防漏壁６Ａ側に逆流することがない。例文帳に追加

The excretion liquid flowing out to the groove part 4 is kept from flowing backward to a surface sheet 5 of the main absorbing area S and the leakage preventing wall 6A. - 特許庁

また、可飽和吸収領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている。例文帳に追加

Further, the saturable absorption region consists of a uniform multiple quantum well structure where the quantum energy levels of the each well layer are equal to each other. - 特許庁

可飽和吸収領域４には、ｐ電極１０を介して、光増幅領域５，６とは独立に電圧が印加される。例文帳に追加

A voltage is applied to the supersaturation absorbing region 4 via a p-electrode 10 independently from the optical amplifier regions 5, 6. - 特許庁

少なくとも可飽和吸収領域２Ｂの長手延在方向に磁性半導体層６が添設されてなることを特徴とする。例文帳に追加

A magnetic semiconductor layer 6 is additively arranged in at least the longitudinally stretching direction of a saturable absorption region 2B. - 特許庁