「"silicone oxide"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING SILICONE OXIDE FILM WITH SPIN-ON GLASS例文帳に追加

スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法 - 特許庁

A width W1 of the silicone oxide film 8 of a gate length direction is larger than a film thickness T1 of the silicone oxide film 6.例文帳に追加

ゲート長方向に関するシリコン酸化膜８の幅Ｗ１は、シリコン酸化膜６の膜厚Ｔ１よりも大きい。 - 特許庁

A silicon layer 9 is formed on the silicone oxide films 7 and 8.例文帳に追加

シリコン酸化膜７および８上には、シリコン層９が形成されている。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF SILICONE OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

シリコン酸化膜の評価方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

On the silicone oxide film 6, a gate electrode 7 composed of polysilicon is partially formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜６上には、ポリシリコンから成るゲート電極７が部分的に形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF TREATING SURFACE OF SILICONE NITRIDE FILM OR SILICONE OXIDE FILM例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜の表面処理方法 - 特許庁

On a top surface of a silicon layer 3, a silicone oxide film 6 is partially formed.例文帳に追加

シリコン層３の上面上には、シリコン酸化膜６が部分的に形成されている。 - 特許庁

Next, the oil repellent coating film layer is formed on a surface of the silicone oxide layer (Step S16).例文帳に追加

次に酸化シリコーン層の表面に撥油性を有する被膜層を成層する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicone oxide film on a plurality of wafers.例文帳に追加

複数のウェーハ上にシリコン酸化膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

SPIN-ON GLASS COMPOSITE AND METHOD OF FORMING SILICONE OXIDE FILM USING THE SAME例文帳に追加

スピンオンガラス組成物及びこれを用いたシリコン酸化膜形成方法 - 特許庁

To provide a method of patterning a silicone oxide film simply and inexpensively.例文帳に追加

シリコン酸化膜を、簡便で低コストに、パターニングする方法を提供する。 - 特許庁

The coating film layer is uniformly and densely brought into close contact with an OH group possessed by silicone oxide of the member surface.例文帳に追加

部材表面の酸化シリコーンが有するＯＨ基に被膜層が一様に緻密に密着する。 - 特許庁

Then, on the surface of the semiconductor substrate 1, a laminated film composed of a first silicone oxide film 6, a silicone nitride film 7 and a second silicone oxide film 8 is formed.例文帳に追加

次に、半導体基板１表面に、第1のシリコン酸化膜６、シリコン窒化膜７および第２のシリコン酸化膜８から成る積層膜を形成する。 - 特許庁

Next, the polycrystalline silicone film 14 is ground by the CMP technique to flatten the upper surface of the silicone oxide film 12 while utilizing the silicone oxide film 12 as a stopper and a membrane 20 is formed on the flattened surface.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜１２をストッパとして、多結晶シリコン膜１４をＣＭＰ法にて研磨して酸化シリコン膜１２の上面を平坦面とし、その上にメンブレン２０を形成する。 - 特許庁

A volatile organic compound-decomposition membrane 2 is formed by forming a titanium oxide(TiO2) surface layer on a silicone oxide(SiO2) ground membrane or forming a titanium oxide(TiO2) surface layer on a silicone oxide(SiO2) ground membrane via niobium oxide(Nb2O5).例文帳に追加

揮発性有機化合物分解膜２は、酸化珪素（ＳiＯ_2）下地膜の上に酸化チタン（ＴiＯ_2）表層を形成するか、或いは酸化珪素（ＳiＯ_2）下地膜の上に酸化ニオブ（Ｎb_2Ｏ_5）を介して酸化チタン（ＴiＯ_2）表層を形成する。 - 特許庁

A part of the silicone oxide film 6 which exists below the gate electrode 7 functions as a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極７の下方に存在する部分のシリコン酸化膜６は、ゲート絶縁膜として機能する。 - 特許庁

The silicon oxide layer 53 is removed by supplying hydrofluoric acid to the silicone oxide layer 53 via the trench.例文帳に追加

フッ酸を上記トレンチを介して、シリコン酸化層５３に供給することにより、シリコン酸化層５３を除去する。 - 特許庁

The top layer covers both the embedded layer and the extended drain area and the top layer is covered with a silicone oxide film layer.例文帳に追加

該頂上層は、該埋設層と延在ドレイン領域の両方を覆い、それ自身シリコン酸化膜層により覆われる。 - 特許庁

A source/drain region is formed on both sides of the Y direction of a laminated gate electrode 6 and on the upper side of the silicone oxide film 8.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域が積層ゲート電極６のＹ方向両脇で且つシリコン酸化膜８の上側に形成されている。 - 特許庁

On a side surface of the gate electrode 7, a silicon nitride film 9 is formed with a silicone oxide film 8 sandwiched between them.例文帳に追加

ゲート電極７の側面には、シリコン酸化膜８を挟んで、シリコン窒化膜９が形成されている。 - 特許庁

For instance, a wiring pattern groove 13 is formed on the surface of a silicone oxide film 12 provided on a semiconductor board 11.例文帳に追加

たとえば、半導体基板１１上に設けられた酸化シリコン膜１２の表面に、配線パターン溝１３を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the silicone oxide film 12 is etched through etching holes 28, 29 formed on the membrane 20 whereby the cavity section 13 is formed.例文帳に追加

続いて、メンブレン２０に形成したエッチングホール２８、２９を介して酸化シリコン膜１２をエッチングすることにより空洞部１３を形成する。 - 特許庁

This composition for abrading a magnetic disk substrate comprises water, silicone oxide, an antigelling agent, aluminum nitrate and hydrogen peroxide.例文帳に追加

水、酸化ケイ素、ゲル化防止剤、硝酸アルミニウム及び過酸化水素からなる磁気ディスク基板研磨用組成物。 - 特許庁

An ozone TEOS method is used to make a third silicon oxide film 17 grow, to embed the sidewall 13a and the first silicone oxide film 12.例文帳に追加

オゾンＴＥＯＳ法を用いて、側壁部１３ａおよび第１の酸化シリコン膜１２を埋設すべく、第３の酸化シリコン膜１７を成長させる。 - 特許庁

A silicone oxide film pattern is formed on the surface of the silicon substrate 20, and etching is performed with the silicon oxide film pattern as a mask by a KOH solution.例文帳に追加

そのシリコン基板２０表面にシリコン酸化膜パターンを形成し、それをマスクとしてＫＯＨ溶液によりエッチングを行う。 - 特許庁

The insulating layer 9 is composed of a first insulating film 9a comprising a silicone oxide film patterned so as to spread over a strong electric field drift layer 6 and an element isolation layer 3b, and a second insulating film 9b comprising a silicone oxide film patterned so as to cover the converging electrode 8 on the first insulating film 9a and the first insulating film 9a.例文帳に追加

絶縁層９は、強電界ドリフト層６上と素子分離層３ｂ上とに跨ってパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜９ａと、第１の絶縁膜９ａと第１の絶縁膜９ａ上の収束電極８とを覆うようにパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜９ｂとで構成されている。 - 特許庁

To provide a combustion appliance capable of reducing defect of unnecessary ventilation alarm and ventilation fire-extinction due to adhesion of silicone oxide to an electrode for flame detection and a burner.例文帳に追加

フレーム検出用電極やバーナーにシリコン酸化物が付着したことによって不必要に換気警告や換気消火が行われる不具合を低減することができる燃焼機器を提供する。 - 特許庁

ANTIBACTERIAL TOOTHBRUSH WHICH HAS BRISTLES EVENLY IMPREGNATED WITH NANOMETER-SIZED ANTIBACTERIAL METAL PARTICLE WHICH ARE COATED WITH SILICONE OXIDE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

歯ブラシの毛にシリコン酸化物によりコーティングされたナノメータサイズの抗菌性金属粒子が均一に含浸された抗菌性歯ブラシ及びその製造方法 - 特許庁

The material capable of doping-dedoping the lithium is one or more kinds of materials selected from iron oxide, tin, tin oxide and silicone oxide.例文帳に追加

前記リチウムをドープ・脱ドープすることのできる材料が、酸化鉄、錫、酸化錫および酸化珪素から選ばれる１種以上の材料である前記の電極。 - 特許庁

To provide a microfabrication processing agent capable of selectively microfabricating a high permittivity film only and a microfabrication processing method using the same when a substrate is microfabricated where the high permittivity film and a silicone oxide film are laminated.例文帳に追加

高誘電率膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する際に、高誘電率膜のみを選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。 - 特許庁

A pad structure is formed by inserting a Cr film which has excellent adhesive strength with a Ti film formed on silicon or a silicone oxide film or a Ti compound film and an Ni film (or Cu film) where solder is connected.例文帳に追加

シリコン、シリコン酸化膜上に形成されるＴｉ膜またはＴｉ化合物膜と、はんだが接続されるＮｉ膜（またはＣｕ膜）との間に、両者との密着性が良好なＣｒ膜を挿入したパッド構造とする。 - 特許庁

Particles to constitute a negative electrode active material have silicon 1 and transition metals 2 which are used as nuclei, contain silicone oxide 3 at surroundings, and are covered by carbon 4 at its surroundings to be integrated.例文帳に追加

負極活物質を構成する粒子が、ケイ素１と、遷移金属２を核とし、周辺にケイ素酸化物３を含有し、さらにその周辺に炭素４で被覆され、一体化している。 - 特許庁

A powder containing a silicone oxide, an inorganic compound containing a strontium and an activator is mixed in a mill 2 of a mixer 1 together with a ball 7 by swaying and rotating the mill 2.例文帳に追加

酸化ケイ素と、ストロンチウムを含む無機化合物と、付活剤と、を含む粉体を、ボール７とともに、ミキサー１のミル２内で、ミル２を揺動回転させることにより混合する。 - 特許庁

Further, subsequent to a second insulating film depositing step for forming an interlayer insulating film 41 composed of the silicone oxide film, a second insulating film hydrogen introducing step for introducing the hydrogen into the interlayer insulating film 41 is performed.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

Then, an oxygen gas is introduced instead of the nitrogen gas, bias is applied to the target further, and a silicone oxide film which is the end face protective film of low reflectivity is formed on the cleavage plane.例文帳に追加

続けて、窒素ガスに換えて酸素ガスを導入し、さらにターゲットにバイアスを印加してへき開面上に低反射率の端面保護膜であるシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

This prevents decrease in Vth caused by a charge trap phenomenon and prevent variation in Vth generated by the elongation of a bird's beak length generated by the silicone oxide film 6c.例文帳に追加

このため、チャージトラップ現象によるＶｔｈの減少を防止できると共に、シリコン酸化膜６ｃによるバーズビーク長が長くなることによるＶｔｈの変動を防止することが可能となる。 - 特許庁

A coating film of a gas barrier composition containing an ethylene/vinyl copolymer (a) and a compound (b) represented by the general formula: R^1mM(OR^2)n is laminated on the silicone oxide film.例文帳に追加

酸化珪素膜の上に（ａ）エチレン・ビニル共重合体、並びに（ｂ）一般式：Ｒ^1ｍＭ（ＯＲ^2）ｎで表される化合物を含有するガスバリアコーティング組成物の塗膜が積層されている。 - 特許庁

A silicone oxide film 6c being a two layer structure film is formed by forming a thermally-oxidized film on the front surface of a silicone nitride film 6b and then forming a CVD oxide film on the thermally-oxidized film.例文帳に追加

シリコン窒化膜６ｂの表面に熱酸化膜を形成したのち、この熱酸化膜の上にＣＶＤ酸化膜を形成することで、二層構造膜のシリコン酸化膜６ｃとする。 - 特許庁

The thickness of the silicon oxide film 6c is obtained by allowing the silicone oxide film 6c to be the two layer structure film of the thermally-oxidized film and the CVD oxide film.例文帳に追加

このように、シリコン酸化膜６ｃを熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜の二層構造膜とすることで、シリコン酸化膜６ｃの厚さを稼ぐことができる。 - 特許庁

On a transparent substrate 21 on which a gate electrode 22 is arranged, a silicone nitride film 23 and a silicone oxide film 24 becoming the gate insulating films are laminated, and a polycrystal silicone film 25 as a semiconductor film becoming active area is laminated in addition.例文帳に追加

ゲート電極２２が配置された透明基板２１上に、ゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜２３及び酸化シリコン膜２４が積層され、さらに、活性領域となる半導体膜としての多結晶シリコン膜２５が積層される。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

After this, a silicone oxide film 7 is formed on the conductive film 5 by plasma oxidation treatment under a low temperature state within a temperature range of not less than 400°C and not more than 600°C.例文帳に追加

その後、４００℃以上６００℃以下の温度範囲内の低温条件下でプラズマ酸化処理によって導電膜５上にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

The ceramics 3 is formed by coating the periphery of the outlet pipe 2 with a liquid, which is obtained by mixing the compound of silicone oxide and aluminum oxide with water, and drying it and laminating it.例文帳に追加

セラミック３は、酸化ケイ素と酸化アルミニウムの化合物と水とを混合した液体状のものを、出口配管２の外周に塗布して乾燥させ積層する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the fuel injection valve having the injection hole for injecting fuel, a silicone oxide layer is formed on a member surface of the injection side opening end of the injection hole (Step S14).例文帳に追加

燃料を噴射する噴射孔を有する燃料噴射弁を製造する方法において、噴射孔の噴射側開口端の部材表面に酸化シリコーン層を成層する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

Ultrahigh operating speeds can be achieved with segmented abrasive grinding wheels having segments formed from vitreous or resin bonded particles of aluminum oxide, silicone oxide, iron oxide, molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten carbide, silicon carbide and the like.例文帳に追加

超高速操作速度は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化鉄、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、炭化ケイ素などのビトレアスもしくはレジン結合された粒子から形成されたセグメントを有するセグメント研削砥石で達成される。 - 特許庁