「いづらい」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。例文帳に追加

The intermediate layer is constituted of AlGaN and the AlGaN grows over the entire area of a main surface 14a including an area with contaminating materials sticking thereto. - 特許庁

中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。例文帳に追加

The intermediate layer 24 is formed of AlGaN which grows on the whole region of a principal surface 14a including a region to which contaminants adhere. - 特許庁

銅層１６は、金属板１２において樹脂絶縁層２１，２２が存在する側の主面１３，１４上に形成される。例文帳に追加

The copper layers 16 are formed on the main surfaces 13 and 14 of the metal plate 12 where the resin insulating layers 21 and 22 are located. - 特許庁

樹脂シート２０は、通気性を有し、基台１０の第１の主面１０ａに対向するように配置されている。例文帳に追加

The resin sheet 20 has air permeability and is arranged to oppositely face the first major plane 10a of the base 10. - 特許庁

このリブ１２は、所定パターンで主面１０ａ上に形成されており、凹部領域１１を区画している。例文帳に追加

The ribs 12 are formed on the principal surface 10a in a predetermined pattern, and delimit the recessed area 11. - 特許庁

コア材１１のコア第２主面１３上には、第２ビア穴６６が形成されたコア第２主面側絶縁層３４が配置される。例文帳に追加

A core second main surface side insulating layer 34 having a second via hole 66 formed thereon is arranged on a second main surface 13 of the core material 11. - 特許庁

ガス発生層２０は、基板１０の第１の主面１０ａに、開口１４ａを覆うように配置されている。例文帳に追加

The gas generation layer 20 is located on the first major surface 10a of the substrate 10 so as to cover an opening 14a. - 特許庁

ガラス基板１１の主面１１ａ上には、導電性可動部である感圧ダイヤフラム１７ａを有するシリコン基板１７が接合されている。例文帳に追加

On the principal surface 11a of the glass substrate 11 the silicon substrate 17 provided with the pressure sensitive diaphragm 17a of conductive moving part is connected. - 特許庁

ＳｉＣ基板１０１は、｛０００１｝面に対して３０°以上６０°以下傾斜した主面１０１ａを有する。例文帳に追加

The SiC substrate 101 has a major surface 101a inclined toward a {0001} surface forming an angle of 30-60°. - 特許庁

コーナープロテクタ１５の当て面１５ａに接着層１７を形成し、前記当て面１５ａの逆面１５ｂに離型層１８を形成する。例文帳に追加

An adhesive layer 17 is formed at a fitting face 15a of a corner protector 15, and a release layer 18 is formed at a face 15b at the reverse side of the fitting face 15a. - 特許庁

シリコン基板１５とガラス基板１１の主面１１ａとの間には、放電促進領域を含む放電促進空間１７が設けられている。例文帳に追加

Between the silicon substrate 15 and the principal surface 11a of the glass substrate 11, the discharge promoting space 17 including discharge promotion region is provided. - 特許庁

本発明の光学フィルム１は、透光性基材１０と、透光性基材１０の一方の主面１０ａに第１プラマー層１１を介して配置されたハードコート層１２と、他方の主面１０ｂに第２プラマー層１３を介して配置された近赤外線吸収層１４とを備えている。例文帳に追加

The optical film 1 comprises a light translucent base material 10, a hard coat layer 12 arranged via a first primer layer 11 on one main surface 10a of the light translucent base material 10, and an IR ray absorption layer 14 arranged via a second primer layer 13 on the other main surface 10b. - 特許庁

金属電極１１，３１は、第１主面１１７側に形成された第１主面側金属層１２１、及び、第２主面１１８側に形成された第２主面側金属層１２２を、連通部１１２において接合した構造となっている。例文帳に追加

The metal electrodes 11 and 31 have such a structure that a first principal plane-side metal layer 121 formed on the first principal plane 117 side and a second principal plane-side metal layer 122 formed on the second principal plane 118 side are joined by the communicating portion 112. - 特許庁

本発明の光学フィルム１は、透光性基材１０と、透光性基材１０の一方の主面１０ａに第１プラマー層１１を介して配置されたハードコート層１２と、他方の主面１０ｂに第２プラマー層１３を介して配置された近赤外線吸収層１４とを備えている。例文帳に追加

The optical film 1 comprises a translucent base material 10, a hard coating layer 12 arranged via a first primer layer 11 on one main face 10e of the translucent base material 10, and a near IR absorption layer 14 arranged via a second primer layer 13 on the other main face 10b. - 特許庁

マイクロヒータ１は、一対の主面１１ａ，１１ｂを有するガラス基板１１と、このガラス基板１１の一対の主面１１ａ，１１ｂで露出するように埋め込まれた断面略Ｕ字形状のシリコン部材１２とから主に構成されている。例文帳に追加

This micro-heater 1 is mainly composed of: a glass substrate 11 having a pair of principal surfaces 11a and 11b; and a cross-sectionally nearly-U-shaped silicon member 12 embedded to be exposed from the pair of principal surfaces 11a and 11b of the glass substrate 11. - 特許庁

トランジスタを形成するための半導体基板（１０）は、主面（１１ａ）を持つシリコン基板（１１）と、このシリコン基板（１１）の主面（１１ａ）上に形成された歪緩和ＳｉＧｅ層（１２）と、この歪緩和ＳｉＧｅ層（１２）上に形成された歪Ｓｉ層（１３）と、を含む。例文帳に追加

A semiconductor substrate (10) for forming a transistor comprises: a silicon substrate (11) including a main surface (11a); a strain-relaxed SiGe layer (12) formed on the main surface (11a) of the silicon substrate (11); and a strained Si layer (13) formed on the strain-relaxed SiGe layer (12). - 特許庁

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。例文帳に追加

On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b. - 特許庁

ソース電極１７およびショットキゲート電極１９は、窒化ガリウム系半導体領域１５の主面１５ａ上に設けられている。例文帳に追加

A source electrode 17 and a Schottky gate electrode 19 are provided on the main surface 15a of the gallium nitride semiconductor region 15. - 特許庁

半導体チップ１の主面１ｂに、紫外線熱硬化型の接着剤３ａ，３ｂにより、リード８，支持バー１５がそれぞれ固着されている。例文帳に追加

Leads 8 and a supporting bar 15 are fixed to the main face 1b of a semiconductor chip 1 with ultraviolet thermosetting adhesive 3a and 3b. - 特許庁

半導体基板１５は、第１の主面１０ａ側の面に、第１の方向ｙに沿って延びる複数の線状溝１６を有する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 15 includes a plurality of linear grooves 16 extending along a first direction y on the surface at the first principal surface 10a side. - 特許庁

主面１００は、ケーブル案内溝１１０と、第１の端面１２０と、第２の端面１３０とを含む。例文帳に追加

The main surface 100 includes a cable guide groove 110, a first end face 120 and a second end face 130. - 特許庁

なお、前記主面１１とは、円板形状における直径方向を含む環状の平面（ＹＺ平面）をいう。例文帳に追加

The main plane 11 means an annular plane (YZ-plane) including the diameter of the disk shape. - 特許庁

ソルダーレジスト２２は、電極１４の全体及び引き出し導体１８の一部を覆うように、主面１２ａに配置されている。例文帳に追加

The solder resist 22 is arranged on the main surface 12a so that the entire electrode 14 and the partial extraction conductor 18 are covered. - 特許庁

ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１５ａを有するシリコン基板１５が接合されている。例文帳に追加

A silicon substrate 15, having a pressure-sensitive diaphragm 15a, is jointed to the main face 11b of the glass substrate 11. - 特許庁

半導体チップ１４とダミーチップ１６とは、主面１２ａ，１２ｂの対向方向から見たときに重なり合っている。例文帳に追加

The semiconductor chip 14 and the dummy chip 16 overlap with each other as seen from the opposite direction of the main surfaces 12a, 12b. - 特許庁

絶縁基板１０の主面１０Ｕ上にはスペーサ１２ａ、１２ｂを挟んで制御電極１３が配設されている。例文帳に追加

A control electrode 13 is arranged on a main surface 10U of the insulating substrate 10 by sandwiching spacers 12a and 12b. - 特許庁

主面１１ｂ上には、島状体１２ａと電気的に接続するように電極１４が形成されている。例文帳に追加

On a principal plane 11b, an electrode 14 is formed so as to be electrically connected to the island-shaped body 12a. - 特許庁

磁気ディスク１の主面１はケイ酸塩ガラス基材であり、中央部に同じ材質の軸２が一体に設けられている。例文帳に追加

The main surface 1 of the magnetic disk 1 is a silicate glass substrate, and the shaft 2 of the same material is integrally disposed on the center thereof. - 特許庁

シリコン基板１の第２主面１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。例文帳に追加

The region with the irregular protrusions 10 formed on the second principal plane 1b of the silicon substrate 1 is optically exposed. - 特許庁

III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。例文帳に追加

In a group-III nitride semiconductor optical element 11a, a principal plane 13a of a semiconductor region 13 is nonpolar or semipolar. - 特許庁

第２積層部１０８，１０９は、コンデンサ主面１０２，１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分となる角部１５４，１５５を有する。例文帳に追加

The second laminated portions 108, 109 have corners 154, 155 as boundaries between the capacitor main surfaces 102, 103 and the capacitor side surface 106, respectively. - 特許庁

上記ｎ型ＧａＮ基板１０には、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３が形成されている。例文帳に追加

The n-type GaN substrate 10 has a dug region 3 formed from the principal growth plane 10a along a thickness direction. - 特許庁

ｎ型クラッド領域１５及びｐ型クラッド領域１７は支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。例文帳に追加

An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13. - 特許庁

そして、この下部クラッド層１２が、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａと接するように形成されている。例文帳に追加

The lower clad layer 12 is formed to contact the principal growth plane 10a of the GaN substrate 10. - 特許庁

マイクロ・ナノ構造体１０は、ベース部材１２と、ベース部材１２の主面１２ａに立設された複数の突起１４とを備える。例文帳に追加

This micro nano structure 10 is provided with a base member 12 and a plurality of protrusions 14 stood in the main surface 12a of the base member 12. - 特許庁

空間部１６ｃであって主面１１ｂ上の電極１４の外側には、導電性柱状体１５が設けられている。例文帳に追加

In a space part 16c, a conductive columnar body 15 is provided outside the electrode 14 on the principal plane 11b. - 特許庁

両主面１３，１４上には樹脂絶縁層２１，２２が形成され、それらの上には配線層３１，３２が形成される。例文帳に追加

On both main surfaces 13 and 14 of the plate 12, resin insulating layers 21 and 22 are respectively formed and wiring layers 31 and 32 are respectively formed on the layers 21 and 22. - 特許庁

圧力センサ素子１０は、円板状の形状で、主面１１がＸ面となるように形成されている。例文帳に追加

The pressure sensor element 10 is formed in a disk shape so that the main plane 11 is to be X-plane. - 特許庁

ＧａＮ基板１は、一方の主面１ａがＮ面により構成され、他方の主面がＧａ面により構成されている。例文帳に追加

The GaN substrate 1 has one major surface 1a composed of an N face and the other major surface composed of an Ga face. - 特許庁

次に、ウェーハ１０の裏面１０２は歪み１１を露出させ、主面１０１上に酸化を阻止する保護膜１２を形成する。例文帳に追加

A protection film 12 preventing oxidation is formed on the principal face 101 by exposing the deformation 11 in the rear face 102 of the wafer 10. - 特許庁

開口溝部４２を供給溝形成部材１１の主面１１ｆと交差する先端面に開口させる。例文帳に追加

An opening groove part 42 is opened in a fore end face across the main surface 11f of the feed groove forming member 11. - 特許庁

ガラス基板１１の主面１１ａ側の第１導電部材１２は、中央に向って深くなる凹部１２ａを有する。例文帳に追加

The first conductive member 12 on the main face 11a side of the glass substrate 11 has a recessed part 12a becoming deep toward the center. - 特許庁

基板本体１の他方の主面１ｂと支持基体６との間に第一の接着層７が設けられている。例文帳に追加

A first adhesive layer 7 is disposed between the other main surface 1b of the main body 1 and the supporting basic body 6. - 特許庁

ダイヤフラム１６ａの主面１６ａ_2に外圧力が加わると、その外圧力により変形してガラス基板１１側に変位する。例文帳に追加

When an external pressure is applied to a principal surface 16a_2 of a diaphragm 16a, it changes its shape owing to the external pressure and is displaced toward a glass substrate 11. - 特許庁

導光板１００の一方の主面１０４ａには、導光方向と直交する向きで溝１０１が形成されている。例文帳に追加

On the main surface 104a of the light guide plate 100, a groove 101 is formed orthogonally to the light guide direction. - 特許庁