「いづらい」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

外周部分に配列される各ボンディングパッド列中の各ボンディングパッド４は、前記主面１上の内周部分に配列されるボンディングパッド列の配列ピッチＰ１よりも大きな一定ピッチＰ２で配列される。例文帳に追加

The bonding pads 4 in each of the bonding pad lines arrayed in the outer peripheral portion are arrayed at fixed pitches P2 each larger than the array pitch P1 of the bonding pad lines arrayed in the inner peripheral portion on the principal surface 1. - 特許庁

半導体発光素子（４）から照射した光は、側面（１ｃ）から導光板（１）内に導入され、光反射性フィルム（６）で反射した後、導光板（１）の他方の主面（１ｂ）側から放出されて蛍光カバー（８）内に向けられる。例文帳に追加

The light irradiated from a semiconductor light emitting element 4 is guided from a side surface 1c to the light guide plate 1, and reflected on the reflective film 6, and then released from the other main surface 1b side of the light guide plate 1 before being directed into the fluorescent cover 8. - 特許庁

電子走行層８とｎ型電子供給層９とを含む主半導体領域１の第１の主面１１上にソース電極３とドレイン電極４とゲート電極５とを設けると共にｎ型の有機半導体膜６を設ける。例文帳に追加

On a first principal plane 11 of a main semiconductor region 1 including an electron running layer 8 and n-type electron supply layer 9, a source electrode 3, a drain electrode 4, and a gate electrode 5 are prepared, and an n-type organic semiconductor film 6 is prepared as well. - 特許庁

配線基板１は、その主面１ＡでＩＣチップの接続端子とハンダ接続させる主面側接続端子３３と、裏面１Ｂでマザーボードの接続端子と機械的に接触接続させる裏面側接続端子４１とを備える。例文帳に追加

The wiring board 1 is provided with a principal plane-side connection terminal to be soldered to connection terminals of an IC chip on a principal plane 1A, and a rear face-side connection terminal 41 to be mechanically brought into contact with connection terminals of a mother board on a rear face 1B. - 特許庁

新設金属屋根材６の主面板部１２を所定勾配に受止め支持する山形部、及び固定片を有する吊子３０が、新設軒先唐草８の屋根載置部２４に固定片を重ね合せて止め具２９により固定される。例文帳に追加

A hanging element 30 having an angle part receiving and supporting the main face plate part 12 of the newly formed metallic roof material 6 with a predetermined slope and a fixing piece is fixed by superposing the fixing piece on a roof mounting part 24 of a newly formed eaves arabesque 8 and driving a fastener 29 into the superposed part. - 特許庁

基板洗浄ブラシ１０ａは、基板Ｗの端面８に押し当てられる端面洗浄面１５を含む端面洗浄部１６と、この端面洗浄部１６に結合され、基板Ｗの主面１７の周縁部９に押し当てられる周縁洗浄面１８を含む周縁洗浄部１９とを備える。例文帳に追加

The board cleaning brush 10a comprises an end face cleaner 16 including an end face cleaning face 15 abutting on the end face 8 of a board W, and a circumference cleaner 19 which is connected to the end face cleaner 16 and includes a circumference cleaning face 18 abutting on the circumference 9 of the main face 17 of the board W. - 特許庁

この導光板１０は、例えば、液晶表示装置に設置された際に、平坦面である主面１０ａが液晶表示装置の外表面を兼ねる構造、すなわち導光板の平坦面が外界に露出する構造で使用される。例文帳に追加

The light guide plate 10 is used, when installed in a liquid crystal display device for instance, in a structure where the principal surface 10a being the flat surface doubles as the outside surface of the liquid crystal display device, that is, a structure where the flat surface of the light guide plate is exposed to the outside world. - 特許庁

Ｎ型層５は、シリコン基板の主面１Ｓ３の全面に対して、例えば４．５ＭｅＶの加速エネルギー及び５×１０^12ｃｍ^-2のドーズ量で以てプロトンが照射された後に、シリコン基板に例えば３５０°Ｃの温度で熱処理を施すことにより形成される。例文帳に追加

The N type layer 5 is formed by irradiating protons on an entire major surface 153 of the silicon substrate, for example, with an acceleration energy of 5MeV and a doze amount of 5×1012 cm2 and then by subjecting the substrate to heat treatment with a temperature of, e.g. 350°C. - 特許庁

一対の主面１１ａ，１１ｂを有する積層体１１を準備する工程と、第１及び第２の成形型１３，１４を準備する工程と、第１の成形型１３と第２の成形型１４との間に積層体１１を配置したのち、第１の成形型１３のみを移動させることにより積層体１１をプレスする工程と、を含む。例文帳に追加

The method includes a step of preparing the laminate 11 having a pair of main surfaces 11a and 11b, a step of preparing first and second forming dies 13 and 14, and a step of pressing the laminate 11 by moving only the first forming die 13 after arranging the laminate 11 between the first forming die 13 and the second forming die 14. - 特許庁

その後、移動機構によって上板１２０を回転させて、固体電解質体１１を一方向に傾斜させると共に、その状態でガイド板１１４の他主面１１４ｂに向けて移動して、固体電解質体１１の１つ目の稜部（第１稜部１０６ａ）をガイド板１１４の貫通孔１１２から突出させる。例文帳に追加

Then, the solid electrolyte 11 is inclined in one direction by rotating the upper plate 120 by a movement mechanism and, in this state, moved toward the other main surface 114b of the guide plate 114, thereby protruding a first ridge part (first ridge part 106a) of the solid electrolyte 11 from the through hole 112 of the guide plate 114. - 特許庁

その後、移動機構によって上板１２０を回転させて、固体電解質体１１を一方向に傾斜させると共に、その状態でガイド板１１４の他主面１１４ｂに向けて移動して、固体電解質体１１の１つ目の稜部（第１稜部１０６ａ）をガイド板１１４の貫通孔１１２から突出させる。例文帳に追加

Thereafter, the upper plate 120 is rotated by a moving mechanism no only to incline the solid electrolyte material 11 in a direction but also to move the same toward the other main surface 114b of the guide plate 114 in this state to protrude the first ridge part (first ridge part 106a) of the solid electrolyte material 11 from the through-hole 112 of the guide plate 114. - 特許庁

本発明の非接触式データキャリア１は、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性材料により形成された磁性基材Ｊ１と、記憶回路及び通信制御回路が搭載されたＩＣチップＣと、磁性基材Ｊ１の一方の主面１９ａ上に形成されているとともにＩＣチップＣに電気的に接続されたアンテナコイルＡとを主に備える。例文帳に追加

A non-contact data carrier 1 of the present invention mainly includes: a magnetic substrate J1 formed from a magnetic material such as Ni-Zn ferrite; an IC chip C on which a storage circuit and a communication control circuit are packaged; and an antenna coil A formed on one principal surface 19a of the magnetic substrate J1 and electrically connected to the IC chip. - 特許庁

アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０^18ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。例文帳に追加

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C. - 特許庁

発光装置１において、導電性を有する第１のベース基板１１及び第２のベース基板１２と、それらの間に配設された絶縁体４１と、第１のベース基板１１の第１の主面１１Ａ上に配設された半導体発光機能層２と、半導体発光機能層２を被覆する透明性を有する封止体７とを備える。例文帳に追加

The light emitting device 1 includes a first conductive base substrate 11 and a second conductive base substrate 12, an insulator 41 arranged therebetween, a semiconductor light emitting function layer 2 arranged on a first main surface 11A of the first base substrate 11, and a transparent sealing body 7 for covering the semiconductor light emitting function layer 2. - 特許庁

隠蔽構造体８は、透光性の基材１３の第１主面１３ａ上に、第一の方向に平行な方向に延在し第二の方向に複数配列する第一のレンズ１４が配置され、さらに、第二の方向に平行な方向に延在し第一の方向に複数配列する第二のレンズ１５が配置される。例文帳に追加

In the shielding structure 8, a plurality of first lenses 14 extending in a direction parallel to the first direction and plurally arranged in the second direction are arranged on a first primary plane 13a of a light-transmitting substrate 13, and a plurality of second lenses 15 extending in a direction parallel to the second direction and plurally arranged in the first direction are arranged on the first primary plane 13a of the light-transmitting substrate 13. - 特許庁

窒化物系化合物半導体を有してなる半導体基板８と、半導体基板８の一方の主面１２に存在するピット又はクラックからなる凹形状部位である穴部１１と、半導体基板８の一方の主面に形成されている第１電極３と、穴部１１の凹形状部位に配置されている高抵抗層１０とを有することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 8 which is made to have a nitride series compound semiconductor, a hole 11 of a recessed part which is made of a pit or a crack which exists in one principal surface 12 of the semiconductor substrate 8, a first electrode 3 formed on the one principal surface of the semiconductor substrate 8, and a high resistive layer 10 arranged at the recessed part of the hole 11. - 特許庁

第１フレネルレンズ１０ｆが設けられた第１主面１０ａを有する第１光学シート１０を備え、第１主面における第１フレネルレンズの光軸１３ｏａが、第１主面の外形の中心（外形中心１３ｓ）とは異なる位置に配置されていることを特徴とする光学素子が提供される。例文帳に追加

In the optical element including a first optical sheet 10 having a first principal surface 10a on which a first Fresnel lens 10f is provided, an optical axis 13oa of the first Fresnel lens of the first principal surface is disposed in a position different from the center of an outer form (outer form center 13s) of the first principal surface. - 特許庁

焼成前の集合セラミック基板１１に対して第１の分割用溝１３を形成し、封止樹脂４の外側に向く主面１７上であって、第１の分割用溝１３の位置に対向する位置に、第２の分割用溝１９を形成し、集合電子部品１８を第１および第２の分割用溝１３，１９に沿って分割し、それによって、複数の電子部品１を得る。例文帳に追加

First dividing grooves 13 are cut in an aggregate ceramic board 11 which is not burned yet, second dividing grooves 19 are cut in the surface 17 coated with encapsulating resin 4 at positions corresponding to the first dividing grooves 13, and an aggregate electronic component 18 is divided along the dividing grooves 13 and 19 into a plurality of electronic components 1. - 特許庁

折り曲げ形成されて、角パイプの内周面のコーナーに対応するコーナー予定位置Ｐを起点とする長手方向における先後の一定範囲Ｈ１にわたり、平鋼からなる裏当金形成用部材１０１の一方の主面１１０ａで、その幅方向に横断する形の溝１２１を、複数、間隔をおいて形成した。例文帳に追加

In a preceding and succeeding specific region H1 in the longitudinal direction with a planned corner position P corresponding to the corner of the inner circumference of the square pipe as a starting point while being bent, a plurality of grooves 121 crossing in the width direction on one main surface 110a of a backing metal forming member 101 composed of flat steel bar are formed with spaces. - 特許庁

エミッタ電極１１は、第１および第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部３２の各々のエミッタ領域３と電気的に接続され、かつ第１および第２の安定化プレート５ｂの各々と電気的に接続され、かつ第１および第２の安定化プレート５ｂに挟まれる第１主面１Ａの全面上において絶縁層４ｂを介在して配置されている。例文帳に追加

An emitter electrode 11 is electrically connected with an emitter area 3 of each of the first and second insulated-gate field-effect transistor parts 32; is electrically connected with each of the first and second stabilization plates 5b; and is arranged, with an insulating layer 4b interposed, on the entire surface of the first principal surface 1A sandwiched between the first and second stabilization plates 5b. - 特許庁

配線基板１０１は、コア基板（基板本体）１０５と、その基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通する貫通孔からなる収容部１４１と、この収容部１４１内に内蔵されたＩＣチップＩＣ２と、このＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に固定する固定用樹脂１４７とを備える。例文帳に追加

The wiring substrate 101 is provided with a core substrate (main substrate) 105, a housing part 141 comprised of through-holes passing through the substrate's principal surface 105a to the substrate's reverse surface 105b, IC chips IC2 housed in the housing part 141, and a fixing resin 147 that fixes the IC chips IC2 within the housing part 141. - 特許庁

導体形成工程において、無電解銅めっき後に電解銅めっきを施すことにより、コア絶縁材１３のスルーホール用穴１６内全体が充填されてなるスルーホール導体１７が形成されるとともに、コア絶縁材１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上に導体層１９が形成される。例文帳に追加

In a conductor formation step, electrolytic copper plating is performed following to electroless copper plating and a through hole conductor 17 is formed by filling the through hole 16 of the core insulation material 13 entirely, and a conductor layer 19 is formed on the main surface 14 and the rear surface 15 of the core of the core insulation material 13. - 特許庁

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening. - 特許庁

ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。例文帳に追加

In the GaN-based semiconductor optical device 11a, the principal plane 13a of a template 13 tilts from a surface perpendicular to a reference axis Cx that extends along the c-axis of this first GaN-based semiconductor in the direction of the m-axis of the first GaN-based semiconductor with the tilt angle in the range of ≥63 degrees and less than 80 degrees. - 特許庁

厚み滑り振動を主振動とする圧電振動片１０において、主面１１の中央部を囲むように第１溝部１２，第２溝部１３を形成し、第１溝部１２，第２溝部１３における厚さを、振動片１０の中央部の厚さに対して９６％以下かつ７０％以上となるように構成する。例文帳に追加

A piezoelectric oscillating piece 10 having thickness slip oscillation as the main oscillation has a first groove 12 and a second groove 13 formed surrounding the center of a principal surface 11 and is so constituted that each thickness in the first and the second grooves 12 and 13 is 70-96% of the thickness in the center of the oscillating piece 10. - 特許庁

外部端子電極３の埋設部３ｂを被覆し、かつ、部品本体１０の第１主面１０ａに露出している被覆セラミック層２１を構成するセラミックとして、被覆セラミック層２１以外の部品本体を構成するセラミック層である基材セラミック層２２を構成するセラミックの組成とは異なる組成を有するものを用いる。例文帳に追加

As ceramic for covering buried portions 3b of an external terminal electrode 3 and also for constituting covering ceramic layers 21 exposed to a first principal plane 10a of a component body 10, one which has a different composition than that of ceramic constituting a substrate ceramic layer 22, or a ceramic layer which constitutes the component body other than the covering ceramic layers 21, is used. - 特許庁

強誘電体単結晶基板１の主面１Ａ上に、周期状に配列された複数の電極片２−１〜２−６を有する第１の電極２と、この第１の電極２に対向して位置するように第２の電極３Ａを配置し、裏面１Ｂ上に第１の電極２と対向するように第１の電極３Ｂを配置する。例文帳に追加

A first electrode 2 having a plurality of electrode pieces 2-1 to 2-6 that are periodically arranged and a second electrode 3A so as to be located opposite to the first electrode 2 are arranged on the principal plane 1A of a ferroelectric single crystal substrate 1, and a first electrode 3B is arranged on a rear plane 1B so as to face the first electrode 2. - 特許庁

本発明の多層配線基板の製造方法では、準備工程において、厚さが１００μｍ以下であるシート状のコア絶縁材１３が準備され、穴あけ工程において、コア絶縁材１３に対してレーザ穴加工が施されてコア主面１４及びコア裏面１５にて開口するスルーホール用穴１６が形成される。例文帳に追加

The method of manufacturing a multilayer wiring board includes a preparation step for preparing a sheet-like core insulation material 13 having a thickness of 100 μm or less, and a boring step for forming a through hole 16 opening to the main surface 14 and the rear surface 15 of the core by performing laser boring for the core insulation material 13. - 特許庁

半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。例文帳に追加

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 11 which has an integrated circuit on the side of a principal surface 11a, wiring 23 and an electrode 25 which are formed on an insulator film 14 covering a passivation film 13, a light-shielding sealing layer 26 covering other than the electrode 25, and a heat spreader 30 which is disposed on a rear surface 11b of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

また、放射電極１８は、基体１１の表主面１２に形成した主放射電極１９と、基体１１の側面１４，１５に形成した従放射電極２０，２１から構成して放射電極１８の面積を拡大し、主放射電極１９に於ける導体損失を低くしてアンテナ利得を高くする。例文帳に追加

The radiation electrode 18 is composed of a main radiation electrode 19, formed on a front main surface 12 of the base 11 and sub-radiation electrodes 20, 21 formed on the sides 14, 15 of the base 11 for expanding the area of the radiation electrode 18, thereby reducing the conductor loss of the main electrode 19 and increases the antenna gain. - 特許庁

両側側面に外部電極１０２を備えたチップ部品１０１であって、当該チップ部品１０１の少なくとも一主面１０４の前記外部電極１０２間に、常温又は加熱下で押圧により変形可能な樹脂層１０３を有し、前記樹脂層１０３の少なくとも最も厚さの大きい部分のが前記外部電極の縦方向の端部面１０６より突出しているチップ部品。例文帳に追加

The chip component 101 provided with external electrodes 102 located at both side faces has a resin layer 103 deformable through pressing at room temperature or under heating between the external electrodes 102 on at least one principal face 104 of the chip component 101, and at least the thickest part of the resin layer 103 is projected from end faces 106 of the external electrodes in the longitudinal direction. - 特許庁

半導体ウェハ１の主面１ａに、半導体素子の境界面に沿って溝部を形成する工程と、その溝部の形成後、電極２および境界線３を露出させた封止樹脂層が形成される工程と、境界線に沿って半導体ウェハのみダイシングする工程を少なくとも備えている。例文帳に追加

The method of manufacturing semiconductor device includes at least a step of forming groove sections on the main surface 1a of the semiconductor wafer 1 along the boundary faces of semiconductor elements, a step of forming the sealing resin layer, through which electrodes 2 and boundary lines 3 are exposed, after the groove sections are formed, and a step of only dicing the wafer 1 along the boundary lines 3. - 特許庁

音響スピーカー１０は、矩形状の平板からなる振動板１１と、振動板１１の一方の主面１１ａ上に設けられた補助板１２と、振動板１２に当接する出力ロッド１４を有し、音響信号に基づいて出力ロッド１４を駆動して振動板１１を振動させるアクチュエータとを備えている。例文帳に追加

The acoustic speaker 10 comprises a diaphragm 11 made of a rectangular flat plate, an auxiliary plate 12 provided on one main surface 11a of the diaphragm 11, and an actuator which comprises an output rod 14 abutting with the diaphragm 12 and drives the output rod 14 based on acoustic signals to oscillate the diaphragm 11. - 特許庁

ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。例文帳に追加

The semiconductor element includes a sapphire substrate 105 which has a principal surface 106 comprising a (c) plane, and also has a recessed portion 110a formed on the principal surface, a first buffer layer 110 which is provided on the principal surface of the sapphire substrate and made of crystalline AlN, and a semiconductor layer 190 which is provided on the first buffer layer and made of a nitride semiconductor. - 特許庁

こうして形成された第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４上には、それぞれソースおよび制御電極６、５が形成される一方、第１ダイヤモンド層１の他方主面１ｂ側には、ドレイン電極７が形成されており、ソースおよびドレイン電極６、７の間の電流は空間制限電流機構により流れる。例文帳に追加

Source and control electrodes 6 and 5 are respectively formed on the layer 3 and the film 4, which are formed in such a way, while a drain electrode 7 is formed on the side of the other main surface 1b of the layer 1 and a current between the source and drain electrodes 6 and 7 flows through a space limiting current mechanism. - 特許庁

この半導体レーザ素子（半導体素子）は、主面１０ｂの面内方向において熱膨張係数の異なる［１−１００］方向および［０００１］方向を含む半導体素子部１０と、主面４０ａの面内方向において熱膨張係数の異なる矢印Ｅ方向および矢印Ｆ方向を含むサブマウント４０とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor laser device (semiconductor device) includes the semiconductor device section 10 including a direction of [1-100] and a direction of [0001] having different thermal expansion coefficients within the in-plane direction of a main surface 10b, and a sub-mount 40 including an arrow E direction and an arrow F direction having different thermal expansion coefficients within the in-plane direction of the main surface 40a. - 特許庁

半導体レーザ素子１Ａは、非極性面を主面１１ａとするIII族窒化物基板１１と、III族窒化物基板１１上に設けられたＩｎを含む活性層２７と、活性層２７に沿って設けられ、一次元又は二次元において屈折率が周期的に変化する周期構造を含む回折格子層１７とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser device 1A includes: a group-III nitride substrate 11 whose main surface 11a is the nonpolarity surface; an active layer 27 with the In that is provided on the group-III nitride substrate 11; and a diffraction grating layer 17 that is provided along the active layer 27 and includes a periodic structure where a refractive index periodically varies in one- or two-dimension. - 特許庁

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1. - 特許庁

積層セラミックコンデンサ１０は、相対向する２つの端面２２ａ、２２ｂと、相対向する２つの側面２０ａ、２０ｂと、相対向する２つの主面１８ａ、１８ｂとを有する基体１４と、基体１４の端面２２ａ、２２ｂに形成される外部電極３６ａ、３６ｂとを含む積層セラミックコンデンサ本体１２を含む。例文帳に追加

The multilayer ceramic capacitor 10 comprises a basic body 14 having two end surfaces 22a and 22b facing each other, two side surfaces 20a and 20b facing each other, and two principal surfaces 18a and 18b facing each other, and a multilayer ceramic capacitor body 12 including external electrodes 36a and 36b formed on the end surfaces 22a and 22b of the basic body 14. - 特許庁

基板１と、この基板１の主面１ａ上に突出するリッジ型光導波路３とを備えている光導波路デバイスを製造する方法であって、前記光導波路デバイスが第二高調波発生デバイスで、前記リッジ形光導波路が擬似位相整合型の周期分極反転構造を有し、アブレーション加工法によって前記リッジ型光導波路を形成する。例文帳に追加

In a method for manufacturing an optical waveguide device equipped with a substrate 1 and the ridge type optical waveguide 3 projecting on the main surface 1a of the substrate 1, the optical waveguide device is a second higher harmonic generating device and the ridge type optical waveguide has a dummy phase matching type cyclic polarization inversion structure and is formed by an abrasion processing method. - 特許庁

半導体基板１を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、 前記半導体基板１の一つの主面１ｂに対して交差する半導体基板の側面１ａに膜２を設ける成膜工程と、 前記成膜工程の後で半導体基板１を薄く削る削工程とを具備する。例文帳に追加

The manufacturing method for a semiconductor device of thin thickness by cutting a semiconductor substrate 1 comprises a film formation process for forming a film 2 in a side surface 1a of a semiconductor substrate which intersects one principal surface 1b of the semiconductor substrate 1, and a cutting process for cutting the semiconductor substrate 1 thinly after the film formation process. - 特許庁

フィルタ主面に対する基準視線方向Ｑに沿う主面１１を備え、所定の方向に並列に配置されるとともに、印加電圧に応じた光吸収スペクトル特性を有する複数のクロミズム層１０と、互いに隣接するクロミズム層１０間のそれぞれに配置された複数の透明層２０と、を備える。例文帳に追加

The viewing angle control filter includes a main surface 11 along a reference line-of-sight direction Q to the filter principal plane, a plurality of chromism layers 10 that are arranged in parallel in a predetermined direction and have a light absorption spectral characteristic according to an applied voltage, and a plurality of transparent layers 20 arranged between adjacent chromism layers 10, respectively. - 特許庁

メモリ部は、半導体基板の主面１１ａに垂直な第１方向に交互に積層された複数の電極膜ＷＬと複数の絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬと、積層構造体を第１方向に貫通する半導体ピラーＳＰと、電極膜と半導体ピラーとの交差部に対応して設けられた記憶部４３と、を有す。例文帳に追加

The memory part includes: a laminate structure ML having a plurality of electrode films WL and a plurality of insulating films 14 laminated alternately on a principal surface 11a of the semiconductor substrate in a vertical first direction; semiconductor pillars SP penetrating the laminate structure in the first direction; and storage parts 43 provided according to intersection parts of the electrode films and semiconductor pillars. - 特許庁

電気光学効果を有する基板１上において、光導波路２−１及び２−２中を導波する光波を変調するための、信号電極４及び接地電極５−１、５−２を、金属層及び誘電体層とが基板１の主面１Ａと垂直な方向において交互に積層してなる、周期的多層構造から構成する。例文帳に追加

A signal electrode 4 and ground electrode 5-1 and 5-2, which modulate an optical waveguided in optical waveguides 2-1 and 2-2, are constituted in a periodic multilayered structure where a metal layer and a dielectric layer are alternately laminated in a direction perpendicular to a principal face 1A of a substrate 1, on the substrate 1 having electrooptic effects. - 特許庁

回路基板１１に凹部１７を形成し、該凹部１７に回路部品１３を実装し、回路基板１１の凹部１７が形成された主面１６を親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュール１０において、凹部１７の底面にはグランド電極１５ａを形成し、凹部１７の壁面にはグランド電極１５ａと接続する金属膜２１を形成し、凹部１７の底面にはグランド電極１５ａと接続する金属壁２２を形成した。例文帳に追加

In this hybrid module, a recessed part 17 is formed on a circuit board 11, a circuit component 3 is mounted on the recessed part 17, and a main face 16, in which the recessed part 17 on the circuit board 11 is formed, is made to face with a master circuit board to be connected. - 特許庁