| 意味 | 例文 (713件) |
しきい値素子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 713件
そして、データ規格化処理部５１２において、発光輝度の検出結果に対して画素個々の温度変化分を反映させて規格化することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られたＲ，Ｇ，Ｂの各画素の発光輝度に応じた電圧値を用いて一定のホワイトバランスになるように有機ＥＬ素子の発光輝度を制御する。例文帳に追加
A data normalizing processing part 512 corrects temperature by normalizing to reflect the individual temperature change parts of the pixel to detection result of emission brightness, and controls the emission brightness of the organic EL element so as to be constant white balance by using a voltage value corresponding to the emission brightness of each pixel of Red, Green and Blue obtained by the temperature correction. - 特許庁
露出制御部７は、動き検出部５から得られた動き量に基づき、１フレーム時間内の画像の流れ量（ぼけ量）を、ｎ画素以内にするために、シャッター速度を、 （１フレーム時間×ｎ）／（１フレーム時間における動き量の画素換算値）に設定し、撮像素子３の露光時間を制御する。例文帳に追加
In order to control the running amount of image (blur amount) within a single frame period to be within n pixels, based on the amount of movement obtained from the motion-detecting section 5, an exposure control section 7 sets the shutter speed to (n×single frame period)/(pixel conversion value of amount of movement in single frame period) and controls the exposure time of an image sensor 3. - 特許庁
タイミングコントローラ９５は、逆バイアス期間決定部９３の決定結果を受けて、駆動トランジスタの逆バイアス期間の長さを制御し、有機ＥＬ素子の劣化がより進む状況にあるときは、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_thをデプレッション側にシフトさせることによって発光輝度の低下を補完する。例文帳に追加
A timing controller 95 controls the length of the reverse bias period of the driving transistor according to the determined result by the reverse bias period determining part 93, and compensates lowering of light emission luminance by shifting threshold voltage V_th of the driving transistor to a depression side when deterioration of an organic EL (Electroluminescence) element is further progressed. - 特許庁
プログラム回路１０２は、第１のプログラミングモードに後続して、第２のプログラミングモードで動作し、第１の基準電圧よりも高い第２の基準電圧よりも低いしきい値を有する記憶素子に、そのしきい値が第２の基準電圧以上となるまで、第１のプログラミングモード動作した際の最終書込みパルスの書込み能力と同じか又はそれよりも低い書込み能力を有する書込みパルスを印加する。例文帳に追加
The programming circuit 102 operates in the 2nd programming mode following the 1st programming mode, and applies the writing pulses having the writing capabilities equal to the last writing pulses used in the 1st programming mode or smaller to the memory elements having the thresholds lower than the 2nd reference voltage which is higher than the 1st reference voltage, until the thresholds become equal to the 2nd reference voltage or higher. - 特許庁
表示パネル１０内の複数の画素１１に対する表示駆動の際に、駆動回路２０（信号線駆動回路２４）が、映像信号２０Ａの階調に応じて階調補間電圧Ｖsig１および信号電圧Ｖsig２の電圧値を個別に変化させることにより、各有機ＥＬ素子１２における発光輝度Ｌの階調を補間する階調補間動作を行う。例文帳に追加
When performing display driving for a plurality of pixels 11 in a display panel 10, a driving circuit 20 (signal line-driving circuit 24) individually changes voltage values of gradation interpolating voltage Vsig1 and signal voltage Vsig2 in accordance with gradation of a video signal 20A, thereby performing gradation interpolating operation for interpolating the gradation of emission luminance L in each organic EL element 12. - 特許庁
偏光制御素子１４は、レーザ光源１０からのレーザ光の偏光を変更するものであり、変調光ｈｍの強度と非変調光ｈｏの強度とがそれぞれ加工対象物５０の加工閾値以上となるように、空間光位相変調器１８に入射するレーザ光の偏光を制御する。例文帳に追加
The polarization control element 14 changes polarization of the laser beam from the laser beam source 10 and controls the polarization of the laser beam that is made incident on the spatial light phase modulator 18 so that intensity of the modulated light hm and that of the non-modulated light ho are equal to or above the threshold value of a workpiece 50 respectively. - 特許庁
両端コモン供給タイプのサーマルヘッドにおいて、画像記録で生じる各発熱素子の抵抗値変化の差が極めて小さく、これに起因する画像濃度ムラの無い、高画質な画像記録を長期にわたって行えるサーマルヘッドの製造方法、および、これを用いる感熱記録装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a thermal head of a common supply type to either end in which a difference of resistance value changes of heating elements generated in recording images is considerably small, and therefore high-quality images can be recorded for a long term without any image density irregularity caused by the difference, and a thermal recording apparatus using the same. - 特許庁
表示装置は、交流電源を直流に変換する交流直流変換部２と、交流直流変換部２から給電され非常時に動作する非常用電源３と、給電された電流を所望の電流値に制御する電流制御部４と、有機ＥＬからなる複数の面状発光素子５、６とを備える。例文帳に追加
The display device includes: an AC/DC converting unit 2 converting an AC power supply into a DC power; an emergency power supply 3 powered by the AC/DC converting unit 2 and operating in emergency; a current controller 4 controlling the supplied current into a desired current value; and a plurality of surface light-emitting elements 5, 6 comprising organic EL elements. - 特許庁
内部配線を形成した基板の片面側に、焦電素子３と、ＦＥＴ８及び抵抗７と、オペアンプＩＣ６を搭載し、もう片面側にコンデンサ４点１０を実装した前記基板を、ＴＯ−５型パッケージに格納し、且つオペアンプＩＣ６と内部配線を形成した基板９のＡＵワイヤー１３によるワイヤー配線方法により、アンプ増幅ゲインの変更及び、コンパレーターしきい値の選択が可能な構造とした事を特徴としている。例文帳に追加
The substrate is housed in a TO-5 type package and includes a structure in which an amplifier amplification gain is changed and a comparator threshold value is selected by a wire wring method by an AU wire 13 of the substrate 9 in which the operational amplifier IC6 and the internal wiring are formed. - 特許庁
表示素子１６の、基板１２側に設けられた電極２０と、基板１４側に設けられた電極１８と、の内の何れか一方の電極の、他方の電極に向かい合う面側には、多孔質層２２が設けられており、多孔質層２２にはＥＣ１色素２４が保持され、電解質２６中にはＥＣ２色素２８が分散されており、これらのＥＣ１色素２４及びＥＣ２色素２８の各々について、消色状態から発色状態へ変化するために電極２０と電極１８との間に印加される電圧の閾値が、式（１）の関係を満たしている。例文帳に追加
Each of the display elements 16 includes an electrode 20 disposed on the substrate 12 side and an electrode 18 disposed on the substrate 14 side. - 特許庁
有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。例文帳に追加
The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized. - 特許庁
薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method. - 特許庁
圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極層２、圧電体薄膜層４および上部電極層３を有し、圧電体薄膜層４が、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とするペロブスカイト構造の結晶からなるものであり、下部電極層２と上部電極層３との間に常温で２０ｋＶ／ｃｍ以下の電界を印加したときの、電極間の電極面積１ｃｍ^２当たりに換算した電気抵抗値を２．５×１０^５Ω以上とするような電流ブロック層５を、下部電極層２と上部電極層３との間に備えている。例文帳に追加
Between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3, such a current block layer 5 as to let an electroresistance value become ≥2.5×10^5Ω, the electroresistance value being converted per electrode area 1 cm^2 between electrodes when an electric field of ≤20 kV/cm is applied at normal temperature between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3. - 特許庁
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