「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

量子ドットのサイズ、形状および配列の形態をコントロールすることにより、しきい電流値が低く、かつ効率のよい発光素子を作製すること。例文帳に追加

To enable a light emitting device which is superior in efficiency and whose threshold current is low to be manufactured by controlling quantum dots controlled in size, shape, and an arrangement pattern. - 特許庁

III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。例文帳に追加

In a group III nitride semiconductor laser element 11, since a laser waveguide is extended in a direction of a cross line of the m-n surface and a semi-polar surface 17a, light emission of band transition, which enables a low threshold current, can be utilized. - 特許庁

しきい値電流の増加と発光効率の低下を引き起こすことなく高光出力を実現する利得結合分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gain combined distribution feedback type semiconductor laser element which provides high optical output, without having to increase threshold current nor degrading the light-emission efficiency. - 特許庁

しきい値変調型固体撮像素子において、前の撮像において蓄積された光電荷による残像によって発生する画質の劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration in image quality generated by an after-image due to photoelectric charges accumulated in former image pickup, in a threshold modulation-type solid-state imaging element. - 特許庁

化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。例文帳に追加

To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method. - 特許庁

誘電率異方性が負であってその絶対値が大きい単環性液晶化合物を提供することであり、それを含有する液晶組成物および表示素子を提供する。例文帳に追加

To provide a monocyclic liquid crystal compound negative in dielectric anisotropy and large in its absolute value, and to provide a liquid crystal composition and a display element containing the monocyclic liquid crystal compound. - 特許庁

安定な垂直基本横モードを得ることが可能でありしきい値電流の低減化を図ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser element which can obtain a stable perpendicular fundamental lateral mode and can reduce threshold current. - 特許庁

レーザ光の安定化を図るとともに、しきい値電流や動作電流が増大するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device which can achieve stability of a laser beam and inhibit increase of a threshold current and an operation current. - 特許庁

発光層における光の閉じ込めを効果的に行うことによりしきい値電流の低減化が図られた窒化物系半導体発光素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor light emitting device which is reduced in threshold current by effectively confining light in a light emitting layer. - 特許庁

一方、ｐ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜７を形成する。例文帳に追加

On the other hand, in the p-type MIS element, a threshold value adjustment film 7 composed of an aluminium oxide film is formed on the gate insulating film 9 composed of the hafnium aluminate film. - 特許庁

このようなＳｉＯ_2膜により、ＧａＮ系半導体素子のしきい値の制御に及ぼす悪影響も抑制されるので、十分なノーマリオフ特性が得られる。例文帳に追加

Such an SiO_2 film suppresses a bad influence on control over a threshold of the GaN-based semiconductor, so that sufficient normally-off characteristics can be obtained. - 特許庁

ワード線は反転素子に接続されこれはメモリセル１１の可変しきい値トランジスタ１１ｂのゲートを接地するトランジスタに接続される。例文帳に追加

The word line is connected to an inverting element, and this element is connected to a transistor for grounding the gate of a variable threshold value transistor 11b at a memory cell 11. - 特許庁

素子が微細化されたＭＯＳ型半導体記憶装置の電荷保持特性の向上と、しきい値電圧の変動の抑制とを両立させ、製造ばらつきの影響を受けにくい技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for making the improvement of the charge holding characteristics of an MOS semiconductor memory wherein device downsizing and variation suppression of the threshold voltage are compatible, and is scarcely influenced by manufacturing variation. - 特許庁

各撮像素子から出力された映像信号に対して時分割で所要の処理をＡ／Ｄ変換器１００、ＨＰＦ５２、ゲート回路５４、加算器５６により施し画像のコントラストを示す焦点評価値を求める。例文帳に追加

Required processing is performed to video signals outputted from the respective imaging devices in the time-division manner by an A/D converter 100, an HPF 52, a gate circuit 54 and an adder 56 so as to obtain a focus evaluated value showing the contrast of an image. - 特許庁

素子特性を劣化させることなく、しきい値電圧の低い、金属のゲート電極を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を製造することを可能にする。例文帳に追加

To enable the production of a semiconductor device having a low threshold voltage P channel MOS transistor having a metallic gate electrode without deteriorating the characteristics of the element. - 特許庁

波長が１．３μｍ〜１．６μｍ帯の光に対するファラデー回転能が４５°程度、かつ逆方向挿入損失が大きい値を有する磁気光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magneto-optical element of which the Faraday rotatation capacity to light in wavelength 1.3-1.6 μm band is around 45°, and which has a large value of backward insertion loss. - 特許庁

これにより、濃度階調値の合計が大きいとき、すなわち発熱抵抗体の温度上昇速度が遅くなるときほど、発熱抵抗素子をオンさせるタイミングを早くする。例文帳に追加

As a result, the heating resistor element is turned on as earlier as the sum of the density is greater, that is, as the raising speed of the temperature of the heating resistor element is lowered. - 特許庁

有機ＥＬ表示装置において、走査線のレイアウトに起因する回路素子数や容量値の増加に対する制約あるいは高精細度化の障害を緩和する。例文帳に追加

To alleviate restriction of increase of the number of circuit elements and a capacitance value due to layout of a scan line, or an obstacle for obtaining high precision, in an organic electroluminescent (EL) display apparatus. - 特許庁

異常検出信号出力部は、圧電素子にかかる負荷に応じて生じた電圧を増幅する増幅器、及び、増幅された電圧と電圧所定値とを比較して、増幅された電圧の値の方が大きい場合には異常検出信号を出力する比較器とを有している。例文帳に追加

The abnormality detection signal output part has an amplifier for amplifying voltage generated according to load applied to the piezoelectric element, and a comparator for comparing the amplified voltage with a specified voltage value and outputting the abnormality detection signal when the value of the amplified voltage is large. - 特許庁

各素子の配置に起因して生じる検出値の誤差を抑制して、より精度の高い負荷電流の検出を行うことのできる電流検出回路を提供する。例文帳に追加

To provide a current detection circuit which enables highly accurate detection of a load current by restricting errors in detection values attributed to the layout of individual elements. - 特許庁

第１光学素子は、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの屈折率分布を有し、下記式（１）および（２）を満足し、ノルボルネン系樹脂を含有し、かつ、光弾性係数の絶対値が２．０×１０-13〜２．０×１０-11である位相差フィルムを含む。例文帳に追加

The first optical element comprises a retardation film, having a refractive index profile of nx>nz>ny, satisfying Expressions (1) and (2), containing a norbornene-based resin and having an absolute value of photoelastic coefficient of 2.0×10^-13 to 2.0×10^-11. - 特許庁

ＬＥＤ素子２１の温度上昇に起因して、ＬＥＤモジュール２の光出力は、発光面の略中心で最も弱く、その周縁で最も強く、上記の略中心と周縁との略中間で平均的な値となる。例文帳に追加

Due to the temperature rise of the LED elements 21, the optical output of the LED modules 2 is the weakest at nearly the center of the light-emitting face, and the strongest at the peripheral edges, and of the average value nearly midway between nearly the center and the peripheral edge. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分とする素子において、所定の粒径範囲の大きい造粒粉と、この大きい造粒粉の粒径範囲の最小値よりも２５μｍ以上粒径が小さな小さい造粒粉とを混合して作製するもので、素子内部の大きな粒径の酸化亜鉛粒子４同士の間に小さな粒径の酸化亜鉛粒子４を混在させ、空孔５の直径を５μｍ以下にする。例文帳に追加

The zinc oxide particles 4 having the small particle diameters are allowed to exist among the zinc oxide particles having the large particle diameters in the inside of the element to make the diameter of the void 5 so as to be ≤5 μm. - 特許庁

ガスセンサ素子１１へのガス分子の吸着によって生じるヒステリシス現象で、酸化性ガスの濃度上昇の検知感度が低下する場合に、センサ出力値の僅かな上昇によっても、ガス濃度の上昇を検知できるように、濃度高しきい値を引き下げる敏感化期間を設ける。例文帳に追加

A sensitive period for lowering a high-concentration threshold value is prepared to detect the rise of gas concentration even the slight rise of a sensor output value, in a case when the sensitivity in detecting the rise of concentration of the oxidizing gas is impaired by the hysteresis phenomenon caused by the adsorption of a gas molecule to the gas sensor element 11. - 特許庁

素子耐圧とサージ電圧との差分が所定のしきい電圧を超えておりサージ電圧に余裕があると判定した場合、ゲート電圧制御部２２に対して通常値（基準値）よりも高いゲート電圧を指令して定常損失を低減する。例文帳に追加

If it is determined that the difference between the element withstand voltage and the surge current exceeds a predetermined threshold voltage and the surge voltage has a margin, the gate voltage control section 22 receives a command of a gate voltage higher than a normal value (reference value) to reduce steady loss. - 特許庁

搭載するカメラ（撮像素子）に太陽光などの高輝度の光源が写り込まれるとき、光源の方向を特定し、よって撮影対象を適切な輝度値で撮影可能とした脚式移動ロボットを提供する。例文帳に追加

To provide a legged mobile robot configured to take an image of a target with an appropriate brightness value by identifying the direction of a light source when the highly bright light source such as solar light comes into a mounted camera (imaging element). - 特許庁

照明装置において、ＬＥＤ素子の温度上昇に起因した光出力低下に拘らず、光出力の平均値を得ることにより、光出力制御の高精度化を図る。例文帳に追加

To aim at higher accuracy in optical output control of a lighting device by obtaining an average optical output, despite degradation of an optical output due to temperature rise of LED elements. - 特許庁

その際、電流検出回路４により点灯中の有機ＥＬ素子１に流れる電流を検出し、その検出した電流値に応じて次回の点灯時間を制御する。例文帳に追加

In this case, the currents flowing through the organic EL elements 1 when being lighted are detected by current detectors 4, and the next lighting time is controlled according to the detected current value. - 特許庁

抵抗素子層１３は、抵抗値変化係数Ｋ１，Ｋ２によって、正極領域である領域１３Ａと負極領域である領域１３Ｂとに分かれている。例文帳に追加

A resistor element layer 13 is divided into a region 13A as a positive pole region and a region 13B as a negative pole region by the coefficients of resistance variations K1 and K2. - 特許庁

判定回路２６が、受光素子２２から出力される受光信号Ｓ１のレベルとしきい値レベル値を比較することにより被検出物Ｗの検出を行い、比較結果に応じた出力信号Ｓ２をトランジスタＴ１に出力する。例文帳に追加

A decision circuit 26 detects a body W to be detected by comparing the level of a photodetection signal S1 output from a photodetecting element 22 with a threshold level, and outputs an output signal S2 corresponding to the comparison result to a transistor T1. - 特許庁

検出抵抗Ｒ１及び増幅器８がスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴ４）に供給される電流を検出し、前記電流の値に応じた信号を比較器１０に出力する。例文帳に追加

A sensing resistor R1 and an amplifier 8 sense a current supplied to the switching element (MOSFET 4) to output a signal in response to the current to a comparator 10. - 特許庁

５Ｖがパルス入力端子１７に印加されると、抵抗値Ｒｃの固定抵抗器１５とダイオード１６を介してコンデンサ１４に充電され、０Ｖが印加されると、ガスセンサ素子１１を介してコンデンサ１４が放電される。例文帳に追加

When 5 V is applied to the pulse input terminal 17, a capacitor 14 is charged via a fixed resistor 15 with a resistance value Rc and a diode 16 and, when 0 V is applied, the capacitor 14 is discharged via the gas sensor element 11. - 特許庁

計測システムは更に、前記位置関係が変更される毎に受信素子から出力される受信信号の２次元分布に基づいて、画素値をサブ画素の単位で演算する演算手段（１１３）を備える。例文帳に追加

The measurement system further has a computation means 113 for computing the pixel value in sub pixel units, based on the two-dimensional distribution of the reception signal outputted from the reception element each time when the positional relationship is changed. - 特許庁

こうして、活性領域１５の劣化を防ぐと共に閾値電流を下げることによって、１００mＷ以上の高出力時でも安定して長時間動作が可能な波長７８０nm帯ＩnＧaＡsＰ井戸層半導体レーザ素子を得る。例文帳に追加

An active region 15 is prevented from deteriorating, and a threshold current is reduced, so that a wavelength 780 nm band InGaAsP well layer semiconductor laser device which operates stably for a long hours, outputting a high power of 100 mW or above can be obtained. - 特許庁

赤外線検出素子とダミー画素との間の残留応力に起因する抵抗値の差を無くすことにより、検出した赤外線の量に基づく起電力が正確に出力される赤外線センサーを提供する。例文帳に追加

To provide an infrared sensor capable of outputting accurately an electromotive force on the basis of a detected infrared quantity by removing the difference of a resistance value caused by a residual stress between an infrared detection element and a dummy pixel. - 特許庁

赤外線通信機１００は、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂに対して、所定の電圧値ＶＲの逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加手段１７２を備える。例文帳に追加

An infrared communication instrument 100 has a reverse bias voltage applying means 172 of applying a reverse bias voltage having a predetermined voltage value VR to photodetectors 101A and 101B. - 特許庁

光センサ４はこの略中間に配置されているので、ＬＥＤ素子２１の温度上昇に起因した光出力低下に拘らず、光出力の平均値を得られる。例文帳に追加

Since the optical sensor 4 is arranged at that midway, an average value of the optical output can be obtained despite degradation of optical outputs due to temperature rise of the LED elements 21. - 特許庁

各ボロメータ１１〜１４は、基準抵抗器１１１と直列に接続され、赤外線の強度に応じて抵抗値が変化するボロメータ素子１１２と、センサ信号を微分して微分信号を取得する微分回路１１３とを備える。例文帳に追加

The bolometers 11-14 each include a bolometer element 112 which is connected to a reference resistor 111 in series, and varies in a resistance value with intensity of infrared ray, and a differential circuit 113 which differentiates a sensor signal to obtain a differential signal. - 特許庁

供試体の特性を検出するセンサから得られる出力をデジタル的にフィルタ処理するとき、複数ある遅延素子に起因して、測定値が得られる時刻は一定の遅延時間をもっている。例文帳に追加

To solve a problem that time during which a measurement value is obtained has prescribed delay time due to a plurality of delay elements when filter processing is digitally applied to output obtained from a sensor for detecting characteristics of a test piece. - 特許庁

各ＬＥＤ負荷に流れる電流を検出器１６，２６で検出し、電流指令値Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２との偏差が小さくなるように、各電圧変換回路のスイッチング素子１１，２１を駆動制御する。例文帳に追加

Current flowing through each LED load is detected by a detector 16, 26 and the switching elements 11 and 21 of each voltage conversion circuit is subjected to drive control such that the difference between current command values Vref1 and Vref2 is decreased. - 特許庁

有機ＥＬ素子の発光層として用いられる有機薄膜において、複数の極大値を有する発光スペクトルを得られ、しかも簡易な方法で製造することができるものとする。例文帳に追加

To obtain an emission spectrum having a plurality of maximum values, in an organic thin film used as a light-emitting layer of an organic EL element, and to produce the organic thin film by a simple method. - 特許庁

引き続き、矩形領域１０内の一部であるＢａｄマーク検出エリア，隅部を走査して、Ｂａｄマーク検出エリア，隅部の画素の２値データに基いて、半導体素子１の良否を判定する。例文帳に追加

Then, a 'Bad' mark detecting area and a corner part which is a part in the rectangular area 10 are scanned, and the quality of the semiconductor element 1 is determined, on the basis of binary data on a pixel of the Bad mark detecting area and the corner part. - 特許庁

表示パネル１４を駆動する電源回路１７は、有機ＥＬ素子のカソード電流１９を検出する検出部２０からの検出信号２１に基づいて、一定値以下に制御される。例文帳に追加

Power of a power source circuit 17 for driving a display panel 14 is controlled to a certain value or lower on the basis of a detection signal 21 from a detection part 20 which detects cathode currents 19 of organic EL elements. - 特許庁

補助容量Ｃｓｕｂが保持容量Ｃｓに接続しており、書き込み時間の誤差に起因する発光素子ＥＬの輝度のバラツキを補正するため、その容量値が調整されている。例文帳に追加

An auxiliary capacitance Csub is connected to the holding capacitance Cs, and its capacitance value is adjusted in order to correct variance in the luminance of a light emitting element EL, which is caused by an error in writing time. - 特許庁

制御手段５が矩形波電圧の周波数を変化させることで有機ＥＬ素子１に流れる電流の実効値Ｉrmが変化して調光できる。例文帳に追加

The control means 5 changes a frequency of the rectangular wave voltage to change a root-mean-square value Irm of an electric current flowing through the organic EL element 1, thereby allowing lighting control of the organic EL element 1. - 特許庁