「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

これにより、有機ＥＬ表示パネル８を駆動する場合に、有機ＥＬ素子１の一対の電極間に、車載バッテリ１２からの出力電圧Ｖddの絶対値と、補助電源回路１４からの出力電圧Ｖssの絶対値とを加算した比較的大きな電位差を選択的に印加できる。例文帳に追加

Therefore, when the organic EL display panel 8 is driven, a relatively large potential difference is applied selectively between a pair of electrodes of an organic EL element 1, wherein the potential difference is the sum of the absolute value of voltage Vdd outputted from the battery 12 to the absolute value of voltage Vss outputted from the secondary power circuit 14. - 特許庁

これにより、異なる抵抗値を有する評価素子に対してＷＬＢＩ試験時に印加するストレスを同一にでき、評価パターンに起因する経時劣化程度を求めることができる。例文帳に追加

Thus, an identical stress is applied to the evaluation elements having different resistance values when performing a WLBI test to determine the degree of aged deterioration attributed to particular evaluation patterns. - 特許庁

アモルファスシリコントランジスタを含む画素回路によって有機ＥＬ素子を駆動する際に、アモルファスシリコントランジスタの閾値がシフトするのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent threshold shift of an amorphous silicon transistor when an organic EL element is driven by means of a pixel circuit containing the amorphous silicon transistor. - 特許庁

マスク３１の第１のパターンは、素子サイズに対応したサイズ値ＬＸで周期的に半導体領域１３の第１のエリア上に設けられる。例文帳に追加

The first pattern of the mask 31 is provided on the first area of the semiconductor region 13 periodically by a size value LX corresponding to an device size. - 特許庁

そして、コントローラ２０に、スイッチング素子１のオン、オフ状態と、可変抵抗器１８の端子５の電圧値との組み合わせからダイアルノブ１１の回転位置を判定させるようにする。例文帳に追加

The controller 20 determines the rotational position of the dial knob 11 from the combination of on/off state of the switching element 1 and the voltage level at the terminal 5 of the variable resistor 18. - 特許庁

本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置、電子機器の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a display device, which suppresses effect of variation in current value of a light emitting element due to variation in environmental temperature and secular change, and an electronic apparatus. - 特許庁

信号書込み時間が短くなると、信号書込み期間の終了時における駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高くなり（Ｖｇｓ１→Ｖｇｓ２）、その分だけ有機ＥＬ素子に流れる電流値が増加する。例文帳に追加

As the time of signal writing becomes shorter, the gate-source voltage Vgs of a driving transistor at the end of the signal writing period becomes high (Vgs1→Vgs2) and a current flowing to an organic EL element increases in value correspondingly. - 特許庁

各発光層で発光された３色の光の発光スペクトル分布を考慮して、各発光スペクトルの半値幅及び色純度を向上させることができる有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element, capable of improving half-value width and color purity of each emission spectrum by taking into account the emission spectrum distribution of three-color light rays emitted by each luminescent layer. - 特許庁

これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４は、ロータの回転に起因して生ずるバイアス磁界のベクトル変化に伴って抵抗値が変化するようになっている。例文帳に追加

In the magnetoresistive elements MRE11 to MRE14, the resistance changes with a change in a vector of a bias magnetic field which occurs caused by the rotation of a rotor. - 特許庁

相互相関値計算装置１０７は、前記一対のレーザー光線の交点における前記回折波又は前記偏向波を示す前記一対の光電変換素子からの前記出力信号の音信号の前記相互相関値を生成する。例文帳に追加

The cross-correlation value calculating device 107 generates the cross-correlation value of the sound signal of an output signal from the pair of photoelectric conversion elements for indicating diffracted waves or polarized waves at the intersection of the pair of laser beams. - 特許庁

温度検出信号ｔが温度制御回路５０で基準値と比較され、同温度検出信号ｔが同基準値よりも大きい（すなわち、電池３１の温度が常温よりも低い）ときにスイッチ４１がオン状態となり、加熱用電力ｈが半導体熱交換素子３３に供給される。例文帳に追加

A temperature detection signal t is compared with a reference value by a temperature control circuit 50, and if the temperature detection signal t is higher than the reference value (namely, if the temperature of the battery 31 is lower than room temperature), a switch 41 is turned on, and heating electric power h is supplied to the semiconductor heat exchanging element 33. - 特許庁

第１のゲート配線に接続する第１のゲート電極および第１の閾値電圧を有する第１のスイッチング素子と、前記第１の閾値電圧よりも絶対値が大きい第２の閾値電圧を有し、第１のゲート配線の単位長さあたりの抵抗よりも大きい抵抗を有する第２のゲート配線に接続する第２のゲート電極を有する第２のスイッチング素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。例文帳に追加

Provided is the semiconductor device which comprises a first switching element having a first gate electrode connected to first gate wiring and a first threshold voltage and a second switching element having a second gate electrode and a second threshold voltage whose absolute value is larger than that of the first threshold voltage where the second gate electrode is connected to a second gate wiring whose resistance per unit length is higher than that of the first gate wiring. - 特許庁

出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an organic EL element, by which even in the case of a light output side electrode composed of a transparent electrode having a high resistance value, an auxiliary electrode can be readily formed on the transparent electrode with stability. - 特許庁

基準抵抗器のみを用いて内部抵抗計測器を校正する場合と比較して、交流結合素子への電位印加に起因する校正誤差を極めて少なく出来る計測値校正回路を提供する。例文帳に追加

To provide a measurement value calibration circuit capable of reducing calibration errors caused by potential application to an AC coupling element much more than that in calibration of an internal resistance measurement device by using only a reference resistor. - 特許庁

すると、信号書込み期間終了時における駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高くなり（Ｖｇｓ１→Ｖｇｓ２）、その分だけ有機ＥＬ素子に流れる電流値が増加する。例文帳に追加

Then, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor at the end of a signal writing period becomes high (Vgs1→Vgs2) and a current flowing to an organic EL element increases in value correspondingly. - 特許庁

したがって、電源パッド１４ａから能動素子領域１２までの第１の電源配線１６の抵抗値を低下させることができるため、電源電圧の低下を抑えることができる。例文帳に追加

As a result, a resistance value of a first power source wiring 16 from the power source pad 14a to an active element region 12 can be reduced, so that decrease of a power source voltage can be restrained. - 特許庁

発光素子１４は、バイアス電圧を印加することによって動作し、当該バイアス電圧は、調整器１８に含まれる可変抵抗２８の抵抗値を変化させることによって調節される。例文帳に追加

The light emitting element 14 is operated by the impression of a bias voltage, and the bias voltage is regulated by changing the resistance value of a variable resistance included in the regulator 18. - 特許庁

半導体ウェハ１の表面の半導体素子を形成するための領域以外の領域に、あらかじめ識別情報と対応づけられた所定の抵抗値を有する金属膜７から構成される抵抗体２を形成する。例文帳に追加

A resistor 2, composed of metal films 7 each having a predetermined resistance that is related to the identification information, is formed in advance in a region other than the region, where semiconductor elements are to be formed on the surface of a semiconductor wafer 1. - 特許庁

有機ＥＬ素子１００は、陽極２０と陰極５０との間に、ＬＵＭＯ値が２．６ｅＶ未満の有機層４０を少なくとも１層配置してなる。例文帳に追加

An organic EL element 100 comprises at least one organic layer 40 that is arranged between an anode 20 and a cathode 50, and that has a lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) value of less than 2.6 eV. - 特許庁

駆動トランジスタを用いることなく、有機ＥＬ素子の駆動電流のピーク値を小さくし、電流密度を低減できる有機発光ダイオード表示装置およびその駆動方法を得る。例文帳に追加

To provide an organic light-emitting diode display device where a current density can be reduced by reducing a peak value of a driving current of an organic EL element without using a driving transistor, and to provide a driving method thereof. - 特許庁

定電圧回路１が起動すればその出力電圧Ｖｏが上昇し、やがて比較回路３ａのしきい値電圧Ｖｒを越えると比較回路３ａの出力がＨレベルからＬレベルに変化し、スイッチング素子Ｑ１がターンオフし、制御電源Ｅからスイッチング素子Ｑ１を介して行われていた電力供給が停止する。例文帳に追加

When the circuit 1 is started its output voltage Vo is boosted, and when the output voltage Vo exceeds the threshold voltage Vr of the comparator 3a, the output of the comparator 3a is changed from an H level to an L level, the element Q1 is turned off, and power supply from a control power source E through the element Q1 is stopped. - 特許庁

また、前記外部信号のリセット時または前記第１の設定値よりも大きい第２の設定値以上の入力電圧の検知時、制御部１２は、スイッチング素子４ｂをスイッチング動作状態または短絡とし、負荷４０への放電を再開する。例文帳に追加

When the external signal is reset, or the input voltage not less than a second setting value larger than the first one is detected, the control section 12 sets the switching element 4b to be a switching operation state or a short-circuited state for restarting discharging to the load 40. - 特許庁

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。例文帳に追加

To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode. - 特許庁

検出すべき電圧を基準電圧と比較し、比較結果に基づいた信号を出力する電圧検出回路であって、制御端子のしきい値電圧が基準電圧以下である能動素子を含んだ反転増幅回路を含み、検出すべき電圧を能動素子の制御端子に入力するようにした。例文帳に追加

The voltage detecting circuit for comparing a voltage to be detected with a reference voltage and outputting a signal, based on the result of comparison, includes an inverting amplifier circuit including an active element having a control terminal, a threshold voltage of which is no larger than the reference voltage, and the voltage to be detected is applied to the control terminal of the active element. - 特許庁

実温度及び状態値のうちの一方に基づいて制限トルクが算出されるので、要求トルクが大きい場合、各スイッチング素子の温度が急激に高くなるが、状態値に基づいてインバータ４０の異常を迅速に検出することができる。例文帳に追加

Since the limited torque is computed based on one hand of the actual temperature and the state value, the temperature of each switching element goes high suddenly in case that the requested torque is large, but this motor driver can detect the abnormality of the inverter 40 quickly based on the state value. - 特許庁

その結果、前記駆動交流電流が流れるときの感磁部２５の直流抵抗値が低くなり、磁気インピーダンス効果素子の消費電力を小さくすることができる。例文帳に追加

As a result, the DC resistance in the section 25 is decreased when the alternating drive current flows, thereby reducing the power consumption in the element. - 特許庁

マスター部ＭＡ及びスレーブ部ＳＬは、加算器１２，２２及び記憶素子１３，２３による累算値（位相情報）に基づいて、楽音波形信号をそれぞれ発生する。例文帳に追加

A master section MA and a slave section SL respectively generate musical sound waveform signals based on accumulated values (phase information) by adders 12 and 22 and storage elements 13 and 23. - 特許庁

この光の入射により、有機ＥＬ素子２１の発光量に影響するトランジスタＴｒ１３の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。例文帳に追加

This incidence of light restrains a change in threshold voltage due to aged drive of the transistor Tr13 affecting the quantity of light emitted of the organic EL element 21. - 特許庁

各有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｎｍは、電気抵抗値の上昇に伴い、入力される一定単位電気量に対する発光輝度（発光効率）が低下する。例文帳に追加

In the respective organic EL elements E11 to Enm, the light emitting luminance (light emitting efficiency) with respect to an input specified unit quantity of electricity is lowered with an increase in electric resistance value. - 特許庁

有機ＥＬ表示装置２の表示動作では、ヒューズメモリ素子３００から制御データが調整値レジスタ群３０４に読み出され、電子ボリュームの制御に供される。例文帳に追加

In the display action of the organic electroluminescence display device 2, the control data are read from the fuse memory element 300 to an adjustment value register group 304 used for the control of the electronic volume. - 特許庁

この光の入射により、有機ＥＬ素子２１の発光量に影響するトランジスタＴｒ１３の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。例文帳に追加

The incidence of this light controls the threshold voltage change with time of the transistor Tr13 which affects a light emission quantity of the organic EL element 21. - 特許庁

駆動トランジスタは、このＣ１に蓄積された電圧に応じた導通状態となり、その導通状態に応じた電流値を有する駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される。例文帳に追加

The drive transistor goes into a conductive state corresponding to the accumulated voltage, and a drive current having a current value corresponding to the conductive state, is supplied to an organic EL element OLED. - 特許庁

この光の入射により、有機ＥＬ素子２１の発光量に影響するトランジスタＴｒ１３の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。例文帳に追加

This incidence of the light suppresses the threshold voltage change due to the aged drive of the transistor Tr13 affecting the quantity of light emitted from the organic EL element 21. - 特許庁

フィルタ回路２のフィルタ特性を決定する少なくとも１種の素子３の素子値を、動作クロックＣＬＫに基づきデジタルコード入力Ｃｏｄｅをシグマデルタ変調するΣΔ変調器１の出力、或いは該ΣΔ変調器１の出力をコード変換するデコーダ４を介した信号に基づき変化させる。例文帳に追加

An element value of at least one kind of element 3, which determines a filter characteristic of this filter circuit 2, is varied based on the output of a ΣΔ modulator 1, which sigma-delta modulates a digital code input (Code) based on an operation clock CLK, or a signal through a decoder 4 which performs a code-conversion to the output of the ΣΔ modulator 1. - 特許庁

画像処理装置１００のシステム制御回路５０は、不揮発性メモリ５６に記憶されている撮像素子１４の欠陥画素のレベルとアドレス情報に対し、撮影条件や撮影時の光源の色温度を補正するためのホワイトバランスモード設定に応じて、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に異なった所定のしきい値を用いて、撮影素子１４の出力に関し欠陥画素の補正処理を行う。例文帳に追加

A system control circuit 50 of an image processing apparatus 100 performs defective pixel correction processing, for an output of a photographing element 14, on level and address information of a defective pixel of an imaging element 14 stored in a nonvolatile memory 56 using predetermined thresholds different for each of R, G and B in accordance with white balance mode setting for correcting photographing conditions or a color temperature of a light source in photographing. - 特許庁

駆動回路３は、過熱保護機能付き半導体装置４を構成する遮断回路が半導体素子の入力を遮断した場合には、半導体素子をオフするとともに、駆動電流がしきい値電流を超えるように、駆動電圧を所定の電圧に変化させ、電流検知回路２から検知信号が出力されている間は、駆動電圧を所定の電圧に保持する。例文帳に追加

The driving circuit 3 sets off a semiconductor element when a cutoff circuit constituting the semiconductor device 4 with the overheat protection function cuts off input of the semiconductor element, changes the driving voltage to specified voltage so that the driving electric current exceeds the threshold value electric current and holds the driving voltage at the specified voltage while the detection signal is output from the electric current detection circuit 2. - 特許庁

ＩＣチップ１０として構成される回転検出装置は、被検出回転体の回転速度に対応する信号を出力するセンサ部と接続されて該信号を２値化する比較器１５と、該２値化信号に基づきオン・オフ制御されてスイッチング動作するスイッチング素子１６とを備えている。例文帳に追加

This rotation detector constituted as the IC chip 10 is provided with the comparator 15 connected to the sensor part for outputting a signal corresponding to a revolution speed of a detected rotor and for binalizing the signal, and the switching element 16 turned on and off based on the binary signal to be switching-operated. - 特許庁

本発明は、リタデーション値が大きい液晶配向膜の提供、及びこの液晶配向膜を備える高い表示品位を実現する液晶表示素子、並びに横電界方式の液晶表示素子、当該液晶配向膜を形成可能な液晶配向膜形成用組成物の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a liquid crystal alignment membrane having a large retardation value, to provide a liquid crystal display element with which a high display quality can be achieved and which has the liquid crystal alignment membrane, to provide a liquid crystal display element of lateral electric field and to provide a liquid crystal alignment membrane forming composition with which the liquid crystal alignment membrane can be formed. - 特許庁

レーザ素子１０１と光ファイバ１０２とが前記最適位置から光軸方向へ１０μｍから１５０μｍまでの範囲内の値だけずれた配置で固定されている。例文帳に追加

The laser device 101 and the optical fiber 102 are fixed at a position displaced only by a range from 10 to 150 μm in the direction of an optical axis from the optimal position. - 特許庁

有機ＥＬ素子２１０に流れる電流Ｉｄｓを、駆動トランジスタＴｒｄの閾値電圧特性に依存することなく、データ電流Ｉｄａｔａで決定することができる。例文帳に追加

The current Ids flowing in an organic EL element 210 can be determined by the data current Idata without depending upon the threshold voltage characteristics of the driving transistor Trd. - 特許庁

ウェル抵抗領域４内のコンタクト領域６の間に、この抵抗素子の抵抗値及び温度依存特性調整用のＰ^+拡散領域１４が形成されている。例文帳に追加

Between the contact regions 6 in the well resistance region 4, a P^+ diffusion region 14 is formed to adjust a resistive value and a temperature dependency of the resistive element. - 特許庁

フィルタや増幅器等を含むアナログ回路において、製造工程時の加工ばらつきに起因する各素子の値のばらつきを補正できるアナログ回路を提供する。例文帳に追加

To provide an analog circuit, capable of correcting the dispersion of values of respective elements, which is caused by the dispersion of working upon manufacturing process, in the analog circuit comprising a filter, an amplifier and the like. - 特許庁

有機ＥＬ素子２１０に流れる電流Ｉｄｓを、駆動トランジスタＴｒｄの閾値電圧特性に依存することなくデータ電流Ｉｄａｔａで決定することができる。例文帳に追加

A current Ids flowing into an organic EL element 210 can be determined by the data current Idata, without depending on the threshold voltage characteristics of the drive transistor Trd. - 特許庁

レジスタ割当て信号Ｓ１が、将来使用される可能性がある物理的なレジスタに関連する情報を有する場合、リーク電流制御回路１２は、レジスタ１３−１，１３−２，．．．１３−ｎのＰＭＯＳ素子及びＮＭＯＳ素子のしきい値電圧をＶ１とし、及び／又は、電源１４の電源電圧をＶ２とする。例文帳に追加

When a register assignment signal S1 has information about a physical register having possibility of future use, a leak current control circuit 12 sets each threshold value voltage of PMOS elements and NMOS elements of registers 13-1, 13-2, etc. to 13-n to V1, and/or sets a power source voltage of a power source 14 to V2. - 特許庁

容量素子Ｃと複数のスイッチ素子は、駆動回路１１がＯＬＥＤへ電流を供給する時に、Ｄ−ＴＦＴのゲート端子とソース端子との電圧差を、駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧とデータ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、駆動用トランジスタのしきい値電圧とを加えた電圧とする。例文帳に追加

The capacitor element C and the switching elements operate so that, when a current is supplied from the drive circuit 11 to the OLED, a voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the D-TFT is a sum of the threshold voltage of the driving transistor and a voltage determined from the voltage of the drain terminal of the driving transistor and the control voltage during a current setting period. - 特許庁