「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

そのとき、有機ＥＬ素子１６は、その経時劣化によって同じ電圧を与える場合でも輝度が低下するが、第１のコンデンサ１７によって駆動用ＴＦＴ１５のゲート−ソース間電圧を所望の値に保つことができるので、高品位の表示を行うことができる。例文帳に追加

Then, the organic EL element 16 decreases in luminance owing to temporal deterioration even when applied with the same voltage, but a first capacitor 17 can hold the gate-source voltage of the driving TFT 15 at a desired value; so display of high quality can be provided. - 特許庁

磁界センサは、通過する磁束密度に比例してホール電圧を発生するホール素子１１と、該ホール素子１１の出力電圧を増幅する電圧増幅器１２と、電圧増幅器１２からの増幅信号を受け、そのしきい値により異なる出力電圧を出力するシュミットトリガ回路１３と、シュミットトリガ回路１３からの出力信号を受けてこれをラッチするロジックラッチ回路１５とを有している。例文帳に追加

This magnetic field sensor is provided with a Hall element 11 generating a Hall voltage in proportion to density of a passing magnetic flux, a voltage amplifier 12 amplifying an output voltage from the Hall element 11, a Schmitt trigger circuit 13 receiving an amplification signal from the voltage amplifier and outputting different output voltages according to its threshold, and a logic latch circuit 15 latching the Schmitt trigger circuit by receipt of an output signal from it. - 特許庁

プロセッサ１０は第１の電気信号２０１の周波数と第２の電気信号２０１（または第３の電気信号２０２）の電圧値（またはフィードバック周波数値）との関係に基づいて周波数生成器１１を制御して好適な周波数の第１の電気信号２０１（または第３の電気信号２０２）を生成して圧電エネルギ素子１３に与える。例文帳に追加

The processor 10 controls the frequency generator 11 based on the relation between the frequency of the first electric signal 201 and the voltage of the second electric signal 201 (or the third electric signal 202 or a feed back frequency) and generates the first electric signal 201 (or the third electric signal 202) having a suitable frequency to give to the piezoelectric energy element 13. - 特許庁

マイコン３が、リニアソレノイド１への通電がオフの際のモニタ電流値及びモニタ電圧値に基づいて、他の回路素子と比較して発熱量が大きい還流ダイオードＤ１の温度を判定するので、回路構成を複雑にすることなく、還流ダイオードＤ１の温度を広範囲に精度よく検出することができる。例文帳に追加

Since a microcomputer 3 judges the temperature of a circulating diode D1 with a large calorific value as compared with other circuit elements based on monitoring current values and monitoring voltage values when a current conduction to a linear solenoid 1 is off, the temperature of the circulating diode D1 can be detected accurately in a wide range without complicating a circuit constitution. - 特許庁

明度調整手段１１０は、ＬＳＩテスタ１０１から被試験半導体素子１０６へ供給される電気的制御内容と、電子ビーム系制御手段１０８から電子ビーム系（電子ビーム発生源104、2次電子検出器１０５）への制御内容から導出される像観測条件とに、基づき明度の制御値の初期値を導出する。例文帳に追加

A lightness adjusting means 110 draws the initial value of a lightness control value, based on the contents of electric control supplied from an LSI tester 101 to a semiconductor element 106 to be tested and image observing conditions drawn from the contents of control supplied from an electron beam system control means 108 to an electron beam system (a electron beam generating source 104 and a secondary electron detector 105). - 特許庁

撮像素子１０及びＡ／Ｄ変換器１４で完全な解像度から疎にサンプルしてダイナミックレンジを拡張した画像を供給し、圧縮器３１２で完全な解像度から疎にサンプルした画像を高速ピクセル値だけを有する高速画像と低速ピクセル値だけを有する低速画像に分け、前記高速画像と低速画像を別個に圧縮する。例文帳に追加

In an image compression method, images expanded in a dynamic range with sparsely sampling from a perfect resolution by an imaging element 10 and an A/D converter 14 are supplied, the sparsely sampled images from the perfect resolution by a compressor 312 are separated to fast images having only the fast pixel value and slow images having only the slow pixel value to individually compress the fast images and the slow images. - 特許庁

補正回路は、入力された画像データによる所定の発光領域の発光の量に対して、該所定の発光領域以外の発光領域を有する表示素子の駆動が与える変化量のうち前記部材によって減じられる量を補償する補正値を算出する補正値算出回路を有する。例文帳に追加

The correction circuit has a correction value computing circuit which computes the correction value, to compensate for the amount reduced by the members for the amount of emitted light of a prescribed light-emitting region by inputted image data among the amount of changes made by the driving of the display elements having light-emitting regions other than the prescribed light-emitting region. - 特許庁

転送ゲート電極２１を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極１５を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域１８の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。例文帳に追加

In a threshold modulation type solid-state imaging element which has a transfer transistor having a transfer gate electrode 21 and a transistor for signal output having a ring-shaped gate electrode 15, the voltage of a drain region 18 of the transistor for signal output is made temporarily higher than a last value in a period wherein the transfer transistor is ON. - 特許庁

液晶表示素子に用いられるスペーサであって、前記スペーサをカラムに充填して固定相に用い、溶解度パラメータが８．５〜２３．５（ｃａｌ／ｃｍ^3 ）である液体を移動相に用いた系に、液晶分子を流入させた際に得られる溶出ピーク形状において、溶出ピークの保持時間をｔ（分）、溶出ピーク高さの５０％部におけるピーク幅をＷ_1/2 （分）、測定に使用したカラム長さをＬ（ｍｍ）、カラムに充填した液晶表示素子用スペーサの平均粒径をＤ（ｍｍ）とするとき、下記式（１）で表されるパラメータ（Ｐ値）が２５以上であるスペーサ。例文帳に追加

The spacer used for a liquid crystal display device has the following characteristics relating to the elution peak in chromatography which uses the spacer as a stationary phase to pack the column, uses a liquid having 8.5 to 23.5 (cal/cm3) solubility parameter as a mobile phase, and passes liquid crystal molecules through the column. - 特許庁

従来のデコーダ回路における入力部のゲート容量が大きいこと，入力波形がなまること，素子分離領域が必要となり面積が大となること，ＰＮ構成のため出力がフル振幅となること，ドライバーのしきい値に達するのに時間がかかる等の従来のデコーダ回路の欠点のない論理回路の提供。例文帳に追加

To provide a logic circuit having no defects like in a conventional decoder circuit such as the large capacitance of an input in the conventional decoder circuit, rounded input waveform, large area required for an element separating area, full amplitude of an output caused by a PN configuration and a muck time required for reaching the threshold of a driver. - 特許庁

そして、この補正アドレスを周波数補正データ記憶部１９３ｂに与えて、上記補正した正しい温度値に対応する周波数補正データを読み出し、この周波数補正データをＤ／Ａ変換器１９４Ａでアナログ制御電圧に変換して基準発振器１７の可変容量素子１７２に供給し、これにより基準発振周波数を温度補正するようにしたものである。例文帳に追加

Then the correction address is given to a frequency correction data storage section 193b, from which frequency correction data corresponding to the correctly corrected temperature are read, a D/A converter 194A converts the frequency correction data into an analog control voltage, which is fed to a varactor element of a reference oscillator 17 to correct a temperature of the reference oscillated frequency. - 特許庁

本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、駆動トランジスタＴｒ２に供給する電源用駆動信号の制御により駆動トランジスタＴｒ２のしきい値電圧のばらつきを補正する構成において、この電源用駆動信号の振幅を従来に比して小さくすることができるようにする。例文帳に追加

To reduce amplitude of a drive signal for power source compared to conventional one, in constitution in which variation of threshold voltage of drive transistors Tr2 is corrected by control of the drive signal for power source supplied to the drive transistors Tr2 to an image display device of an active matrix type by organic EL elements. - 特許庁

入力電流路に直列に接続された電流検出用抵抗素子Ｒｓで入力電流Ｉｏを電圧変換して検出し、この電流検出電圧Ｖｓをレベル弁別しながら検出して過電流保護を行わせるに際し、その弁別しきい値を入力電源電圧Ｖｉの上昇に応じて縮小させる。例文帳に追加

When an input current Io is converted to voltage for detection by the resistor Rs for detecting current that is connected in series with an input current path, and the level of the current detection voltage Vs is discriminated for detection so that overcurrent protection can be made, the discrimination threshold is reduced according to the increase in an input power supply voltage Vi. - 特許庁

複数のバイステイブル表示素子を有するアレイ上にデータを表示する方法は、複数のフレームを備えるビデオデータを受信し、フレームスキップカウントに基づいて、選択したフレームを表示し、各選択したフレームと、選択したフレームより前のフレームとの間の変化を測定し、測定した変化が、しきい値以上の場合に、非選択フレームを表示する。例文帳に追加

A method of displaying data on an array having a plurality of bi-stable display elements comprises receiving video data provided with a plurality of frames, displaying selected frames based on the frame skip count, measuring a change between each selected frame and a frame previous to the selected frame, and displaying non-selected frames if the measured change is a threshold or more. - 特許庁

障害がスイッチ素子１２０に発生し、ヒータ１０８の温度が上限温度Ｔｕを超えた場合には、強制スリープ回路１２８は、エンジン制御部１１２を介して、温度信号Ｖｓがしきい値Ｖｒｅｆを下回ったことを検知して、電圧供給部１０６に対して、スリープ電源制御信号がローである状態と同等の信号を出力する。例文帳に追加

If there is trouble in a switching element 120 and the temperature of the heater 108 exceeds upper-limit temperature Tu, a forced sleep circuit 128 detects a temperature signal Vs falling below threshold Vref via an engine control section 112 and outputs a signal equivalent to a state, wherein a sleep power supply control signal is at low level to a voltage supply section 106. - 特許庁

本発明は、フラッシュメモリ装置の電圧生成器に関するものであり、素子の温度が高くなるほど読み出しまたは検出電圧を低く印加し、電源電圧が高い時は読み出しまたは検出電圧は高く印加することにより、常に一定のプログラムセルまたは消去セルのしきい値電圧マージンを維持するようにしてフラッシュメモリ装置の信頼性を高める。例文帳に追加

To improve reliability of a flash memory device by applying a lower reading or detecting voltage as the temperature of an element is higher, and applying a higher reading or detecting voltage when a power supply voltage is higher to maintain an always constant threshold value voltage margin of a program cell or a deletion cell regarding the voltage generator of the flash memory device. - 特許庁

液晶モニタ５０を備えたデジタルカメラにおいて、ＣＣＤ等の撮像素子を介して取得した画像に対し、予め定めたしきい値以下の彩度を示す画像部分（グレイ近傍部分）を検出し、当該画像部分をゼブラマーク１５２や網かけなどの特別な固定パターンでオーバーレイ表示する。例文帳に追加

In a digital camera provided with a liquid crystal monitor 50, an image part (a part near gray) showing saturation equal to or lower than a previously fixed threshold is detected with respect to an image obtained through an imaging device such as a CCD and the image part is overlay- displayed by a special fixing pattern such as a zebra mark, half-tone dot meshing. - 特許庁

排気ガスセンサの信号処理装置であって、排気ガス中の酸素濃度と相関を有する出力信号を発する排気ガスセンサと、前記排気ガスセンサの素子インピーダンスと相関を有するインピーダンス相関値を取得するインピーダンス相関値取得手段と、前記インピーダンス相関値が大きいほど、前記排気ガスセンサの出力信号に大きななまし処理を施す信号処理手段と、を備える。例文帳に追加

This signal processor of the exhaust gas sensor comprises the exhaust gas sensor, which emits the output signal having correlation to oxygen concentration in exhaust gas, an impedance correlation value acquiring means which acquires an impedance correlation value, having correlation to an element impedance of the exhaust gas sensor, and a signal processing means which performs larger annealing process on the output signal of the exhaust gas sensor, the larger the impedance correlation value is. - 特許庁

発光素子１２を電流駆動するトランジスタＴＲ２に対して、そのゲートソース間に設けられた信号レベル保持用のコンデンサＣｓ２にトランジスタＴＲ２のしきい値電圧を設定した後、信号線ＳＩＧの信号レベルを設定することにより、トランジスタＴＲ２のばらつきを補正して階調を設定する。例文帳に追加

The display device corrects irregularity of a transistor TR2 and sets gradation by setting a signal level of a signal line SIG after setting the threshold voltage of the transistor TR2 in the capacitor Cs2 for holding a signal level provided between gate sources of the transistor TR2 to the transistor TR2 driving by current the light emitting element 12. - 特許庁

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。例文帳に追加

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed. - 特許庁

触媒３の酸素ストレージ量に基づいて触媒３の劣化を診断する制御装置６は、温度測定手段１２により検出されたセンサ素子温度に基づいて酸素ストレージ量を補正し、補正された酸素ストレージ量が所定のしきい値に満たない場合に、触媒３の劣化を判定する。例文帳に追加

A control device 6 for diagnosing the deterioration in a catalyst 3 based on an oxygen storage quantity of the catalyst 3, corrects the oxygen storage quantity based on the sensor element temperature detected by a temperature measuring means 12, and determines the deterioration in the catalyst 3 when the corrected oxygen storage quantity is less than a predetermined threshold value. - 特許庁

受光素子からの１回のサンプリングによる測定対象物の複数並んだ構成物品におけるライン状の高さ形状の検出に基づき、測定対象物の構成物品のエッジ情報を抽出し、当該構成物品のエッジの数をカウントして、カウントされたエッジ数と設定されたエッジ数しきい値との比較に基づきその一致度から測定対象物の良否を判定する。例文帳に追加

The edge information of the composition good is extracted and the number of edges of the composition good is counted, based on the detection of the linear height shapes of a plurality of measurement object disposed on the composition good by once sampling from the light receiving element, and the quality of the measurement object is determined based on the degree of coincidence by the comparison of the number of counted edges with the set threshold. - 特許庁

読み出しには差動型のセンスアンプ１０１を使用しその入力ＩＮ＋とＩＮ−にそれぞれＤａｔａ線とＤａｔａＸ線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。例文帳に追加

As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out. - 特許庁

欠陥画素の特性と被写体の信号レベルを利用することによって、固体撮像素子に含まれる欠陥画素を検出するためのしきい値を２つ設定し、それを被写体の明るさに応じて制御することで、欠陥画素と被写体のエッヂを効果的に判定することで、画質への弊害を抑えて欠陥画素を正確に検出する。例文帳に追加

By utilizing a characteristic of a defective pixel and a signal level of an object, two thresholds to detect the defective pixel included in a solid-state imaging element are set and controlling the thresholds depending on the lightness of the object can effectively decide the defective pixel and edges of the object to suppress adverse effect on the image quality and accurately detect the defective pixel. - 特許庁

感光性樹脂からなる柱状スペーサが形成された透明基板に対して、互いに相対する双方向からのラビング処理を行うことにより、しきい値電圧むらにともなう表示不良の発生を防止し、高品位な液晶表示を行うことができる液晶表示素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display element by which a display defect associated with unevenness of threshold voltage can be prevented and liquid crystal display of high quality can be performed by subjecting a transparent substrate on which a columnar spacer consisting of a photosensitive resin is formed to rubbing treatment from two directions opposite to each other. - 特許庁

ラインセンサの各撮像素子について副走査方向に複数ラインの白基準を読取り、読取られた白基準の副走査方向両端部に相当する第１および第２のライン群についてそれぞれ白基準データ設定部２０の平均化回路２１で平均化処理を施し、これらの平均値を比較回路２２で比較し、その大きい方を設定回路２３で白基準データとして設定する。例文帳に追加

In a white criterion reading method, the white criteria of a plurality of lines are read in a subscanning direction with respect to each image pickup element of a line sensor and an averaging section 21 of a white criterion setting section 20 averages first and second line groups corresponding to both end sections of the read white criteria in the subscanning direction. - 特許庁

この装置は、回路遮断器１内に設けられ電路２の漏洩電流を変流する零相変流器３の２次巻線１１の出力に応じて電路２の漏洩電流を検出するマイコン２６ｂと、回路遮断器１に一体的に設けられた表示ユニット２０にマイコン２６ｂが検出した漏洩電流やそのデマンド値を液晶素子２７に表示する。例文帳に追加

The leakage current detected by the micro controller 26b and its demand value are displayed on a display unit 20 integrally provided with the circuit breaker 1 through liquid crystal elements 27. - 特許庁

制御部７は、スイッチング素子のオフタイミングを、第１の相巻線とは異なる第２の相巻線の相電圧が第３しきい値を超えた時点から所定時間経過した時点とするとともに、この所定時間を２相以上の相巻線に対応するダイオード通電期間およびダイオード通電開始時点のいずれかに基づいて設定する。例文帳に追加

The control section 7 takes the time at which a predetermined period expires, after a phase voltage of a second phase winding differing from a first phase winding exceeds a third threshold value, as the off-timing of the switching element, and sets the predetermined period based on either the diode-energizing period, corresponding to the phase winding of two or more phases or the diode energizing start time. - 特許庁

モータ装置により発電が行われると、モータ装置からコンバータへ回生電力が帰還され、コンバータの出力電圧Ｖが上昇して所定のしきい値を超えると、制御回路７によりスイッチング素子６がオン状態となり、音源回路５のパルス形成回路８にコンバータ２の出力電圧Ｖが接続される。例文帳に追加

When power is generated by a motor device, the regenerative power is fed back from the motor device to a converter, and when the output voltage V of the converter rises and gets over a specified threshold, a control circuit 7 switches on a switching element 6, and the output voltage V of the converter 2 is connected to the pulse forming circuit 8 of a sound source circuit 5. - 特許庁

出力電圧を検出したフィードバック信号の入力を監視してフィードバック信号が所定値以下になった場合にショート検出信号を出力するショート検出用比較器１２と、このショート検出信号を受けて外部のスイッチング素子を駆動するためのオン・オフ信号を遮断する論理積ゲート７とを備えている。例文帳に追加

The power supply circuit is provided with a comparator 12 for detecting short circuit by monitoring an input of the feedback signal detecting output voltage to output a short circuit detection signal when the feedback signal below a prescribed value, and a logical product gate 7 cutting off an on/off signal for driving an external switching element by receiving this short circuit detection signal. - 特許庁

光ディスク媒体に照射したレーザーからの反射光を集光する４分割受光素子１１から得られたＲＦ信号を電流電圧変換後加算および増幅し、増幅した信号を正負両極性のコンパレータ１５ａ，１５ｂにより２値化した後論理加算し、論理加算した信号を、ゲイン比が１０：１の関係にある２つの増幅器１７ａ，１７ｂによって増幅する。例文帳に追加

The RF signals obtained from a quadripartite photodetector 11 converging a reflected light from a laser emitted to an optical disk medium are added and amplified after the current-voltage conversion, and the amplified signals are logically added after binarized by comparators 15a, 15b having both positive and negative polarities, then the logically added signals are amplified by two amplifiers 17a, 17b having the relation of gain ratio 10:1. - 特許庁

複数のコレステリック液晶層を一対の電極間に挟み、各電極に電圧が印加されると個々のコレステリック液晶層が独立に駆動する液晶表示素子において、各液晶層間における配向状態を変化させる電圧の各々のしきい値の差を拡げて、独立駆動を容易にすることにある。例文帳に追加

To easily and independently drive individual cholesteric liquid crystal layers by enlarging a difference between thresholds of a voltage for changing oriented states thereof in such a liquid crystal display element that a plurality of cholesteric liquid crystal layers are held in between a pair of electrodes and individual cholesteric liquid crystal layers are driven independently when the voltage is applied between the pair of electrodes. - 特許庁

上記の保護回路５１は、ゲートしきい値電圧が各々異なり負荷電流検出回路５０から出力される同一の負荷電流対応電圧Ｖ_Cがゲートに加えられる２つのＭＯＳＦＥＴ３３，４０を、パワースイッチ素子２のゲート電圧Ｖ__Gを２段階に変化させる保護用スイッチとして用いる。例文帳に追加

The protecting circuit 51 uses two MOSFET 33 and 40, with which gate threshold voltages are respectively different and the same load current correspondent voltage VC outputted from the load current detecting circuit 50 is impressed to gates, as switches for protection for changing the gate voltage VG of the power switch element 2 on two stages. - 特許庁

その結果、スイッチング素子Ｑ１のスイッチングによりコイルＬ１に発生する起電力によって、超音波振動子１への印加電圧は、電源回路１０の出力電圧Ｖと負電圧−Ｖａとの間で振動する波形となり、絶対値としては出力電圧Ｖよりも大きい電圧が印加されることになる。例文帳に追加

As a result, the voltage applied to the ultrasonic vibrator 1 due to electromotive force generated in the coil L1 by switching of the switching element Q1 has such wave shape that vibrates between an output voltage V in the power supply circuit 10 and a negative voltage-Va, and a voltage larger than the output voltage V as an absolute value is applied. - 特許庁

パッケージ２は、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが一表面側に実装される実装基板２ａと、実装基板２ａの上記一表面側に配置されＸＹＺ表色系での三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚそれぞれを検出する３種類のカラーセンサ４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが形成された光検出素子成基板４０とを備えている。例文帳に追加

The package 2 includes: a mounting substrate 2a having the LED chips 1a to 1d mounted on one surface side; and an optical detecting element formation substrate 40 including three kinds of color sensors 4R, 4G and 4B disposed on the one surface side of the mounting substrate 2a and detecting tristimulus values X, Y and Z of an XYZ color system. - 特許庁

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding. - 特許庁

位相参照式の同期ＰＷＭ制御において、電力変換器２の半導体スイッチ素子をオン／オフ駆動するスイッチ指令にデッドタイムＴｄを挿入するのに伴って電力変換器２の出力電圧誤差が生じないように、スイッチ指令の生成に使用する位相閾値をデッドタイム補償位相Δθで補正してデッドタイム補償を行うデッドタイム補償器１４を設けた。例文帳に追加

In the synchronous PWM control of phase reference type, a dead time compensator 14 performing dead time compensation by correcting the phase threshold used for generating a switch command with the dead time compensation phase Δθ is provided so that the output voltage error of the power converter 2 does not arise when a dead time Td is inserted into the switch command for on/off driving the semiconductor switch element of the power converter 2. - 特許庁

外部装置（リーダライタ）２が備える送電用アンテナコイル６と受電用アンテナコイル１１との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路１４内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子１３のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。例文帳に追加

If the electric power supplied by electromagnetic coupling caused between the power receiving antenna coil 11 and a power transmitting antenna coil 6 provided to the external device (reader writer) 2 becomes excessive, an internal temperature rises especially due to heating inside the constant voltage circuit 14, which changes a capacitance value of the capacitive element 13, resulting in changes in resonance frequency of the resonance circuit. - 特許庁

一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子の有機化合物層の少なくとも一つが、有機化合物に起因する不純物の含有量がヘキサデカン換算値で１０ｎｇ／ｃｍ^2以下となる有機化合物層とするか、有機化合物に起因する不純物の含有個数が１０個以下となる有機化合物層とした。例文帳に追加

In a luminous element, at least one of organic compound layers of layers in the luminous element located between a pair of electrodes contains 10 ng/cm^2 or less of impurity due to an organic compound when hexadecane conversion is carried out, or contains 10 impurities or less due to the organic compound. - 特許庁

輝度補償データ取得動作において、データドライバ１４０は、測定用電圧ＶmeasをデータラインＬｄに印加し、データラインＬｄと接点Ｎ１２間に設けられるトランジスタＴｒ１２を導通させることにより、画素ＰＩＸに設けられた有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を電流計１４６ｃにより測定し、輝度補償データとしてメモリ１４８に記憶する。例文帳に追加

In luminance compensation data-obtaining operation, in a data driver 140, a current value of a current Imeas flowing in an organic EL element OEL provided at a pixel PIX is measured by an ammeter 146c by applying voltage Vmeas for measuring to a data line Ld and by conducting a transistor Tr12 provided between the data line Ld and a contact N12, and it is stored in a memory 148 as luminance compensation data. - 特許庁

γ線検出信号処理装置４１は、γ線の吸収により半導体検出器１ａ、１ｂ・・・１ｎから出力される信号の立ち上がり時間に基づいて、時刻補正値Δτ及び半導体検出素子２ａ、２ｂ・・・２ｎ内部でのγ線の吸収位置Ｎ′を出力する補正データ生成装置１６を備える。例文帳に追加

A γ-ray detection signal processor 41 includes a correction data generator 16 for outputting a time correction value Δτ and an absorption position N' of a γ-ray inside semiconductor detection elements 2a-2n, on the basis of a rising time of a signal output from semiconductor detectors 1a-1n by absorption of the γ-ray. - 特許庁

センサ素子１０の個体差に起因したセンサ出力のバラツキを補正するための補正情報に対応した抵抗値を有する補正抵抗体２２０は、電極リード部２３６，２３７を介して電極パッド２３２，２３３に接続され、この電極パッド２３２，２３３に接続されたＶＳセル２４５に対し、電気的に並列接続されている。例文帳に追加

A correction resistor 220, which has the resistance value corresponding to correction data for correcting variations of sensor output caused by the individual difference of the sensor element 10 is connected to electrode pads 232 and 233 through electrode leads 236 and 237 and electrically connected to the VS cell 245 connected to the electrode pads 232 and 233 in parallel. - 特許庁

印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置される位相補正光学素子であって、少なくとも一方の電極１０には、２以上の電極領域１１〜１３を設け、少なくとも２つの電極領域の間に、多数の孔部１が形成された孔部形成領域１４、１５を設ける。例文帳に追加

In the phase correction optical element wherein a pair of electrodes at least one of which is light transmissive are disposed sandwiching an anisotropic optical medium whose optical characteristics are changed by an applied voltage value, two or more electrode areas 11 to 13 are provided on at least one electrode 10 and hole part formation areas 14 and 15 where numbers of hole parts 1 are formed are provided between at least two electrode areas. - 特許庁

多層膜を有する光学素子の製造方法において、前記多層膜に波長２乃至４０ｎｍの光を入射させた際に該多層膜から放出される二次放射線を計測し、該計測値に基づいて該多層膜へ入射する光と該多層膜から反射する光との位相差を決定するステップと、前記位相差に基づいて前記多層膜の膜厚を制御するステップとを設ける。例文帳に追加

The method for manufacturing the optical element having the multilayer film comprises: a step of measuring secondary radiation released from the multilayer film when light of wavelength 2 to 40 nm is made incident on the multilayer film and determining a phase difference between light made incident on the multilayer film in accordance with the measured value and light reflected from the multilayer film; and a step of controlling the film thickness of the multilayer film in accordance with the phase difference. - 特許庁

制御部１５は、各画素１１_ijのキャパシタＣ１に電圧の書き込みを行った後、トランジスタＴ１，Ｔ２がオンするように制御し、アノード回路１２から、各画素１１_ijのトランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子１１１に所定の電流値の検定電流を供給するようにアノード回路１２を制御する。例文帳に追加

A control unit 15 performs control so as to write a voltage in the capacitor C1 of each pixel 11_ij and then, turn on transistors T1 and T2 and controls an anode circuit 12 so as to supply a test current having a predetermined current value to an organic EL element 111 from the anode circuit 12 through the transistor T3 of each pixel 11_ij. - 特許庁