「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond. - 特許庁

液晶材料との相溶性に優れ、低粘性でかつしきい値電圧の改善されたシリコン化合物、液晶組成物及び該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子の提供。例文帳に追加

To provide a silicone compound excellent in compatibility with a liquid crystal material, having low viscosity and improved threshold voltage, a liquid crystal composition and a liquid crystal display element using the liquid crystal composition. - 特許庁

電荷がセル内に集中することを防止することにより、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a flash memory element for preventing a cell from being erased excessively and making uniform the threshold voltage distribution of a memory cell array by preventing an electric charge from being centered in the cell. - 特許庁

発光素子４５０の発光効率が低下しそのしきい値電圧が上昇するとノードＮ２の電圧も上昇し、トランジスタ４３０のゲート・ソース間電圧が上昇する。例文帳に追加

When the light-emitting efficiency of a light-emitting element 450 falls and its threshold voltages rise, the voltage of a node N2 also rises, and the voltage between gate and source of a transistor 430 rises. - 特許庁

トランジスタのしきい値電圧を補償して一つの画素回路を介して複数の発光素子が発光するようにした発光表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting display in which a plurality of light-emitting elements emit light through one pixel circuit by compensating for the threshold voltage of a transistor. - 特許庁

初期化期間では、トランジスタ２１１、２１２をオンさせ、容量素子の両端を短絡した状態にして、ノードＡ、Ｂに、電源電圧Ｖ_ELから駆動トランジスタ２１０のしきい値電圧Ｖ_thpを差し引いた電圧とさせる。例文帳に追加

In an initialization period, transistors 211 and 212 are turned on to hold both ends of a capacitor element shorted and the voltage obtained by subtracting the threshold voltage V_thp of the driving transistor 210 from a power source voltage V_EL is held at nodes A and B. - 特許庁

かくしてプログラム／消去特性が改善され、インターフェーストラップの密度が減少し、しきい値電圧シフトが改善され、素子の電気的特性が改善される。例文帳に追加

In this way, the program/deletion characteristics are improved, the density of an interface trap is reduced, the threshold value voltage shift is improved, and thus the electrical characteristics of the device are improved. - 特許庁

過電流しきい値は過電流検出回路１５_１、１５_２毎に異なり、当該過電流しきい値に応じて設定された過電流継続時間で計測時間がタイムアップしたときにはワイヤハーネス２２に過電流が流れているとしてスイッチング素子１２をオフする。例文帳に追加

The overcurrent threshold differs for each of the overcurrent detection circuits 15_1, 15_2, and a switching element 12 is turned off, by determining that an overcurrent is flowing to the wire harness 22, when measurement time is up at an overcurrent continuation time set, according to the overcurrent threshold. - 特許庁

ＣＰＵ２１はサージ電圧及び電動機１０に流れるモータ実電流に基づいて最大許容モータ電流値を演算する最大許容モータ電流値演算手段と、最大許容モータ電流値を超えないようにスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を制御する制御手段としても機能する。例文帳に追加

The CPU 21 also functions as a calculating means for calculating the maximum allowable motor current value, based on the surge voltage and the actual motor current flowing into the motor 10, and as a control means for controlling switching elements Q1 to Q6 so that the allowed motor current value will not exceed the maximum allowed motor current value. - 特許庁

有機材料と無機材料の有するメリットを併せ持ち、長寿命で、効率が改善され、動作電圧が低く、特に高性能の平面型カラーディスプレー用として、実用的価値の大きい有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element of a long life having both of merits inherent in an organic material and an inorganic material, improved in efficiency, and having a low operation voltage, in particular practically valuable for a flat type color display of high performance. - 特許庁

有機電界発光素子の劣化による残像現象及び寿命減少現象を抑制して駆動トランジスタのしきい値電圧も補償することを目的とする。例文帳に追加

To compensate for the threshold voltage of a driving transistor by suppressing an afterimage phenomenon and a life shortening phenomenon due to deterioration of an organic electroluminescence element. - 特許庁

信号判定スイッチＭ１ａ〜Ｍｎａにより、赤外線検出素子部１において走査選択された行の各画素から出力される検出信号Ｖ１〜Ｖｎが所定のしきい値以上であるか否か判定する。例文帳に追加

Signal decision switches M1a to Mna are used to decide whether or not detection signals V1 to Vn outputted from pixels of rows scanned and selected by an infrared ray detection element section 1 have a prescribed threshold value or over. - 特許庁

そして、受光素子から入力される受信ブロックを構成する複数の受光パルスとしきい値とに基づき、車室内照明を点灯または消灯する。例文帳に追加

The interior illumination is put on or put off on the basis of the threshold and the light reception pulses constituting a signal receiving block fed from the light receiving element. - 特許庁

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar plane of a support base body in which a c-axis of a hexagonal group III nitride is inclined in an m-axis direction. - 特許庁

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis. - 特許庁

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laser device including a laser resonator allowing a low threshold current on a semipolar surface of a support substrate where the c-axis of hexagonal group III nitride is inclined in the direction of the m-axis. - 特許庁

六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis. - 特許庁

フォーカシング時に被写体輝度がしきい値よりも高い場合には、各画素「Ｂ」，「Ｇ１」，「Ｇ２」，「Ｒ」の光電変換素子α，βからそれぞれ独立して画素信号を出力する（図４（ａ））。例文帳に追加

When the subject luminance is higher than a threshold at the time of focusing, picture signals are outputted independently from respective photoelectric transducing devices α and β of each pixel 'B', 'G1', 'G2', and 'R' (drawing 4 (a)). - 特許庁

前記相異なるチャンネル型の両トランジスタは、しきい値電圧△ＶTにおけるばらつきを補償し、そのため、比較的△ＶTに依存しない有機エレクトロルミネッセンス素子への駆動電流を提供する。例文帳に追加

The transistors, being of opposite channel, compensate for any variation in threshold voltage ΔVT and therefore provide a drive current to the OEL element which is relatively independent of ΔVT. - 特許庁

安定的な自己整列コンタクトを形成すると同時にプログラム動作の際にしきい値電圧干渉現象(Vt disturbance)を最小化しかつ動作速度を向上させることができる、フラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provided a flash memory device and a manufacturing method of the same, capable of forming a stable self-aligned contact, minimizing threshold voltage disturbance, when operating a program and improving the operating speed. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser. - 特許庁

その結果としてしきい値電圧の制御性を向上させ、低電源電圧化の可能な、その結果として低消費電力化の可能な不揮発性半導体記憶素子を得ることができる。例文帳に追加

Consequently, the controllability of the threshold voltage is improved and the power-supply voltage can be reduced and the nonvolatile semiconductor storage element capable of reducing a consumption power can be obtained. - 特許庁

多次元閉じ込め量子井戸を有する電界効果型半導体装置に関し、スケーリング則に拘わらず、微細化した素子のしきい値電圧Ｖ_thを自由に調整する。例文帳に追加

To freely adjust the threshold voltage Vth of a fined element in spite of a scaling rule on a field effect semiconductor device having a multidimensional confinement quantum well. - 特許庁

少なくとも一方が透明電極である一対の電極間に、異なるしきい値電圧を有する少なくとも２種の二周波駆動スメクチック液晶組成物を含有する液晶層が設けられてなることを特徴とする液晶素子。例文帳に追加

The liquid crystal element has the liquid crystal layers containing at least two kinds of two-frequency driven smectic liquid crystal compositions having different threshold voltages, formed between the pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode. - 特許庁

圧縮歪の活性層を有する半導体レーザ素子において、しきい値電流の温度依存性を改善し、さらに高出力まで高い信頼性を得る。例文帳に追加

To improve the temperature-dependence of the threshold current of a semiconductor laser element having a compressively strained active layer and, in addition, to improve the reliability of the element to high power. - 特許庁

制御棒位置が目標位置に対してあらかじめ定めた手前の値に達したら、該半導体スイッチング素子１３Ｂにより誘導電動機７及び電磁ブレーキ１５への電力供給を遮断し、電磁ブレーキ１５を作動させる。例文帳に追加

When the position of the control rod reaches to a previously determined value short of a target position, the power supply to the induction motors 7 and the electromagnetic brake 15 is cut off by the semiconductor switching element 13B and the electromagnetic brake 15 is operated. - 特許庁

ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。例文帳に追加

For the substance with high gettering effects, the substance with the value of oxygen gas adsorption energy of 145 kcal/mol or more is adequate, and Ta (tantalum) as the substance forming the magnetoresistive effect element is particularly preferred. - 特許庁

ビデオオーバーレイ光受信器１００であって、光信号を電気信号に変換する受光素子１１０と、５０Ωの出力インピーダンス値を有し、電気信号増幅するトランスインピーダンス増幅器１４０とを有する。例文帳に追加

The video overlay optical receiver 100 includes: a light-receiving device 110 arranged to convert an optical signal into an electrical signal and a transimpedance amplifier 140 having an output impedance value of 50 Ω for amplifying the electrical signal. - 特許庁

この制御部２は、ＰＭＯＳ・Ｑ３と、ＮＭＯＳ・Ｑ４と、容量素子Ｃｄとを備え、Ｑ１あるいはＱ２のＯＦＦしている側のトランジスタのしきい値電圧を上昇させ、オフリークを防止する。例文帳に追加

The control section 2 comprises a PMOS.Q3, an NMOS.Q4, and a capacitive element Cd wherein off-leak is prevented by increasing the threshold voltage of the transistor Q1 or Q2 on the turn off side. - 特許庁

製造容易で、しかも素子の高集積化を可能とする多信号入力しきい値処理用半導体装置であるνＭＯＳトランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-signal input threshold value processing semiconductor device, i.e., a νMOS transistor, in which high integration of elements can be realized while facilitating fabrication. - 特許庁

撮像素子1010で、標準より短い露光時間で撮影された非標準露光映像信号1070のレベルと、キズしきい値信号レベル1083を、信号レベルキズ検出手段1080で比較する。例文帳に追加

An image pickup element 1010 of this video signal processor compares the level of a nonstandard exposure video signal 1070 that is photographed in an exposure time shorter than the standard one with the level of a flaw threshold signal 1083 via a signal level flaw detection means 1080. - 特許庁

各光送信器１−１〜１−３の発光素子のバイアス点は発光閾値付近もしくはそれ以下に設定されており、光送信器１−１〜１−３は信号入力時、バースト光信号を出力する。例文帳に追加

The bias points of light emitting elements in respective optical transmitters 1-1 to 1-3 are set up to the vicinity of a light emission threshold or less, and at the time of signal input, transmitters 1-1 to 1-3 output burst optical signals. - 特許庁

また、ＰＷＭパルス出力器１２は、電池ブロック４の全電圧値から発振器１４の出力デューティ比を変更して、第１のスイッチ素子１３に出力に出力する。例文帳に追加

A PWM pulse output device 12 changes the duty ratio of an oscillator 14 in accordance with the voltage values of all the batteries of the battery block 4 and outputs the changed ratio to the 1st switching device 13. - 特許庁

このとき、図示せぬ電流制御系の異常などにより自己消弧型半導体素子２ｂ，２ｃが負荷電流を正しく制御できなくなると、短絡電流Ｉｓがしきい値Ｉｔ以上になる場合がある。例文帳に追加

When self-extinguishing semiconductor elements 2b and 2c become impossible to properly control a load current due to the abnormality of a current control system while the load current Io is smaller than the threshold It, a short-circuiting current Is may become larger than the threshold It. - 特許庁

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。例文帳に追加

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer. - 特許庁

本発明の光学機器１は、撮像素子基板の位置信号および移動速度信号をフィードバックし、撮像素子基板の位置が目標値に追従するようにアクチュエータへの操作信号を生成するコントローラ７と、速度フィードバック量切替手段１２と、目標値切替手段１３とを備える。例文帳に追加

The optical equipment 1 is provided with: a controller 7 for feeding back the position signal and the moving velocity signal of an imaging device substrate and generating an operation signal for an actuator so that the position of the imaging device substrate may follow the target value; a velocity feedback quantity switching means 12; and a target value switching means 13. - 特許庁

ＭＯＮＯＳ素子にデータを書き込む際に、書き込み後のしきい値電圧が、データ書き込み時にゲート電極に印加した電圧にほぼ等しくなるようにすること。例文帳に追加

To set a threshold value voltage after writing almost equal to a voltage applied to a gate electrode during data writing when data is written in a MONOS element. - 特許庁

低電圧駆動を可能とするに十分な低いしきい値電圧を維持しつつ、誘電率異方性を小さくすることができる液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid crystal composition lowered in dielectric constant anisotropy while maintaining low threshold voltage enough to enable low-voltage driving, and to provide a liquid crystal display device using the liquid crystal composition. - 特許庁

カップリングを防止し且つ均一性を確保することにより、プログラムしきい値電圧変動を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a flash memory element which reduces a programmed threshold voltage variation by preventing coupling and securing uniformity, and to provide its driving method and a manufacturing method. - 特許庁

横モードを安定させるために電流阻止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、しきい値電流と順方向電圧を低減し、信頼性を向上する。例文帳に追加

To decrease a threshold current and forward voltage and improved reliability in the nitride compound semiconductor light-emitting device where a current blocking layer is provided so as to stabilize the lateral mode. - 特許庁

複数のトランジスタ型の容量素子１，２を並列に接続して構成し、ゲート絶縁膜の膜厚Ｔｏｘやチャネル濃度の相違により、しきい値電圧Ｖｔｈが互いに異なるように形成する。例文帳に追加

A plurality of transistor type capacitive element 1, 2 are connected in parallel, and each threshold voltage Vth is different each other by a difference of gate insulating film thickness Tox, or channel density. - 特許庁

ＲＦ信号増幅用の第1の能動素子１０４の制御用端子１０６に電圧を供給するバイアス回路において、第１及び第２の温度補償用回路と、しきい値電圧バラツキ補償用回路と、を備える。例文帳に追加

The bias circuit for applying a voltage to a control terminal 106 of a first active element 104 for amplifying an RF signal includes: first and second temperature compensation circuits; and a threshold voltage dispersion compensation circuit. - 特許庁

ｐＭＯＳトランジスタにｃＳｉＧｅとｅＳｉＧｅを適用し、且つゲート絶縁膜におけるダメージ発生を防止でき、素子特性の向上及びしきい値制御性の向上をはかる。例文帳に追加

To improve characteristics of an element as well as controllability of threshold by applying cSiGe and eSiGe to a pMOS transistor and preventing the occurrence of a damage in a gate insulation film. - 特許庁

ＭＩＳトランジスタに適当なしきい値電圧が与えられる一方、抵抗素子はシリコン膜からなる抵抗体層の異常成長を抑制して、シリコン膜の膜厚を安定化する。例文帳に追加

To impart a suitable threshold voltage to an MIS transistor, and to suppress the abnormal growth of a resistor layer formed of a silicon film to stabilize the thickness of the silicon film. - 特許庁

発光素子を駆動する駆動用トランジスタのしきい値電圧と電流増幅率の両方に対して補正をして、より均一な表示をすることができる表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device capable of more uniform display by correcting both a threshold voltage of a driving transistor for driving a light emitting element and a current amplification factor. - 特許庁