「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、ＦＥＴ３のしきい値電圧より素子温度を検出する。例文帳に追加

The temperature of the element is also detected by means of the threshold voltage of the FET 3. - 特許庁

電流しきい値の低いリッジ型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a ridge semiconductor laser device with a low current threshold. - 特許庁

その素子間距離がルール値よりも大きいか否かを判断し、大きい場合には、ペアを構成する素子の名称、ならびに素子間距離を素子間距離ルール違反として格納する。例文帳に追加

It is decided whether or not the element distance is larger than a rule value and when so, the names of the elements constituting the pair and the element distance are stored as an element distance rule violation. - 特許庁

また、コントローラＣＰＵ８３は、駆動電流値が最も大きい発光素子を基準発光素子とし、当該基準発光素子の光量を基準として他の発光素子の光量を補正するようにしてもよい。例文帳に追加

The controller CPU 83 may define the luminescence element with the largest current value as a standard luminescence element and correct the light amount of other luminescence element on the basis of the light amount of the standard luminescence element concerned. - 特許庁

複数のしきい値候補の中から１つのしきい値を設定できる機能を有する可変しきい値しきい素子回路を、２段論理回路の１段目と２段目の双方に使用することによって、しきい素子数を低減している。例文帳に追加

The number of threshold elements is reduced by using a variable threshold value threshold element circuit having a function capable of setting one threshold value among a plurality of threshold value candidates for both a first stage and a second stage of a two-stage logic circuit. - 特許庁

フラッシュメモリ素子のしきい値電圧を安定的に維持することを可能にした半導体メモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of stably maintaining the threshold voltage of a flash memory element. - 特許庁

黄色の光量が閾値よりも少なくなったときに、そのメインのＬＥＤ素子に隣接しているサブのＬＥＤ素子を点灯して、黄色の光を補う。例文帳に追加

When the quantity of yellow light becomes smaller than a threshold, the sub LED elements adjacent to the main LED elements are lighted to supplement yellow light. - 特許庁

しきい値電圧のばらつきが小さい記憶素子部と、低消費電力で高速な論理素子部を有する半導体装置を可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a storage element portion having small variance in threshold voltage and a fast-speed logic element portion with low power consumption. - 特許庁

発振しきい値電流が小さい面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a surface light emitting laser element which has a small oscillation threshold current, and to provide the surface light emitting laser element. - 特許庁

発振しきい値電流が小さい面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a surface-emitting laser element showing a small oscillation threshold current, and the surface-emitting laser element. - 特許庁

可変しきい値しきい素子回路、関数機能再構成可能集積回路および回路状態保持方法例文帳に追加

VARIABLE THRESHOLD ELEMENT CIRCUIT, FUNCTION FEATURE CONSTRUCTABLE INTEGRATED CIRCUIT AND CIRCUIT CONDITION HOLDING METHOD - 特許庁

その後、抵抗素子３７に流れる電流がしきい値Ａを超えたことを判定すると、スイッチ素子３１をオフする。例文帳に追加

After that, when it is determined that the current flowing to the resistor element 37 exceeds a threshold A, the switch element 31 is turned off. - 特許庁

その後、ＴＦＴ素子Ｑ２を遮断したままＴＦＴ素子Ｑ３を導通させることにより、ＴＦＴ素子Ｑ１に設定した値の電流を電圧源回路から電源配線ＰＷ（１）を介して有機ＥＬ素子ＥＬ１に流し、有機ＥＬ素子ＥＬ１を駆動する。例文帳に追加

Then while TFT element Q2 is cut off, the TFT element Q3 is turned on to supply a current having the value set to the TFT element Q1 from a voltage source circuit to the organic EL element EL1 through the power supply wiring PW(1), thereby driving the organic EL element EL1. - 特許庁

そこで、電圧の積分値を用いることで、こうしたピエゾ素子の電圧振動に起因した問題を回避しつつピエゾ素子の変位量を計測する。例文帳に追加

By using the integrated value of the voltage, those problems caused by the voltage vibration of the piezoelectric element is avoided and the displacement of the piezoelectric element is measured. - 特許庁

更に、容量素子３，７は相互に電気的に絶縁されているため、容量値の誤差が比較的小さい容量素子３と、容量値の誤差が比較的大きい容量素子７とを、用途ごとに使い分けることができる。例文帳に追加

Further, since the capacity elements 3 and 7 are insulated electrically mutually, the capacity element 3 with comparatively small error of the capacity value, and the capacity element 7 with comparatively large error of the capacity value, can be used properly for every use. - 特許庁

そして、ＴＦＴ素子Ｑ２・Ｑ３を遮断して、コンデンサＣ１に上記電流の値に応じたＴＦＴ素子Ｑ１のゲート・ソース間電圧を保持させることにより、有機ＥＬ素子ＥＬ１を駆動する電流の値を設定する。例文帳に追加

Then the TFT elements Q2 and Q3 are turned off and a capacitor C1 holds the gate/source voltage of the TFT element Q1 corresponding to the value of the current, thereby setting a value of a current driving the organic EL element EL1. - 特許庁

これにより、検知素子での発熱に起因した温度変化による参照素子の抵抗値変化を防ぐことができ、正確な濃度測定が達成される。例文帳に追加

The resistance value of the reference element is thereby prevented from being varied by a temperature variation resulting from the heating in the detecting element to attain accurate concentration measurement. - 特許庁

画素の光取り出し効率を変化させることなく、有機ＥＬ素子等の電気光学素子の容量値を任意に設定可能とする。例文帳に追加

To make it possible to arbitrarily set the capacity value of an electrooptical element such as an organic EL element, without changing the optical ejection efficiency of a pixel. - 特許庁

素子形成領域の端部のチャンネル起因の閾値電圧低下の抑制や、隣接素子との間のリーク電流の低減を可能にする。例文帳に追加

To suppress threshold voltage drop due to a channel at the end of an element formation region, and to reduce a leak current between adjacent elements. - 特許庁

半導体発光素子の漏れ電流を低減し、発振しきい値電流の低下を図ること。例文帳に追加

To decrease oscillation threshold current by reducing the leakage current of a semiconductor light-emitting element. - 特許庁

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去しきい値電圧分布モニタリング方法例文帳に追加

METHOD OF MONITORING ERASE THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION IN NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE - 特許庁

しきい値のない反強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物および液晶素子例文帳に追加

ANTIFERROELECTRIC CHIRAL SMECTIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION HAVING NO THRESHOLD VALUE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT - 特許庁

しきい値電圧を増大させることなくバッファ層を高抵抗化して素子を高耐圧化できること。例文帳に追加

To make a device capable of withstanding high voltage by making a buffer layer high resistance without increasing threshold voltage. - 特許庁

電位降下が小さく、低しきい値の電子放出素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electron emission element having a small potential drop and electron emission of a lower threshold value and a method of manufacturing the same. - 特許庁

しきい値のない反強誘電性液晶組成物およびこれを用いた液晶表示素子例文帳に追加

ANTIFERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION WITH NO THRESHOLD VALUE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

セルのしきい値電圧の低下を防止できる半導体素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which can prevent the threshold voltage of a cell from dropping; and a manufacturing method thereof. - 特許庁

メタルゲートを用いたＦＥＴの、しきい値を低下させ素子の消費電力を抑制する。例文帳に追加

To lessen an FET with a metal gate in threshold voltage and to restrain its power consumption. - 特許庁

このため、素子領域周辺に形成される寄生トランジスタのしきい値が高くなる。例文帳に追加

Thus, a threshold of a parasitic transistor formed around the element region is increased. - 特許庁

高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a normally-off semiconductor device having high threshold voltage and low leakage current. - 特許庁

しきい値電流の低減化が図られた半導体レーザ素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element with a small threshold current. - 特許庁

決定素子しきい値の高速調整を容易にする擬似誤差モニタも設けられている。例文帳に追加

A false error monitor which facilitates high-speed adjustment of a determiner threshold is also arranged. - 特許庁

発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a luminous element which is high in luminous efficiency and low in an operating current or threshold current. - 特許庁

可変しきい値しきい素子回路、関数機能再構成可能集積回路、しきい値リフレッシュ方法および関数機能構成方法例文帳に追加

VARIABLE-THRESHOLD THRESHOLD ELEMENT CIRCUIT, FUNCTION RECONSTITUTABLE INTEGRATED CIRCUIT, THRESHOLD REFRESHING METHOD, AND FUNCTION CONSTITUTING METHOD - 特許庁

外部磁界が、Ｈｅｘ２の場合、ＭＩ素子１とＭＩ素子３が外部磁界Ｈｅｘ２を検出し、その出力電圧１と出力電圧３を夫々検出したい外部磁界しきい値を越え、素子１と２がＯＮになる。例文帳に追加

When the external magnetic field is the Hex 2, the MI element 1 and the MI element 3 detect the external magnetic field Hex 2, the output voltage 1 thereof and an output voltage 3 thereof exceed respectively the external magnetic field threshold value, and the elements 1, 2 are turned on. - 特許庁

素子が保持している同一の情報をｍ回読み出し（Ｓ１１４）、その信号のばらつきを計算し（Ｓ１１６）、ばらつきが基準値よりも大きい素子を特定素子と選定する（Ｓ１１８）。例文帳に追加

The same information held by elements is read m-times (S114), the dispersion of the signal is calculated (S116), and the element with the dispersion larger than a reference value is selected as a specific element (S118). - 特許庁

これにより、電圧Ｖ_G-Sのピーク電圧が、スイッチング素子のしきい値よりも低くなるまで、スイッチング信号のオンデューティが高くなると、スイッチング素子の駆動が停止して、スイッチング素子の保護が図られる。例文帳に追加

With such a constitution, if the on-duty level of the switching signal is as high as to make the peak value of the voltage VG_-S lower than the threshold of the switching device, the drive of the switching device is discontinued to protect the switching device. - 特許庁

しきい値電圧調節のためのイオンが注入された領域のイオン濃度分布を一定にして素子の性能を向上させることを可能にする半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a device isolation film in a semiconductor device in which a performance of a device is improved by making a constant ion concentration distribution of a region where ions for controlling a threshold voltage are implanted. - 特許庁

第１のＭＯＳ型素子形成領域である第１領域３０をレジスト膜８でマスクした後、第２のＭＯＳ型素子（高ＶｔｈＭＯＳ型素子）用のしきい値電圧調整層９を形成する。例文帳に追加

A threshold voltage adjustment layer 9 for the second MOS element (high Vth MOS element) is formed after a first region 30 as a first MOS element forming region is masked with a resist film 8. - 特許庁

低しきい値電圧化したゲート素子を適用する遅延パス領域を、低しきい値電圧化される前の最大遅延値２３から（これより高速で）これに低しきい値電圧化したゲート素子を適用した場合の新たな最大遅延値２４までの（これより遅い）範囲にある遅延パスに限定する。例文帳に追加

A delay path region where a gate element lowered in threshold voltage is applied is limited to a range from the maximum delay value 23 (faster than this) before a gate element lowered in threshold voltage is applied to the new maximum delay value 24 (slower than this) when a gate element lowered in threshold voltage is applied. - 特許庁

発光素子は温度変化に起因して、その電流値が変動する性質を有する。例文帳に追加

To solve the problem that the current value of a light emitting element fluctuates due to temperature variation. - 特許庁

しきい素子を複数段結合しているしきい素子回路において、複数のしきい値の中から、１つのしきい値を選択することが可能な構造を有し、上記選択された１つのしきい値が、多値表現されている信号であることを特徴とする関数機能再構成可能集積回路である。例文帳に追加

The function faculty reconstitutable integrated circuit is characterized in that a threshold element circuit having a plurality of stages of threshold elements coupled has a structure which can select one of a plurality of thresholds and the selected one threshold is a signal in multi-valued representation. - 特許庁

発光素子を駆動するトランジスタのしきい値電圧を補正する期間を調整しなくても、正しくしきい値電圧を補正できるようにする。例文帳に追加

To correctly correct threshold voltage even when not regulating a period correcting the threshold voltage of a transistor driving a light emitting element. - 特許庁

膜厚のばらつきに起因する抵抗値の変動を抑制し、より高精度な抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-precision resistor element by minimizing variation in resistance due to variation in film thickness. - 特許庁

そして、有機ＥＬ素子１に流れる電流の平均値が２０ｍＡ／ｃｍ^2以下である。例文帳に追加

The mean value of a current made flow through the organic EL elements is ≤20 mA/cm^2. - 特許庁

２つの有機ＥＬ素子で光量補正値を共有化して同一の補正値とする事で、補正値メモリを共通化している。例文帳に追加

A light amount correction value is used in common by two organic EL elements so as to have the same correction values, then, a correction value memory is used in common by the two organic EL elements. - 特許庁