「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

トランジスタＭａｍｐは、他のトランジスタＭｓｅｌ、ＭｒｓｔやゲートＭｃｃｄ、Ｍｇｘ１、Ｍｇｘ２とは基板が分離して構成されており、基板効果を避け、また、他の素子よりもしきい値が低く設定された構造とされている。例文帳に追加

The transistor Mamp has its substrate separated form other transistors Msel and Mrst and gates Mccd, Mgx1, and Mgx2 to avoid the substrate effect and has its threshold set lower than other elements. - 特許庁

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment. - 特許庁

本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。例文帳に追加

The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold. - 特許庁

上記のしきい値Ｖｒｅｆは、受光素子から出力される略正弦波信号の変化範囲０〜５Ｖの中間レベル２．５よりも遮光電位側の約４Ｖに設定されている。例文帳に追加

The threshold value Vref is set to about 4 V more on the light shielding potential side than the intermediate level 2.5 of the variation range 0-5 V of the almost sine wave signals outputted from the light receiving element. - 特許庁

ゲート幅が減ることによってしきい値電圧が減少するＩＮＷＥ現象を防止するのに好適な半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a suitable manufacturing method for semiconductor elements to prevent an INWE phenomenon wherein the threshold voltage of the semiconductor element is decreased owing to the reduction of its gate width. - 特許庁

制御手段は、測定回路によって測定される不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧と読み出し回路のセンスレベルとを一致させるように制御する。例文帳に追加

The controller controls the thermal equilibrium threshold voltage measured by the measuring circuit on the nonvolatile memory element and the sense level of the read circuit to match each other. - 特許庁

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。例文帳に追加

The characteristics of a semiconductor device are controlled by controlling the doping method with electrical characteristics of the semiconductor device (threshold voltage in case of a transistor etc.) monitored exactly and minutely using a contact angle. - 特許庁

発振しきい値電流や動作電流を低く抑えることができ、微分量子効率の低下を抑制でき、信頼性も向上させることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element wherein an oscillation threshold current and an operation current can be restrained to be low, the deterioration of differential quantum efficiency can be restrained and reliability can be improved. - 特許庁

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage. - 特許庁

液晶表示素子は一対の電極基板５と、一対の電極基板５間に挟持される無しきい値型電圧−透過率特性のスメクチック液晶材料の液晶セル１とを備える。例文帳に追加

This liquid crystal display element is provided with a pair of electrode substrates 5, and a liquid crystal cell 1 of a smectic liquid crystal material which is held between a pair of the electrode substrates 5 and has a thresholdless voltage-transmittance characteristic. - 特許庁

シャント抵抗電流Ｉ１２がしきい値ＩＴＨを超えて上昇すると、同期整流素子であるトランジスタＱ１１のスイッチング動作が開始される。例文帳に追加

When a shunt resistor current I12 increases beyond a threshold value ITH, the switching operation of a transistor Q11 as a synchronous rectification element is started. - 特許庁

抵抗素子としてＦＥＴの活性層を用いる半導体集積回路において、しきい値電圧Ｖｔのばらつきがバイアス電圧に影響を与えないバイアス電圧発生回路を提供する。例文帳に追加

To provide a bias voltage generating circuit wherein the variation in threshold voltage does not affect a bias voltage, related to a semiconductor integrated circuit where the active layer of a FET is used as a resistance element. - 特許庁

スイッチング素子のしきい値電圧が通電時間経過により変動しても正確な画像を形成することができる半導体装置、電気光学装置および電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of forming an accurate image even if the threshold voltage of a switching element varies with an electrification time, an electrooptical device, and electronic equipment. - 特許庁

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。例文帳に追加

An electric characteristic of a semiconductor element (threshold voltage in a transistor and the like) is correctly and precisely monitored by using a contact angle, and the characteristic is controlled by controlling this doping method. - 特許庁

発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。例文帳に追加

To solve the following problem: upon performing a low grayscale display with a minute current supplied to a light-emitting element, variations in threshold voltages become notable since a gate-source voltage of a driving transistor is small. - 特許庁

その後、検出光量が第２閾値：ＲＥＦ２より大きいとき（ステップ１３０）、ステップ１３１に進んで、デューテイ比を１レベル低減して、照明制御部５６によって、発光素子４４ａ〜４４ｃを間欠点灯させる。例文帳に追加

Afterwards, when the quantity of detected light is greater than a second threshold REF2 (step 130), a step 131 is started for decreasing the duty ratio by one level so that the light emitting elements 44a-44c can be intermittently turned on by the illumination control part 56. - 特許庁

本発明は、不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧を測定するための測定回路とこの測定回路による測定結果を入力する読み出し回路とこれらの回路を制御する制御手段とを有する。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory device has a measuring circuit for measuring the thermal equilibrium threshold voltage of a nonvolatile memory element, a read circuit to input the measured results by this measuring circuit, and a controller to control these circuits. - 特許庁

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するレベルシフト素子（ＰＱ１０）を各ワード線に対応して設ける。例文帳に追加

A level shifting element (PQ10) for adjusting a voltage level of a word line (WL) at the time of being selected according to the change in a threshold voltage of a memory cell transistor is provided correspondingly to each of the word lines. - 特許庁

有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｆｆ状態への切替信号が絶対値の大きな負の値を持つ場合にも、当該信号をスイッチング素子に印加し、かつｏｎ／ｏｆｆ状態への切替信号の行間の影響を抑制することができる表示装置の駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for driving a display device which applies an off-switching signal even when the off-switching signal has a negative value large in absolute value and suppresses the influence of the line spacing resulting from on/off switching signals in duty driving of a spontaneous light emission panel, such as an organic EL display panel by a switching element. - 特許庁

有機材料と無機材料の有するメリットを併せ持ち、長寿命で、効率が改善され、動作電圧が低く、、実用的価値の大きい有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element of a long life having both of merits inherent in an organic material and an inorganic material, improved in efficiency, having a low operation voltage, and valuable for practical use. - 特許庁

半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。例文帳に追加

To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it. - 特許庁

また、サブエミッタ層４５の形成前にベース層４３の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。例文帳に追加

In addition, a base layer 43 is treated by dehydrogenation annealing before the sub-emitter layer 45 is formed, thereby resulting in the bipolar semiconductor element with a hetero joint having a large value of current amplification factor β. - 特許庁

しきい値電圧の変動などに代表される素子特性の劣化を抑制しながら微細化を図ることができる半導体装置およびその製造技術を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing art which can make it fine, while suppressing degradation of its element characteristics which are represented by the variations of its threshold voltage, and the like. - 特許庁

ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of introducing impurities into an active layer at a low and stable concentration in order to form a semiconductor element having little variation in threshold voltage. - 特許庁

ダブルドープ型のチャネル構造を採用する場合に、伝達コンダクタンスｇｍが下がらないようにし、さらに、伝達コンダクタンスｇｍ又はしきい値電圧Ｖｔｈの制御性を向上させ、ひいては素子特性を向上させる。例文帳に追加

To prevent transmission conductance gm from dropping when a double-doped channel structure is employed, and further, to improve controllability of the transmission conductance gm or threshold voltage Vth, thereby improving element characteristics. - 特許庁

（ａ）に示されるように、素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。例文帳に追加

As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14. - 特許庁

その結果、Ｌ４部、Ｌ５部およびＬ６部における素子分離溝の形状のばらつきが低減し、ＭＩＳＦＥＴ対のしきい値電圧差を抑えることができる。例文帳に追加

As a result, the unevenness of the shape of an element isolation groove in the L4, L5 and L6 is reduced, and a threshold voltage difference of the MISFET pair can be suppressed. - 特許庁

ベリファイ操作が省略可能で２種類を超えるしきい値電圧の実現が可能な不揮発性半導体記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage element and a nonvolatile semiconductor storage device capable of dispensing with verifying operation and actualizing more than two kinds of threshold voltages. - 特許庁

化学機械研磨法を用いてウエハ１に素子分離溝５を形成した後、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を調整するための不純物をウエハ１に導入する。例文帳に追加

Element isolation grooves 5 are formed in a wafer 1, using a chemical and mechanical polishing method, and thereafter impurities for adjusting the threshold voltages of MISFETs are introduced in the wafer 1. - 特許庁

光反射制御部２３で、その輝度値が大きい程に光路Ｙ２へ多くの光が反射され、小さい程に光路Ｙ２へ少ない光が反射されるように光反射素子１５を制御する。例文帳に追加

A light reflection control part 23 controls the light reflecting element 15 so that the greater the luminance value is, the more light is reflected toward the optical path Y2, and the less the value is, the less light is reflected toward the optical path Y2. - 特許庁

画素リセット時の読み出し線の電位が、増幅用トランジスタのしきい値等のプロセスばらつきに影響されることなく、固定パターンノイズの発生を低減させることができる固体撮像素子を得ること。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device that can reduce occurrence of a fixed pattern noise by avoiding a potential of a read line at pixel reset from being affected by process dispersion in a component such as a threshold value of an amplifier transistor(TR). - 特許庁

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するプルダウン素子（ＰＤ）を各ワード線に対応して設ける。例文帳に追加

A pull-down element (PD) is provided corresponding to each word line for adjusting, according to fluctuations in threshold value voltage of a memory cell transistor, a voltage level when a word line (WL) is selected. - 特許庁

制御装置７０は、電圧ＶＨの目標電圧と電圧ＶＬとの差が予め設定されたしきい値以下になると、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が常時オン，オフするように信号ＰＷＭＣを生成する。例文帳に追加

When a difference between a target voltage of a voltage VH and a voltage VL is lowered to a preset threshold or below, the control device 70 generates a signal PWMC so that the switching elements Q1, Q2 are always turned on and off. - 特許庁

プロセスばらつきにより電界効果トランジスタのしきい値が変動しても、バイアス電流を一定にすることができるバイアス回路および当該バイアス回路に適用される抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a bias circuit wherein the bias current is kept constant even in the fluctuations due to process variation in the field effect transistor threshold, and to provide a resistance element for use with the bias circuit. - 特許庁

このブリード抵抗は、比較的大きい電気抵抗値を有し、磁気抵抗素子の性能に影響することなく蓄積した静電気を放電するための経路を提供する。例文帳に追加

This bleed resistor has a comparatively larger electric resistance and provides a path for discharging the accumulated charge without affecting the performance of the magnetoresistive element. - 特許庁

モータ電流補償装置１４は、電流検出器１１Ａ、１１Ｂより検出したインバータ回路の出力電流値の差分がしきい値を超えた場合、第１群及び第２群のインバータ回路４Ａ、４Ｂにおける電力用半導体素子のスイッチングによる損失を均等化する。例文帳に追加

A motor current compensator 14 equalizes the loss caused by switching of the power semiconductor element in the first group of and the second group of the inverter circuit 4A, 4B, when the difference in the output current values of the inverter circuits detected by the current detectors 11A, 11B exceeds a threshold value. - 特許庁

上記課題は、遅延時間を記憶する第一の記憶素子と、遅延値を受信し、前記遅延値に対して対応する遅延時間値で応答し、前記遅延時間値が前記遅延時間よりも大きい場合に前記遅延時間を前記対応する遅延時間値に更新するように構成された遅延マネージャとを具備したコンピュータシステムにより解決される。例文帳に追加

The computer system is provided with a first storage element for storing delay time and a delay manager constituted so as to receive a delay value, to respond to the delay value by a corresponding delay time value and to update delay time to the corresponding delay time value when the delay time value is larger than the delay time. - 特許庁

しきい値変調型固体撮像素子において、前の撮像において蓄積された光電荷による残像によって発生する画質の劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress deterioration of image quality caused by an afterimage due to photoelectric charges stored in previous imaging in a solid state imaging device of a threshold modulation type. - 特許庁

素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。例文帳に追加

Channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulating film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14. - 特許庁

電圧依存性の小さい２層ポリシリコン容量素子としきい値のばらつきの小さいＭＯＳトランジスタを混載する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, that mixedly mounts a two-layer polysilicon capacity element with small voltage dependence and a MOS transistor with small threshold fluctuation. - 特許庁

このとき、ＦＥＴ２０のしきい値電圧調整のための注入と同時に、素子形成領域Ｄ２の周縁部にもボロンを注入する（第２の不純物注入工程）。例文帳に追加

At this time, boron is injected even into a peripheral edge of the element formation region D2 (second impurity injecting process) simultaneously with the injection for threshold voltage adjustment of the FET 20. - 特許庁

また、窒化アルミニウムは熱伝導率の値が大きいので、特に高出力時において発生する熱を、基板を通して逃がすことができ、素子の長寿命化を図ることができる。例文帳に追加

Since aluminum nitride has high thermal conductivity, heat generated especially at the time of high output can be released through the substrate and the lifetime of the element can be prolonged. - 特許庁

抵抗素子Ｒ１＃の抵抗値が大きい場合にはコンデンサＣ１を充電する速度が遅くなるので、トランジスタＱ１がオンするタイミングにおいてノードＮＣの電位レベルは、Ｖｃの電位レベルよりも低くなる。例文帳に追加

Since the charging speed of a capacitor C1 is reduced when the resistance value of the resistive element R1# is large, the potential level of the node NC when turning on a transistor Q1 becomes lower than the potential level of Vc. - 特許庁

共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser device and a manufacturing method of it which attains a smooth resonance plane, a good far-field pattern shape of a laser beam and furthermore the reduction of a threshold. - 特許庁

共振器ミラーにおける平坦性を向上可能であると共にしきい値電流の低減を可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a group III nitride semiconductor laser element in which planarity can be enhanced in a resonator mirror while reducing the threshold current. - 特許庁