「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

また、ジョセフソン素子が電圧状態にあるとき、位相差が増加または減少し続けてある値に達したらその値をリセットすることにより、変数のオーバーフローを解消し、変数の桁落ちによる計算のミスを防ぐことができる。例文帳に追加

When the Josephson element in the state of voltage, and phase difference increases or decreases continuously and reaches a value, it is reset, thereby eliminating overflow of variables and preventing miscalculation due to cancellation of the variables. - 特許庁

更に、コネクタ１１の接触不良に起因して電圧Ｖ１が急激に低下した場合には、電圧Ｖ１の最低値が安定した値とならず、半導体素子Ｔ１の遮断状態は保持されない。例文帳に追加

Further, when the V1 abruptly drops due to the contact defect of the connector 11, the lowest value of the voltage V1 is not a stable value and the insulated state of the semiconductor device T1 is not held. - 特許庁

抵抗素子１１２、１１３の抵抗値は、装着検出スイッチ１１１がオン状態にある時（トングがバックルに装着されていない時）に、ＬＥＤ１１５が点灯可能な最小電流値より大きい値の電流がＬＥＤ１１５に流れるような抵抗値に設定される。例文帳に追加

The resistance values of the resistance elements 112 and 113 are set to resistance values for carrying current of a larger value than a minimum current value to make lighting of the LED 115 possible to the LED 115 when the installation detecting switch 111 is in an ON state (the tongs are not installed in the buckle). - 特許庁

液晶素子を高周波数で交流駆動すると共に、振幅変調による連続的な階調表現と液晶素子の高周波駆動による長期信頼性との両立を可能にし、かつ、トランジスタの閾値電圧のバラツキに起因する表示画像のユニフォミティの悪化を補正する。例文帳に追加

To drive a liquid crystal element with AC voltage at a high frequency, to achieve continuous gradation display using amplitude modulation and long reliability by high-frequency driving, and to correct deteriorated uniformity of a displayed image caused by variation in transistor threshold voltage. - 特許庁

基準しきい値信号検出器２０は、入力信号から基準しきい値信号を生成するとともに、可変抵抗値Ｒを有する少なくとも１つの抵抗２２と、抵抗２２の後段に設けられて、あるキャパシタンスＣを有する少なくとも１つの容量性素子２４とを備えている。例文帳に追加

The reference threshold value detector 20 is provided with at least one resistor 22 having a variable resistor R that is used to generate a reference threshold value signal from an input signal and at least one capacitive element 24 placed at a post-state of the resistor 22 and having a capacitance C. - 特許庁

そして、積分した値を比較回路９で所定値と比較し、その結果によりトランジスタＴｒをオン（ＯＮ），オフ（ＯＦＦ）させて、有機ＥＬ素子２に流れる電流を断続させる。例文帳に追加

The integrated value is compared with the prescribed value by a comparing circuit 9, a transistor Tr is turned on or off according to the result, and the current flowing in the organic EL element 2 is continued. - 特許庁

光学式測定器１８は、ＮＣ制御装置９の移動制御によって変化する加工用テーブル２のＸ座標値及びＹ座標値に同期して測定対象物４からの測定用光を光検出素子で検出する。例文帳に追加

An optical measuring instrument 18 detects measuring light from the object 4 to measured by an optical detection element by being synchronized to an X coordinate value and a Y coordinate value of the processing table 2 changed by movement control of the NC controller 9. - 特許庁

光学式測定器１８は、ＮＣ制御装置９の移動制御によって変化する加工用テーブル２のＸ座標値及びＹ座標値に同期して測定対象物４からの測定用光を光検出素子で検出する。例文帳に追加

An optical measuring device 18 detects the light for measurement from the measuring object 4 by a photo-detecting element synchronized with the X coordinate value and the Y coordinate value of the table 2 for machining which change according to the moving control of the NC control device 9. - 特許庁

ＩＧＢＴ素子における主電流に対するセンス電流の分流率や電流検出抵抗の抵抗値のばらつきに起因した過電流判定値のばらつきを補正して正しい過電流判定を実現する。例文帳に追加

To realize collect over-current determination by compensating fluctuation in over-current determination, resulting from fluctuation in the dividing coefficient of sense current or the main current in an IGBT element and in resistance of a current detecting resistor. - 特許庁

磁気インピーダンス効果素子（ＭＩ素子と略称する）に流す電流に変化率が一定な期間を設け、クロックエッジを避けて電圧値の計測を行うことにより、ノイズの影響が少ない、安定に確実に動作することができる磁気インピーダンス効果素子を用いた磁気センサを提供する。例文帳に追加

To provide a stably and surely operable magnetic sensor, using magnetic impedance effective element (referred to as MI element for short) which is operable stably and surely without being hardly influenced by noise, by providing a period where the change rate is constant in the current to be carried to a magnetic impedance effective element, and performing the measurement of voltage value avoiding clock edges. - 特許庁

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure. - 特許庁

そして、画素２０と入力端子Ｆｍとの間のデータ線Ｘｍ上に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの抵抗に等しい、または近い抵抗値を有する抵抗素子が対応するラインデータＤｍによって選択される電圧制御回路３０を接続した。例文帳に追加

A voltage control circuit 30 selected by line data Dm to which a resistance element having a resistance value equal to the resistance of the organic EL element OLED or approximate thereto corresponds is connected onto the data line Xm between the pixel 20 and the input terminal Fm. - 特許庁

暖機素子通電量として、ヒータへの通電量が暖機ヒータ通電量とされている状態において各素子に対してステップ状に通電した場合であっても各素子に生じる熱応力が所定値以下となり、熱応力に起因する破損や劣化等が生じることがない通電量を設定する。例文帳に追加

Even if power is stepwise fed to each element in a state that the energization quantity to the heater is set to that of the warming heater as the energization quantity to the heater, the heat stress caused in each element becomes a predetermined value and the energization quantity causing no damage or deterioration of the gas sensor caused by heat stress is set. - 特許庁

再構成可能集積回路に適用されるしきい素子回路について、論理関数機能を構成する構成データを２値変数の多ビット表現によって多値化し、また、入力状態に関する差分演算機能を用いることによって、しきい素子数を低減する回路であり、つまり、２段目のしきい素子回路の入力端子に、関数機能を実行する期間中に値が固定されている電位に接続される端子を有する回路である。例文帳に追加

A threshold element circuit is applied to the reconstructable integrated circuit, makes configuration data constituting logical function multivalued multibit representation of a binary variable, reduces the number of threshold elements by using differential operation about an input state, and has, that is, a terminal connected to an electric potential whose value is fixed during performing function in an input terminal of a threshold element circuit of a second stage. - 特許庁

この導波路型偏光変換器１００によれば、液晶素子４のリタデーションを一定の値に設定する場合に、液晶素子４の光軸方向に沿った厚さを十分に小さくでき、十分な小型化及び低損失化を実現できる。例文帳に追加

By using the waveguide type polarization converter 100, when a retardation value of the liquid crystal element 4 is set to be a constant value, the thickness of the liquid crystal element 4 along the optical axes direction is sufficiently reduced and sufficient downsizing and sufficient reduction of optical loss are realized. - 特許庁

ＩＧ半導体素子１０のゲートにオフゲート信号を与える変調器１７ＡをこのＩＧ半導体素子１０のスイッチング速度よりも高速の高周波のオン、オフ信号で駆動してそのデューティを制御するによってゲート駆動電圧を平均値に制御する。例文帳に追加

A gate-drive voltage is so controlled as to be an average value by driving a modulator 17A that outputs an OFF-gate signal to a gate of the IG semiconductor element 10 with an ON-OFF signal of a high-speed and high- frequency having a faster speed than a switching speed of the IG semiconductor element 10, and by way of controlling a duty of the signal. - 特許庁

本発明にかかる画像表示装置は、データ線３と、第１のスイッチング手段であるＴＦＴ４と、ドライバー素子であるＴＦＴ８と、有機ＥＬ素子９と、基準電圧書き込み手段Ａ１と、閾値電圧検出手段Ａ２とを備える。例文帳に追加

The image display device is equipped with a data line 3, a TFT 4 as a 1st switching means, a TFT 8 as a driver element, an organic EL element 9, a reference voltage writing means A1, and a threshold voltage detecting means A2. - 特許庁

抵抗器１８に印加される電圧Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈ以上になれば、同期整流用スイッチ素子１４がオンして電流Ｉｄが流れ、ＶｇｓがＶｔｈより小さくなると、同期整流用スイッチ素子１４がオフして電流Ｉｄが流れなくなる。例文帳に追加

When the voltage Vgs to be applied to a resistor 18 gets over threshold Vth, a switch element 14 for synchronous rectification becomes ON and a current Id flows, and when Vgs becomes smaller than Vth, the switch element 14 for synchronous rectification becomes OFF and the current Id ceases to flow. - 特許庁

信号を増幅または減衰させる演算増幅器１のゲインを決める抵抗Ｒ_0に並列または直列にスイッチ素子２を挿入し、このスイッチ素子へのスイッチング信号Ｖ_pのデューティ比αを変えることにより該抵抗Ｒ_0の抵抗値を変えるゲインコントロール回路とする。例文帳に追加

A switch element 2 is parallel or serially inserted to a resistor R0 for determining the gain of an operational amplifier 1 for amplifying or attenuating a signal and by changing a duty ratio α of a switching signal Vp to this switch element, the gain control circuit changes the resistance value of the resistor R0. - 特許庁

チャートの搬送方向の規準位置を決定する第１のパターンと、チャートの該記録素子列方向の規準位置を決定する第２のパターンと、該記録素子を検査する第３のパターンを備え、記録したパターンを多値で読取、第１のパターンと第２のパターンから第３のパターンのあるべき位置を算出する。例文帳に追加

Recorded patterns are read out in multiple value and the position where the third pattern must exist is calculated from the first and second patterns. - 特許庁

そして１ライン期間毎に、検出された最大階調値を用いて、有機ＥＬ素子の発光駆動用の電源電圧値情報を生成し、生成された電源電圧値情報に基づいて、表示パネル部の各画素回路に供給する電源電圧値を１ライン期間毎に変化させる。例文帳に追加

At intervals of one line period, power supply voltage information for light emission drive of an organic EL element is generated using the detected maximum gray scale value, and the power supply voltage value supplied to each pixel circuit of the display panel part is changed at intervals of one line period based on the generated power supply voltage value information. - 特許庁

有機ＥＬ素子３は、隣接する有機層７ａ〜７ｃの膜厚の最大値と最小値との比が１．２以下となるように有機層７ａ〜７ｃが形成されてなる。例文帳に追加

In the organic EL element 3, the organic layers 7a-7c are so formed that the ratio of the maximum and minimum values of the film thickness of the adjacent organic layers 7a-7c may be 1.2 or less. - 特許庁

ただし、パーシャル駆動時における定電流の電流値は、通常駆動時における定電流値より低いため、ＯＬＥＤ駆動電圧（定電流が流されているときの有機ＥＬ素子の陽極の電圧）も低下する。例文帳に追加

However, since a current value of the constant current in the partial drive is lower than a constant current value in the normal drive, OLED drive voltage (voltage of anode of the organic EL element when the constant current is applied) is also reduced. - 特許庁

光変調素子のクロストークに起因した表示品位の劣化を精度良く補正するための補正値テーブル生成方法、補正値テーブル生成装置及び画像処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a correction value table generating method for highly precisely correcting the deterioration in display quality resulting from crosstalk of an optical modulation element, and to provide a correction value table generating apparatus and an image processing apparatus. - 特許庁

そして、その期間においては、検出された駆動電流の値と、それ以前の時点での駆動電流の値とに基づいて、有機ＥＬ素子の発光輝度が温度の影響を受けないような、発光輝度の制御も行われる。例文帳に追加

In the period, light emitting brightness is controlled so that the light emitting brightness of the organic EL element does not receive influence of temperature on the basis of a value of the detected drive current and a value of the drive current at the prior time point. - 特許庁

本発明の偏光素子は、偏光子と、下記式（１）および（２）を満足する第１光学素子と、下記式（３）および（４）を満足する第２光学素子と、下記式（５）および（６）を満足する第３光学素子とをこの順に備える： ２００ｎｍ≦Ｒｅ［５９０］≦３５０ｎｍ …（１） Ｒｅ［５９０］＞Ｒｔｈ［５９０］ …（２） ７０ｎｍ≦Ｒｅ［５９０］≦２１０ｎｍ …（３） Ｒｅ［５９０］＞Ｒｔｈ［５９０］ …（４） Ｒｅ［５９０］＞０ｎｍ …（５） Ｒｅ［５９０］＜Ｒｔｈ［５９０］ …（６）［ただし、Ｒｅ［５９０］、Ｒｔｈ［５９０］は、それぞれ２３℃における波長５９０ｎｍの光で測定したフィルム面内の位相差値、厚み方向の位相差値とする。例文帳に追加

The polarizing element is equipped with: a polarizer; a first optical element satisfying inequalities (1) and (2); a second optical element satisfying inequalities (3) and (4); a third optical element satisfying inequalities (5) and (6) sequentially in this order. - 特許庁

駆動波形制御装置３は、交流電圧が極大値或いは極小値になる時から当該交流電圧が零になる時までの時間を制御することにより量子ドット無機ＥＬ素子１の輝度を調整する。例文帳に追加

The drive waveform control device 3 controls a period from the time when the alternating voltage becomes a maximum and minimum value to the time when it becomes zero for regulating luminance of the quantum dot inorganic EL element 1. - 特許庁

移動機器１に内蔵されたマイクロメカニカルセンサ素子および評価ユニットを有するセンサ２によって測定された加速度値が、限界値を上方超過または下方超過したことを表すデータをメモリに記憶する。例文帳に追加

Data indicating that an acceleration value measured by a sensor 2 built in the mobile device 1 and having a micromechanical sensor element and an evaluation unit is above or below a limit value is stored in a memory. - 特許庁

入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル２０は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子１４と、その可変抵抗素子１４と駆動領域であるドレイン領域１３とが接続されたＭＯＳトランジスタとを有する。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory cell 20 corresponding to input address information has a variable resistive element 14 comprising materials having a perovskite type crystal structure, in which resistance values between electrodes change reversibly by voltage values impressed between a pair of electrodes, and the resistance values are sustained after impression of the voltage; and a MOS transistor in which the variable resistive element 14 and a drain area 13 which is a driving area are connected. - 特許庁

発光素子１２を介してトランジスタＴＲ２の蓄積電荷を放電させ、そのゲートソース間電圧がトランジスタＴＲ２のしきい値電圧にまで低下した後においては、このゲートソース間電圧の低下を発光素子１２の蓄積電荷の放電による端子電圧の低下により補ってトランジスタＴＲ２のしきい値電圧に保持する。例文帳に追加

It discharges accumulation charge of the transistor TR2 through the light emitting element 12, and is held at the threshold voltage of the transistor TR2 by supplying lowering of voltage between the gate sources by lowering of terminal voltage due to discharge of the accumulation charge of the light emitting element 12 after the voltage between the gate sources lowers down to the threshold voltage of the transistor TR2. - 特許庁

表示部に配列されたＲＧＢの３種類の有機ＥＬ素子それぞれについて、階調電圧の上限値に応じた第１の階調基準電圧と、下限値に応じた第２の階調基準電圧とを生成する。例文帳に追加

For each of three kinds of organic electroluminescence elements of RGB arranged in a display part, a first gradation reference voltage matching an upper limit value of a gradation voltage and a second gradation reference voltage matching a lower limit value are generated. - 特許庁

駆動装置２は、有機ＥＬ素子１に対して、発光状態とするときには、発光しきい値電圧以上の所定の第１の電圧を印加し、受光状態とするときには、第１の電圧とは逆方向で、絶対値がゼロより大きく且つ有機ＥＬ素子１の絶縁耐圧以下となる第２の電圧を印加をする。例文帳に追加

The driving device 2 impresses the organic EL element with a prescribed first voltage higher than the threshold voltage of light emitting when light emitting is required, and impresses with a second voltage of reverse direction from the first voltage of ligher than zero in its absolute value and lower than the breakdown voltage of the EL element when the light receiving is required. - 特許庁

レンズアレイ２の配置誤差などに起因する感光体３上での濃度むらを補正するために、各発光素子のそれぞれの発光光量を、狙い値に対する誤差の累積値が０に近づくように、狙い値よりも上又は下の値に設定する。例文帳に追加

A light emitting light quantity emitted from each of the light emitting elements is set to a value higher or lower than a target value to make an accumulation value of errors get close to zero with respect to the target value, in order to correct the density unevenness on the photoreceptor 3 caused by an arrangement error or the like of the lens array 2. - 特許庁

前記特性情報保持部５に保持されている特性情報は、前記有機ＥＬ素子４の経時変化に伴う特性値の計測情報と、寿命の判断基準となる閾値情報とを含んでいる。例文帳に追加

The characteristics information retained in the characteristics information retaining part 5 contains measurement information of characteristics values accompanying change with time of the organic EL element 4 and threshold information to be judgment standards of life. - 特許庁

サーミスタ９は、温度変動に対してその抵抗値の変動が大きい抵抗素子であり、温度の上昇に対して抵抗値が減少するサーミスタ（ネガ型サーミスタ）でもよいし、温度の減少に対して抵抗値が増大するサーミスタ（ポジ型サーミスタ）でもよい。例文帳に追加

The thermistor 9 is a resistance element whose variation of resistance value is large with respect to the temperature change, can be a thermistor (negative thermistor) which reduces a resistance value with respect to an increase in temperature and can be a thermistor (positive thermistor) which increases a resistance value with respect to a decrease in temperature. - 特許庁

ヒューズＲＬｎ切断後の単位抵抗ＳＢｎの抵抗値は、ヒューズＲＬｎ切断前に比べて設定抵抗素子ＲＴｎの抵抗値分だけ増加するので、ヒューズＲＬｎの抵抗値に起因するヒューズＲＬｎ切断後の単位抵抗ＳＢｎの抵抗値誤差を抑制できる。例文帳に追加

The resistance value of the unit resistances SBn after the fuses RLn being cut off increases by a resistance value of the setting resistance element RTn compared with the resistance value of the fuses RLn before cutoff, therefore, the error of the resistance value of the unit resistances SBn after the fuses RLn being cut off can be suppressed. - 特許庁

デコーダ回路８の出力信号に基づいて抵抗アレイ１０の抵抗値が設定され、この抵抗値に基づいて、有機ＥＬディスプレイ１の有機ＥＬ素子に供給される電流の値が制御されて、有機ＥＬディスプレイ１の輝度が制御される。例文帳に追加

A resistance value of a resistance array 10 is set based on the output signal of the decoder circuit 8, and a current value supplied to the organic EL element of the organic EL display 1 is controlled based on the resistance value, and the luminance of the organic EL display 1 is controlled. - 特許庁

比較器１５１は、磁界検出素子１３０の検出電圧が所定のしきい値を越えたことを検出した場合に、磁石が遊技機近傍に存在すると判定する。例文帳に追加

When detecting an exceeding of the detection voltage of the magnetic field detection element 130 over a prescribed threshold value, a comparator 151 determines that magnets are present in the vicinity of the game machine. - 特許庁

この場合、受光素子４２での受光光量が、予め設定されたしきい値より大きい場合に、光透過性部材４５に汚れ有りと判別する。例文帳に追加

In this case, when the amount of the light received by the light receiving element 42 is larger than a preset threshold value, this device determines that there is the dirt on the optically transparent member 45. - 特許庁

ダイクロイックミラー１２は、第１、第２有機ＥＬ素子の発光のピーク波長のうちの一方を透過し、他方を反射するようにこれらピーク波長の間にしきい値を有している。例文帳に追加

The dichroic mirror 12 has a threshold value between the peak wavelengths to transmit one of the peak wavelengths of emission of the first and second organic EL elements and to reflect the other. - 特許庁

ＧＭＲ素子１１の出力信号は、増幅器１３によって増幅され、ＬＰＦ１４によって交流磁界に対応した成分が除去されて、被測定磁界の絶対値を表す絶対値信号として絶対値信号出力端子１５より出力される。例文帳に追加

The output signal of the GMR element 11 is amplified by an amplifier 13, a component corresponding to the alternating current field is removed by an LPF 14 and output from an absolute value signal output terminal 15 as an absolute value signal indicating the absolute value of the magnetic field to be measured. - 特許庁

比較的簡単な配線構造で画素回路のクロストークを防止でき、また、表示画像の輝度ムラが発生することを防止でき、また、画素内部の能動素子のしきい値のばらつきによれず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、結果として高品位な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device in which crosstalk of a pixel circuit is prevented with a relatively simple wiring structure and the occurrence of unevenness in luminance of a display image can be prevented and a current of a desired value can be stably and accurately supplied to light emitting elements of respective pixels in spite of unevenness in threshold of active elements in the pixels and images of high quality is displayed as a result. - 特許庁

第1ポリシリコン膜間のインターフェランスを改善することができ、インターフェランスを改善することにより、セル間のしきい値電圧の分布を改善するフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。例文帳に追加

To improve inter-first polysilicon film interference, and to improve the distribution of inter-cell threshold voltages by improving the interference. - 特許庁

第２のスイッチング素子Ｑ６に直列に接続した第２の抵抗Ｒ５にて負荷電流に比例した電圧を生成し、前記しきい値電圧と比較して過電流を検出する。例文帳に追加

A second resistor R5 connected in series with the second switching element Q6 generates a voltage proportional to the load current, and detects the overcurrent by comparing the voltage with the threshold voltage. - 特許庁

電磁波発生・検出素子において、共振器損失の小さい構造として発振しきい値を低減し、比較的低消費電力のものを実現することである。例文帳に追加

To materialize an electromagnetic wave generating/sensing element that decreases oscillation threshold and consumes comparatively less power for a structure causing little resonator loss. - 特許庁