「しきい値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目)

素子インピーダンス検出装置（１）においては、第１ローパスフィルタ（７１）を備えることで、信号ホールド回路（５５）に入力される素子抵抗値信号Ｒｐｖｓに対して点火ノイズなどに起因したノイズ成分が重畳されるのを抑制でき、信号ホールド回路（５５）が保持する素子抵抗値信号Ｒｐｖｓのホールド値に、ノイズに起因する検出誤差が生じるのを抑制できる。例文帳に追加

In this element impedance detector 1, the first low-pass filter 71 is provided to restrain a noise component caused by an ignition noise or the like from being superposed on an element resistance value signal Rpvs input into a signal holding circuit 55, and to restrain a detection error caused by the noise from being generated in the holding value of the element resistance value signal Rpvs held by the signal holding circuit 55. - 特許庁

素子の凹凸による積層ズレを解消して収率を上げるとともに、コンデンサ素子を積層した際の導電性接着剤のはみ出しや広がりに起因するＥＳＲ値の低下を解消する。例文帳に追加

To increase yields by eliminating layer displacement due to irregularities in elements, and to eliminate a decrease in an ESR value caused by the squeeze-out and spread of a conductive adhesive when laminating a capacitor element. - 特許庁

判定部は、受光器３１の各受光素子の出力を入力して、各受光素子の出力レベルをしきい値と比較しており、鋼球３が一回転する間に、各出力レベルのうちのいずれかがしきい値未満になると、鋼球３の表面に傷があるものと判定する。例文帳に追加

A judging part inputs the outputs of the light detection elements of the photodetector 31 to compare the output levels of the light detection elements with a threshold value and, when either one of the output levels reach less than the threshold value during one rotation of the steel sphere 3, it is judged that a flaw is present on the surface of the steel sphere 3. - 特許庁

計数部２による計数値が、基準数設定部３に設定された基準数と相違したとき、異常検出部４が、その相違したＡ相受光素子３０ａまたはＢ相受光素子３０ｂの光学系異常を検出する。例文帳に追加

When a count value by the counter part 2 is difference from a reference number set at the reference number setting part 3, an anomaly detecting part 4 detects an optical system anomaly in the A-phase light receiving element 30a or the B-phase light receiving element 30b. - 特許庁

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current. - 特許庁

第１プログラム電圧（ステップ１００）によってプログラムされたメモリ素子のしきい値電圧分布を測定する（ステップ１２０）。例文帳に追加

Threshold voltage distribution of a memory element programmed by first program voltage (step 100) is measured (step 120). - 特許庁

しきい値電流を小さくするとともに、動作電圧を低くすることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride system semiconductor laser element capable of making an operating voltage low while making a threshold current small. - 特許庁

しきい値を適正に設定することが可能であり、かつ高速動作が可能なＳＯＩ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an SOI element capable of setting a threshold to a proper value and operating at high speed. - 特許庁

ゲート電圧制御回路２２は、素子温度としきい値電圧変動分とに基づいてＦＥＴ１のゲート電圧を制御する。例文帳に追加

A gate voltage control circuit 22 controls the gate voltage of the FET 1 on the basis of the temperature of the element and the flucuation in the threshold voltage. - 特許庁

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell. - 特許庁

光閉じ込め効率が良く、しきい電流値が小さい３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element having proper optical confinement efficiency and small threshold current value and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

しきい値電圧調整のために素子形成領域に注入した不純物が、素子分離領域を構成するシリコン酸化膜によって拡散され、不純物の偏析が生じ、これが要因となってしきい値電圧が変動する狭チャネル幅効果が生じる。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with reduced narrow-channel width effect (fluctuation in threshold voltage, caused by an impurity implanted for adjusting the threshold voltage). - 特許庁

画素を複数備えた画素領域１と、画素毎に設けられた光センサ素子２と、光センサ素子２で受けた光の強度に対応する画素ごとの多階調データに基づく判定対象値と閾値とを大小比較して２値判定するマイクロコンピュータ３とを備える。例文帳に追加

This image fetching function-equipped display device has: a pixel area 1 having a plurality of pixels; a photosensor element 2 provided in each the pixel; and a microcomputer 3 comparing largeness of a threshold value and largeness of a decision target value based on multi-gradation data in each the pixel corresponding to intensity of light received by the photosensor element 2 to perform the binary decision. - 特許庁

本発明にかかる表示装置は、表示領域に形成される複数の画素Ａij毎に、たとえば表示素子として有機ＥＬ素子４１が設けられており、さらに、各有機ＥＬ素子４１に対して出力される表示電圧の値を変化させる電圧変化部１０ａが、各有機ＥＬ素子４１毎に設けられている。例文帳に追加

The display device is provided with an organic EL element 41 as, for example, a display element for each pixels Aij formed in a display area, and a voltage change part 10a which changes the value of a display voltage outputted to each organic EL element 41 is provided for the organic EL element 41. - 特許庁

制御回路１２０は、電流センサ１２２から供給される電流値としきい値とを比較し、しきい値以下である場合にスイッチング素子１１４をオンとして電気二重層コンデンサ１１０への充電を行わせる。例文帳に追加

A control circuit 120 compares the current value supplied from a current sensor 122 with a threshold, and when the current value is below the threshold, it switches on a switching element 114 so as to charge an electric double-layer capacitor 110. - 特許庁

これにより、電流しきい値制御回路１８は、信号Poがハイレベルの間は電流しきい値Ｉthを固定し、電流が一定値となるようにスイッチング素子７を制御することで、過電力保護を可能とする。例文帳に追加

Thus, a current threshold control circuit 18 fixes a current threshold value Ith while the signal Po is at a high level, and controls a switching element 7 so that a current has a constant value, thereby enabling overpower protection. - 特許庁

往復動作によって流体を吐出するピストンの駆動源としての超磁歪素子の温度を規定値以上に保って、超磁歪素子の温度低下に起因する磁歪量の減少を抑制できる電動式ポンプを得る。例文帳に追加

To provide an electric pump capable of restricting reduction of magnetostriction quantity caused by temperature fall of a super-magnetostrictive element by keeping temperature of the super-magnetostrictive element as a drive source for a piston to discharge fluid by reciprocating action at a prescribed value or more. - 特許庁

インダクタンス値を変えることができ、インダクタ素子が占める基板上でのスペースを小さくしつつ、インダクタ素子を簡便な構成により実現可能とした可変スパイラルインダクタを提供する。例文帳に追加

To provide a variable spiral inductor which achieves an inductor element by a simple structure where an inductor value is changeable, and the space on a substrate which the inductor element occupies is made small. - 特許庁

可変容量範囲が広く、単位面積当たりの容量値が大きいＭＯＳ型バラクタ素子を備えた半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device with a wide variable capacitive range, provided with an MOS type varactor element having a large capacity per unit area. - 特許庁

可変容量範囲が広く、単位面積当たりの容量値が大きいＭＯＳ型バラクタ素子を備えた半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device with a MOS type varactor element having a wide variable capacity range and a large capacitance value per unit area. - 特許庁

電流値によるＬＥＤ素子の発光色の変化よりも大きい変化が得られるＬＥＤランプの駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for driving an LED lamp that can obtain a greater luminescent color shift than that of a LED device by a current value change. - 特許庁

素子特性指標Ｒｏｎ・Ｑｇｄの値が小さく、且つ、アバランシェ耐量が大きいトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。例文帳に追加

To provide a trench gate type power MOSFET having a small element characteristic index Ron/Qgd and high avalanche resistance. - 特許庁

電圧変化量のホールド値の誤検出に起因する素子インピーダンスの検出精度の低下を抑制できる素子インピーダンス検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide an element impedance detector capable of restraining detection precision of an element impedance from getting low caused by erroneous detection of a holding value of a voltage variation. - 特許庁

各光電変換素子間の許容範囲内の誤差の累積値による、光電変換素子群の全長の変動に起因した読取倍率変動を防止する。例文帳に追加

To prevent read magnification from being varied by a variation in the total length of a photoelectric transducer group caused by the cumulative value of errors within an allowable range between photoelectric transducers. - 特許庁

基板のサイズが比較的大きい場合であっても、記録素子の抵抗値のばらつきの影響を少なくする。例文帳に追加

To reduce effects of dispersions of resistance values of recording elements even when a substrate size is relatively large. - 特許庁

移相・振幅調整器１９により、放射素子７を励振する位相と振幅を所望の値に設定する。例文帳に追加

By using the phase shift/amplitude adjustment device 19, a phase and amplitude which excite the radiating element 7 are set as a desired value. - 特許庁

このとき、位置検出素子１０２の出力信号に対してオフセット値及び振幅を調整する。例文帳に追加

At this time, this vibration correction control circuit adjusts an offset value and the amplitude of the output signal of the position detection element 102. - 特許庁

第１のグランド電極１２１と第２のグランド電極１３６間に配置された第１の共振素子片１２６〜１２８と、第２のグランド電極１４６と第３のグランド電極１４５間に配置され前記第１の共振素子片１２６〜１２８とビアホールを介して接続され、前記第１の共振素子片１２６〜１２８よりインピーダンス値の大きい第２の共振素子片１４０〜１４２とを備えた。例文帳に追加

This device is provided with first resonating elements 126-128 between a first ground electrode 121 and a second ground electrode 136 and second resonating element pieces 140-142 between a second ground electrode 146 and a third ground electrode 145 and connected with the first resonating elements 126-128 through via holes while having an impedance greater than that of the first resonating element pieces 126-128. - 特許庁