「しりこんごむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、シリコンウェハ１を研磨して１５０μｍ以下の厚さにする。例文帳に追加

Then, the silicon wafer 1 is polished to a thickness of 150 μm or less. - 特許庁

セード２００は、シリコンゴムなどの軟質弾性体により構成されている。例文帳に追加

The shade 200 is constituted of a soft elastic body such as silicon rubber. - 特許庁

酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。例文帳に追加

It is enough that the thickness of the layer of the silicon oxide layer 107 is about 5 nm. - 特許庁

シリコンウエハに対する保護フィルムの貼着方法及び貼着装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR PASTING PROTECTIVE FILM TO SILICON WAFER - 特許庁

この生成混合物は、シリカカラムクロマトグラフィーによって分離できる。例文帳に追加

The production mixture can be separated by silica column chromatography. - 特許庁

シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法例文帳に追加

PRETREATMENT METHOD OF RECOMBINATION LIFE TIME MEASUREMENT OF SILICON WAFER - 特許庁

傘の柄１の先端部にシリコンゴムの突起２を取付ける。例文帳に追加

A silicone rubber projection 2 is mounted on the tip of a handle 1 of the umbrella. - 特許庁

シリカ配合系のゴムコンパウンドを含むタイヤ用ゴム組成物に所要の導電性を付与する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for imparting required electroconductivity to a rubber composition for a tire comprising a rubber compound having incorporated silica therewith. - 特許庁

シリコンブランケットのシリコンゴム層１の下層に熱線反射層２を設けたシリコンブランケット作る。例文帳に追加

The silicone blanket which is provided with a heat ray reflective layer 2 at a lower layer of a silicone rubber layer 1 of the silicone blanket is prepared. - 特許庁

導尿管（１）の被覆層（１０２）を形成する軟質の耐薬品性のある合成樹脂はシリコンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのうちから選ばれる。例文帳に追加

The soft chemical resistant synthetic resin forming the covering layer 102 of the urine guide tube 1 is selected from among a silicone rubber, a fluororubber and a butyl rubber. - 特許庁

弾性部材２は、例えば、ポリウレタンのような発泡弾性合成樹脂や、シリコンゴム，天然ゴム，ブタジエンゴムまたはコルク材から形成される。例文帳に追加

The elastic member 2 is made of e.g. an expanded elastic synthetic resin such as polyurethane, a silicone rubber, natural rubber, butadiene rubber or cork. - 特許庁

熱活性化用プラテンローラ３は、ゴム硬度が３０〜５０度のフロロシリコンゴムからなり、十点平均粗さＲｚが１０〜１５μｍである。例文帳に追加

The thermally activating platen roller 3 is formed from fluorosilicone rubber with a rubber hardness of 30 to 50°, and has a ten-point average roughness Rz of 10 to 15 μm. - 特許庁

次に、エミッタ５９領域のシリコンゲルマニウム層５１上にエミッタ５９を形成する。例文帳に追加

Then, an emitter 59 is formed on the silicon germanium layer 51 on the emitter 59 region. - 特許庁

粒子５におけるリチウムの量は、シリコンの初期充電理論容量に対して５〜５０％である。例文帳に追加

The quantity of lithium in the particles 5 is 5-50% with respect to the initial charging theoretical capacity of silicon. - 特許庁

分子量が５，０００〜５０，０００であるセリシン加水分解をゴムに混入する。例文帳に追加

A hydrolyzed sericin having a mol.wt. of 5,000-50,000 is blended in a rubber. - 特許庁

セメントが配合された主材と、シリカヒュームが配合された添加材と、を混合する。例文帳に追加

This grout for foundation improvement is produced by blending a main material comprising cement with an additive comprising silica fume. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8. - 特許庁

パッキン２の内側には、ヒータ３ａがシリコンゴム層３ｂとシリコンゴム層３ｃとによって両側から挟まれたラバーヒータ部３が、シリコンゴム層１に接着されている。例文帳に追加

A rubber heater part 3 in which a heater 3a is sandwiched by a silicone rubber layer 3b and a silicone rubber layer 3c from the both sides is adhered to the silicone rubber layer 1 inside the packing 2. - 特許庁

次に、ＣＧシリコン膜１４上の全面に、シリコン酸化膜１５を形成し、さらに、シリコン酸化膜１５上の全面に、燐を高濃度に含む第２のシリコン膜１６を形成する。例文帳に追加

Next, the oxidized film of silicon 15 is formed on the whole surface of the CG silicon film 14 and, further, a second silicon film 16 containing phosphor of a high concentration is formed on the whole surface of the oxidized film 15 of silicon. - 特許庁

マグネシウムとシリコンとの固相反応によりマグネシウムシリサイド粒子５がマグネシウム合金素地中４に生成する。例文帳に追加

By the solid phase reaction between the magnesium and silicon, magnesium silicide particles 5 are formed in a magnesium alloy matrix 4. - 特許庁

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。例文帳に追加

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6. - 特許庁

挿入後、前記アモルファスシリコン膜１２が結晶化してポリシリコン膜に変化する前から、ウェーハ１５上にホスフィン（ＰＨ_3）又はホスフィンを含む混合ガスを流し始めて、シリコン膜１２中にリンを拡散させる。例文帳に追加

After insertion, phosphine (PH3) gas or a mixed gas containing phosphine is made to flow on a wafer 15 before the amorphous silicon film 12 is crystallized and changed into a polysilicon film, and the phosphorus is diffused into the silicon film 12. - 特許庁

挿入後、前記アモルファスシリコン膜１２が結晶化してポリシリコン膜に変化する前から、ウェーハ１５上にホスフィン（ＰＨ_3）又はホスフィンを含む混合ガスを流し始めて、シリコン膜１２中にリンを拡散させる。例文帳に追加

After the insertion, a phosphine (PH_3) gas or a mixed gas including the phosphine (PH_3) is doped on a wafer 15 before the amorphous silicon film 12 is crystallized into a polysilicon, and then the phosphorus is diffused in the silicon film 12. - 特許庁

アモルファスシリコンを５０〜１００重量％程度含む粒子状シリコン成分（例えば、平均粒子径０．０１〜５μｍのシリコン微粉末）と、黒鉛粒子とでリチウム二次電池負極材を構成する。例文帳に追加

This lithium secondary battery negative electrode material is formed with a particulate silicon constituent (for instance, silicon fine powder having an average particle diameter of 0.01-5 μm) containing 50-100 wt.% of amorphous silicon, and graphite particles. - 特許庁

シランカップリング剤の存在下に、ゴムラテックス、シリカおよびカチオン性高分子を混合して、ゴムラテックッス中のゴムとシリカを共凝固させることを特徴とするシリカ充填ゴムの製造方法である。例文帳に追加

A rubber latex, the silica and a cationic polymer are blended together in the presence of a silane coupling agent, wherein the rubber and the silica are coagulated in the latex. - 特許庁

絶縁基体１１の表面側に段差１２を形成した後、絶縁基体１１の表面側にシリコンを含むスズ溶融液もしくはシリコンを含むスズ鉛合金溶融液からなるシリコン含有スズ系金属溶融液１４を塗布し、その後冷却処理により、段差１２を起点にしてシリコン含有スズ系金属溶融液１４中のシリコンを結晶成長させ、シリコン層１５を形成するシリコン層の製造方法である。例文帳に追加

After a step 12 is formed on the surface side of an insulating substrate 11, a silicon containing tin-lead alloy solution 14 consisting of a silicon containing tin fused solution or silicon containing tin-lead fused solution is applied to the surface side of the insulating substrate 11. - 特許庁

第２の光起電力素子５は、反射膜４側からｐ型微結晶シリコンカーバイド膜５１、ｉ型微結晶シリコン膜５２およびｎ型微結晶シリコン膜５３を順に含む。例文帳に追加

The second photovoltaic element 5 successively comprises a p-type microcrystal silicon carbide film 51, an i-type microcrystal silicon film 52, and an n-type microcrystal silicon film 53, starting from the reflecting film 4. - 特許庁

各凹部５ａ，５ｂ内のシラノール３７を脱水縮合させてシリコン酸化膜８に転換し、凹部５ａをシリコン酸化膜８により埋め込むとともに凹部５ｂの底部から中間部までシリコン酸化膜８を設ける。例文帳に追加

The silanol 37 in the respective concave sections 5a and 5b is dehydrated and condensed, and converted into a silicon oxide film 8, and the silicon oxide film 8 is embedded in the concave section 5a, and the silicon oxide film 8 is formed from the bottom section to intermediate section of the concave section 5b. - 特許庁

ハロゲン化アルミニウムと異種金属又は金属化合物とを含む混合雰囲気における多結晶シリコン薄膜の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF POLYCRYSTAL SILICON THIN FILM IN MIXTURE ATMOSPHERE CONTAINING ALUMINUM HALIDE AND HETEROLOGOUS METAL OR METALLIC COMPOUND - 特許庁

シリコンとゲルマニウムの比率が略均一に制御された単結晶のシリコン・ゲルマニウム混晶より成るシリコン・ゲルマニウム(ＳｉＧｅ)基板１上に、シリコン層(歪Ｓｉ層５)をエピタキシャル成長して構成する。例文帳に追加

A silicon layer (a strain Si layer 5)is epitaxially grown on the silicon-germanium (SiGe) substrate 1, comprising a single crystal silicon-germanium mixed crystal with the ratio of silicon to germanium being controlled approximately uniformly. - 特許庁

ゴム板の材質は、シリコンゴムに、重量比で１５〜３０％の炭素ウィスカを混入したものである。例文帳に追加

The material of the rubber plate is formed by incorporating it by 15 to 30%.wt., carbon whiskers into silicon rubber. - 特許庁

多結晶シリコンインゴットにおいて、前記多結晶シリコンインゴットの外側面は、ライフタイムの平均値が２μｓ以下で、尚且つ、シリコン平均粒径が３ｍｍ以下である多結晶シリコンインゴット。例文帳に追加

The polycrystalline silicon ingot has an outer side face with the average value of at most 2 μs for the life time, and an average silicon particle diameter of at most 3 mm. - 特許庁

シリコン基板を直接窒化して、シリコン窒化膜を形成し、前記シリコン窒化膜を、Ｎ２ＯとＨ２を含む混合ガスでアニールして、シリコン酸窒化（ＳｉＯＮ）膜を形成する。例文帳に追加

A silicon substrate is directly nitrided to form a silicon nitride film, which is annealed with mixed gas containing N2O and H2 to form a silicon oxynitride (SION) film. - 特許庁

架橋済みシリコーンゴムを原料として用いて再生シリコーンゴムコンパウンドを製造する方法において、（ｉ）該架橋済みシリコーンゴムを粉砕する粉砕工程と（ｉｉ）該粉砕されたシリコーンゴムと有機過酸化物とを混合する混合工程からなることを特徴とする再生シリコーンゴムコンパウンドの製造方法。例文帳に追加

The method for producing a regenerated silicone rubber compound using a crosslinked silicone rubber as a raw material comprises (i) a step to crush the crosslinked silicone rubber and (ii) a step to mix the crushed silicone rubber with an organic peroxide. - 特許庁

エチレンプロピレンゴムとニトリルゴムを重量比で９０／１０〜５５／４５で混合したゴム組成物１００重量部に対して、少なくとも湿式シリカを５〜１００重量部含む充填材を添加する。例文帳に追加

This rubber composition is obtained by compounding 100 pts.wt. of a rubber composition prepared by compounding an ethylenepropylene rubber with a nitrile rubber in the weight ratio of 90/100-55/45 with a filler comprising at least 5-100 pts.wt. of wet process silica. - 特許庁

膜はシリコーンゴムに２：１の比でシリカ、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、硫酸バリウムの何れか１種を混入して形成されている。例文帳に追加

The membrane is formed by mixing either one type of silica, calcium carbonate, strontium carbonate and barium sulfate with silicone rubber at a rate of 2:1. - 特許庁

無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。例文帳に追加

The silicon seed crystal is used for the growth of the non- dislocation silicon single crystal and contains the impurity element having a bond radius larger than that of silicon and the impurity having a bond radius smaller than that of silicon. - 特許庁

ＤＲＡＭのメモリセルの下部電極５１となるルテニウム膜５５およびシリコン酸化膜５６を形成後、シリコン酸化膜５６上にフォトレジスト膜５７をパターニングする。例文帳に追加

A ruthenium film 55 and a silicon oxide film 56 being a base electrode 51 of the memory cell of a DRAM are formed, and then a photoresist film 57 is patterned on the silicon oxide film 56. - 特許庁

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。例文帳に追加

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm. - 特許庁

シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。例文帳に追加

A sludge molded article obtained by using as raw material silicon sludge including metal impurities of ≥1×10^15 atoms/cm^3 from a silicon processing process, and a silicon lump including metal impurities at the same level as the silicon sludge are charged to a crucible, they are melted, and a silicon ingot is pulled by a Czochralski method. - 特許庁

粉体観察用試料の作製方法であって、溶媒と前記溶媒に可溶な分散剤とを含む溶液中に被観察粉体を混合し試料混合液を作製する混合工程と、前記試料混合液を湿式衝突型分散機にて分散させる分散工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of preparing the sample for powder observation is characterized by including a mixing step of preparing sample mixed liquid by mixing powder to be observed into a solution including a solvent and a dispersant which is soluble into the solvent, and a dispersing step of dispersing the sample mixed liquid by a wet collision type dispersing machine. - 特許庁

シリコン及びグラファイトを含む複合材料粒子と、複合材料粒子の表面をカバーするカーボン層と、複合材料とカーボン層との界面間に形成されたシリコン−金属合金と、を含む陰極活物質である。例文帳に追加

The negative-electrode active material comprises composite material particles containing silicon and graphite, a carbon layer covering surfaces of the composite material particles and a silicon-metal alloy formed between interfaces of the composite material and the carbon layer. - 特許庁

保護ＮＭＯＳトランジスタ５ｎ及び内部ＰＭＯＳトランジスタ３ｐはシリコン窒化膜２３で覆われ、内部ＮＭＯＳトランジスタ３ｎ及び保護ＰＭＯＳトランジスタ５ｐはシリコン窒化膜２３には覆われていない。例文帳に追加

The protective NMOS transistor 5n and an internal PMOS transistor 3p are covered by silicon nitride film 23, while the internal NMOS transistor 3n and the protective PMOS transistor 5p are not covered by silicon nitride film 23. - 特許庁

フッ素ゴム層とシリコンゴム層との間に中間シリコンゴム層を配することでフッ素ゴム層の低耐久性と低接着性を向上させる。例文帳に追加

To improve low durability and a low adhesive property of a fluoro- rubber layer by arranging an intermediate silicone rubber layer between the fluoro-rubber layer and a silicone rubber layer. - 特許庁

表層シリコンゴム１の下に溶剤バリア層２を設け、さらに溶剤バリア層の下に表層シリコンゴムのゴム硬度範囲内の硬度を有する下層ゴム層３を配置したこと。例文帳に追加

A solvent barrier layer 2 is provided under a surface layer silicone rubber 1 and further a lower rubber layer 3 having a hardness within the range of the rubber hardness of the surface layer silicone rubber is disposed under the solvent barrier layer. - 特許庁