「しりこんごむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

（ａ）チオール基を有する分子を含む試料と銀ナノ粒子とを混合し、分子と銀ナノ粒子との複合体を含む混合物を形成するステップと、（ｂ）該混合物から複合体を分離して除去するステップと、を含む銀ナノ粒子を利用して標的物質を精製する方法である。例文帳に追加

The method for purifying a target substance using silver nanoparticles comprises (a) a step to mix a specimen containing a molecule having a thiol group with silver nanoparticles to form a mixture containing a complex of the molecule and the silver nanoparticles and (b) a step to separate and remove the complex from the mixture. - 特許庁

ジメチルシリコーン及びアルキル変性シリコーンを含むシリコーン混合物５〜５０重量％、界面活性剤０.５〜５重量％及び水からなる水系乳化物であることを特徴とするダイカスト用離型剤。例文帳に追加

The parting material for die casting is an aqueous emulsion consisting of 5 to 50 wt.% silicone mixture containing dimethyl silicone and alkyl modified silicone, 0.5 to 5 wt.% surfactant and water. - 特許庁

前記金属とゲルマニウムあるいは前記金属とゲルマニウム−シリコン化合物との反応開始温度が４５０〜５００℃となっている。例文帳に追加

The reaction start temperature between the metal and germanium or between the metal and germanium-silicon compound is 450-500°C. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法、移設方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板例文帳に追加

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SILICON SUBSTRATE TO WHICH GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR IS BONDED - 特許庁

ヒドロキシル基およびカルボキシル基含有ゴムと疎水化酸化物またはシリケート系充填剤とのゴム混合物例文帳に追加

RUBBER MIXTURE OF HYDROXY OR CARBOXY-CONTAINING RUBBER WITH HYDROPHOBIZED OXIDE OR SILICATE FILLER - 特許庁

溶剤バリア層に表層シリコンゴムを予め形成し、その後下層ゴム層と貼り合わせて製造すること。例文帳に追加

The blanket is manufactured by forming beforehand the surface layer silicone rubber on the solvent barrier layer and then by sticking this layer and the lower rubber layer together. - 特許庁

ＤＲＡＭのメモリセルの下部電極５１となるルテニウム膜５５上に白金膜７９を形成し、さらにシリコン酸化膜７１を形成する。例文帳に追加

A platinum film 79 is formed on a ruthenium film 55 that becomes a lower electrode 51 of the memory cell of a DRAM, and, furthermore, a silicon oxide film 71 is formed. - 特許庁

木材チップに配合するシリコ−ンゴム粉体の粒径を0.1〜5mmとし、シランカップリング材で前処理し、無機接着剤を混合し成形する。例文帳に追加

The grain diameter of silicone rubber powder mixed into wood chips is set to 0.1-5 mm, pretreatment with a silane coupling material is performed, and an inorganic adhesive is mixed to form the wood board. - 特許庁

シリコンゴム製の分離パッド３５を基端部にてビス止めし、ゴム製の分離ローラ３６に圧接させる。例文帳に追加

A silicone rubber separating pad 35 is tightened with a machine screw at a base end part and is made in press-contact with a rubber separating roller 36. - 特許庁

ホール５１１、５１２の形成位置となる複数領域の内、一の領域を囲む他の領域のシリコン酸化膜５１上に円柱を形成する。例文帳に追加

A circular cylinder is formed on a silicon oxide film 51 in the other region surrounding one region among a plurality of regions which become formation positions for holes 511 and 512. - 特許庁

アルミニウム層５の厚みに対するアルミニウムシリコン合金層６の厚みの比率は０．２５以上である。例文帳に追加

The ratio of the thickness of the layer 6 to the thickness of the layer 5 is set in 0.25 or more. - 特許庁

半導体層はシリコンゲルマニウム層とし、特に、半導体装置に横型バイポーラトランジスタとともに形成するシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタの形成に用いるシリコンゲルマニウム層を利用する。例文帳に追加

The semiconductor layer is made into a silicon-germanium layer, and especially the silicon-germanium layer is utilized to form a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor, formed along with a horizontal-type bipolar transistor for the semiconductor device. - 特許庁

シリコン酸化膜が表面に形成されたシリコン基板に対して微量の酸素ガスを含む窒素ガス雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜を膜厚２．５ｎｍ以下に薄膜化する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate, the silicon substrate is thermally treated in a nitrogen gas atmosphere which contains a small amount of oxygen gas to reduce the silicon oxide film to 2.5 nm or below in thickness. - 特許庁

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。例文帳に追加

In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas. - 特許庁

シリコン基板１０１の上に、不純物を実質的に含まない酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2 ）１０４と、ボロン及びリンを含む酸化シリコン膜であるＢＰＳＧ膜１０５とを順次堆積した後、ＢＰＳＧ膜１０５及び酸化シリコン膜１０４にコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film (SiO2 film) 104 which substantially does not contain impurities and a BPSG film 105, which contains boron and phosphorus and is a silicon oxide film, are deposited in the order on a silicon substrate 101 and thereafter, a contact hole is formed in the films 105 and 104. - 特許庁

アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、接触角が３０°以下であるアルミニウム材の表面に、シリコン元素を含むシリコン含有塗膜が形成されているアルミニウム塗装材である。例文帳に追加

In the painted aluminum material, the silicon-containing paint film containing elementary silicon is formed on the surface of aluminum material which consists of aluminum or the aluminum alloy and has a contact angle of ≤30°. - 特許庁

アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面にシリコン元素を含むシリコン含有塗膜を有して優れた耐食性能を発揮するアルミニウム塗装材、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a painted aluminum material which consists of aluminum or an aluminum alloy, on the surface of which a silicon-containing paint film containing elementary silicon is formed and which exhibits excellent corrosion resistance, and to provide a method for producing the painted aluminum material. - 特許庁

次に、塩素ガス及び酸素ガスを含む混合ガスによるプラズマに、残存物５が存在している微結晶シリコン膜２を晒し、微結晶シリコン膜２の表面の残存物５を選択的にエッチングし除去する。例文帳に追加

Next, the microcrystal silicon film 2 wherein remaining objects 5 exist is exposed in a plasma using a mixing gas containing chlorine gas and oxygen gas, and the remaining objects 5 on the surface of the microcrystal silicon film 2 are selectively etched for removal. - 特許庁

緩衝材層１８を、バネ層１６とコンタクトピン１５との間に介設された弾性体層としてのシリコンゴム１９と、シリコンゴム１９中に埋設された非弾性体層としてのセラミックス２０とから構成する。例文帳に追加

The cushioning layer 18 is constituted of a silicone rubber 19 as an elastomer layer interposed between the spring layer 15 and the contact pin 15, and a ceramic 20 as non-elastic layer embedded into the silicon rubber 19. - 特許庁

(i)放射性ヌクレオチド、細胞毒性薬物の1つまたは双方から選ばれた抗癌成分；および(ii) 吸収性シリコン、生体適合性シリコン、バイオ活性シリコン、多孔質シリコン、多結晶質シリコン、非晶質シリコン、および体積結晶質シリコンの1種以上から選ばれたシリコン成分を含む内部治療用製品を提供する。例文帳に追加

The invention presents an internal therapeutic product comprising (i) an anti-cancer component selected from one or both of a radionucleotide and a cytotoxic drug and (ii) a silicon component selected from one or more of resorbable silicon, biocompatible silicon, bioactive silicon, porous silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon and bulk crystalline silicon. - 特許庁

シリコンと、アルミニウムまたはアルミニウム合金とから構成され、かつ、ヤング率が１００ＧＰａ以上で、室温から４００℃の間での線熱膨張係数が１０×１０^−６／℃以下であるシリコン−アルミニウム複合金属であって、該シリコン−アルミニウム複合金属が、シリコン粉末の体積充填率が５０〜７０％である充填体または成形体に、溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を、マグネシウム蒸気を含む窒素雰囲気中の７００〜１０００℃の温度下で非加圧浸透させることにより得られることを特徴とするシリコン−アルミニウム複合金属。例文帳に追加

Further, the silicon-aluminum composite metal is obtained by infiltrating, under no pressure, molten aluminum or an aluminum alloy into a filled body or molded body of 50 to 70% volume filling ratio of silicon powder at 700 to 1,000°C in a nitrogen atmosphere containing magnesium vapor. - 特許庁

該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。例文帳に追加

The method further includes a step of exposing the first silicon oxide layer to a plurality of silicon-containing species to form a plurality of amorphous silicon components being partially intermixed with the first silicon oxide layer. - 特許庁

また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。例文帳に追加

Additionally, the method includes a step of annealing the first silicon oxide layer partially intermixed with the plurality of amorphous silicon components in an oxidative environment to form a second silicon oxide layer on the substrate. - 特許庁

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。例文帳に追加

An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal. - 特許庁

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。例文帳に追加

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21. - 特許庁

シリコン粒子２と酸化シリコン粒子３との混合粒子を基材１上に塗布する混合粒子塗布工程と、前記基材１上に塗布された前記混合粒子に対して、前記シリコン粒子２に対する前記酸化シリコン粒子３の選択比が高いドライエッチングを行って前記酸化シリコン粒子３を除去するドライエッチング工程と、を含む。例文帳に追加

The coating method of silicon particles includes: a mixed particle coating step for coating an underlying substrate 1 with mixed particles of silicon particles 2 and silicon oxide particles 3; and a dry etching step for removing the silicon oxide particles 3 by performing dry etching to the mixed particles on the underlying substrate 1 coated therewith, with higher selection ratio of the silicon oxide particles 3 with respect to the silicon particles 2. - 特許庁

シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２，１３を形成する工程と、このシリコン酸化膜１２，１３をシリコン基板１１が露出するまで選択エッチングする工程と、露出したシリコン基板１１上にシリコンゲルマニウム膜１５，１６をエピタキシャル成長する工程を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming silicon oxide films 12, 13 on a silicon substrate 11, selectively etching the films 12, 13 to an extent that the substrate 11 exposes, and epitaxial growing silicon germanium films 15, 16 on the exposed substrate 11. - 特許庁

シリコン基板１１上に、ゲート絶縁膜１３を形成し、その上に小粒径多結晶シリコンであるシリコン膜１４、ゲルマニウム・シリコン膜１５、非晶質シリコン膜１６（または大粒径多結晶シリコン膜）を化学的気相成長法により堆積する（ｂ）。例文帳に追加

A gate insulating film 13 is formed on a silicon substrate 11 on which a silicon film 14 of small-particle-size polycrystal silicon, a germanium/ silicon film 15 and an amorphous silicon film 16 (or a large-particle-size polycrystalline silicon film) are deposited by a chemical vapor-phase growth method (b). - 特許庁

ウレタンスポンジの外周面には平滑な導電性シリコン皮膜が形成されるので、ウレタンゴムローラは、表面が平滑でシリコンゴムローラに匹敵する耐熱性を有する導電性ゴムローラに変換される。例文帳に追加

Since the smooth conductive silicone film is formed on the outer peripheral surface of the urethane sponge, the urethane rubber roller is converted into the conductive rubber roller having a smooth surface and heat resistance equivalent to a silicone rubber roller. - 特許庁

ウレタンスポンジの外周面には平滑なシリコン皮膜が形成されるので、ウレタンゴムローラは、表面が平滑でシリコンゴムローラに匹敵する耐熱性を有するゴムローラに変換される。例文帳に追加

Since the smooth silicone film is formed on the outer circumferential surface of the urethan sponge, the urethan rubber roller is changed to the rubber roller having the smooth surface and the heat resistance equal to that of a silicon rubber roller. - 特許庁

多結晶シリコンのゲート電極５を用いた通常のＭＩＳＦＥＴを形成後、層間絶縁膜２１をＣＭＰにより平坦化し、多結晶シリコンゲート電極５を露出させた後、アルミニウム膜２２を堆積する。例文帳に追加

After a normal MISFET using a gate electrode 5 of polycrystal silicon is formed, an inter-layer insulating film 21 is flattened by CMP so that the polycrystal silicon gate electrode 5 is exposed before an aluminum film 22 is deposited. - 特許庁

シリコンのような接着膜２３５がＣＭＰ停止層２１０上に堆積され、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む充填材料２４０が、接着膜２３５上に接着膜２３５に接して堆積される。例文帳に追加

An adhesive film 235 like silicon is deposited on the CMP stop layer 210, and a filling material 240 containing an oxide silicon (SiO_x) is deposited on the adhesive film 235 in contact with the adhesive film 235. - 特許庁

有機シリコン化合物としてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：（ＣＨ３）３Ｓｉ−Ｓｉ（ＣＨ３）３）をシリコン原子未結合手と反応させて化学的にシリコン未結合手を安定化させて少数キャリアの発生を抑制した。例文帳に追加

The generation of the small number of carriers is suppressed by causing HMDS (hexamethyldisilazane: (CH_3)3Si-Si(CH_3)_3) to react with an uncombined bond of a silicon atom as an organic silicon compound and chemically stabilizing the uncombined bond. - 特許庁

好ましくは、シリコンインゴット９を支持回転手段２０によって回転させ、かつ切削刃１２の刃先１３をシリコンインゴット９の周方向に向けてシリコンインゴット９の外周部に切り込ませる。例文帳に追加

Preferably, the silicon ingot 9 is rotated by a support rotating means 20 and the cutting edge 13 of a cutting blade 12 is made to cut into the outer peripheral portion of the silicon ingot 9 toward the peripheral direction of the silicon ingot 9. - 特許庁

まず、一方向凝固シリコン（柱状、多結晶シリコン）からなる基板５２が電気炉において熱酸化され、酸化シリコン層５４が約５μｍ形成される（図３（ａ））。例文帳に追加

A substrate 52 made up of a unidirectionally solidified silicon (columnar polycrystalline silicon) is thermally oxidized in an electric furnace and about 5 μm of an oxide silicon layer 54 is formed (Fig. 3(a)). - 特許庁

シリコンを含む複数の独立粒子に、シリコンを含む複数のシリコンナノワイヤーが配され、前記シリコンナノワイヤーが相互に絡み合ったシリコンナノワイヤーネットワークを構成し、前記独立粒子および前記シリコンナノワイヤーネットワークにリチウムを吸蔵させることを特徴とする電気化学素子の電極材料を用いる。例文帳に追加

The electrode material of the electrochemical element is used in which a plurality of silicon nanowires containing silicon are arranged in a plurality of independent particles containing silicon, in which the silicon nanowires constitute a mutually intertwined silicon nanowire network, and in which lithium is stored in the independent particles and the silicon nanowire network. - 特許庁

結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method capable of evenly forming a silicon layer containing impurities for forming p-n junction on crystalline silicon particles, and easily recovering the crystalline silicon particles with the silicon layer containing the impurities formed on a surface. - 特許庁

ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。例文帳に追加

An anchor 20 for disposing the diaphragm 5 on the silicon substrate 1 is formed between the diaphragm 5 and the silicon substrate 1 to surround the opening end of the through hole 30 on a side of the first principal plane from a circumferential direction. - 特許庁

Ａ．活性酸素源又はこれらの混合物を含む漂白剤と、Ｂ．２０％未満のＣ＝Ｃ二重結合含有未反応ポリエーテル鎖を含むシリコーングリコール原料物質からのシリコーングリコールとを含む組成物とする。例文帳に追加

The composition contains (A) a bleaching agent containing an active oxygen source or a mixture thereof, and (B) a silicone glycol obtained from a raw material of the silicone glycol containing <20% C=C double bond-containing unreacted polyether chain. - 特許庁

シリコンウェハー５が貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムに紫外線を照射する工程、その後に前記シリコンウェハー５が貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムからシリコーンウェハー５を剥離させる工程を含む。例文帳に追加

The silicon-wafer regeneration method includes a process for irradiating with ultraviolet rays a die attaching film fitted with a dicing-sheet function whereon a silicon wafer 5 is stuck, and includes a process for peeling thereafter the silicon wafer 5 from the die attaching film fitted with a dicing-sheet function whereon the silicon wafer 5 is stuck. - 特許庁

ゴム成分（１）と有機成分を含むゴム成分以外の成分（２）が混練りされたゴム混和物であって、成分（２）の分散性が良好であり、かつ所望のゴム成分の分子量を有するものを提供すること、また当該ゴム混和物を用いた成形シート、さらには積層シートを提供すること。例文帳に追加

To provide a rubber mixture obtained by kneading a rubber component (1) and a non-rubber component (2) comprising an organic component, wherein the dispersion of component (2) is good and the rubber component (1) has the desired molecular weight, and to provide a molded sheet and a laminate using the rubber mixture. - 特許庁

ポリシリコン７に窒素Ｎおよび炭素Ｃをドープしたシリコン融液７からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その窒素濃度が１×１０^１３〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、炭素濃度が５×１０^１５〜３×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であるシリコン単結晶インゴット。例文帳に追加

This silicone single crystal ingot is produced by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N and carbon C to a polysilicon 7, and has 1×1013-5×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and 5×1015-3×1016 atoms/cm3 carbon concentration. - 特許庁

加熱した反応容器内でクロロシラン類と水素とを含むシリコン原料ガスからシリコンを融液として得るためのカーボン製反応容器の接合部を接合する方法であって、シリコン融液と接触する反応容器の接合部の接合に、前記シール剤を使用する反応容器の接合方法。例文帳に追加

In the method for sealing the joint on the carbon reaction vessel for obtaining silicon in the form of the melt from a raw material gas containing chlorosilanes and hydrogen in the heated reaction vessel, the sealant is used for sealing the joint on the reaction vessel which contacts the silicon melt. - 特許庁

ｎ層，ｉ層，ｐ層は、アモルファスシリコン層または多結晶シリコン層により形成され、最上部（光の入射側）のｉ層を構成するアモルファスシリコン層が、粒径１ｎｍ〜１５ｎｍの微細な結晶シリコン粒がアモルファスマトリックス中に分散した構造のアモルファスシリコン層を用いる。例文帳に追加

For the amorphous silicon layer constituting the i layer at the top part (a light incident side), the amorphous silicon layer in a structure for which fine crystal silicon grains of grain diameters 1 nm to 15 nm are dispersed in an amorphous matrix is used. - 特許庁

シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE POLYMER COMPRISING SILICONE-CONTAINING ALKYL VINYL ETHER POLYMER AND RESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME - 特許庁