「だいすうたようたい」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

包帯素材であるガーゼが少なかった時代には、晒を複数に裂いて包帯の代用とした。例文帳に追加

In the old days, for the shortage of gauze, torn sarashi had been used as a substitute for bandage.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第１及び第２結晶質半導体膜は、複数の結晶粒が集合した多結晶体である。例文帳に追加

The first and second crystalline semiconductor films are polycrystals in which a plurality of crystalline grains are aggregated. - 特許庁

第１の放射導体板１２は第１の周波数にて共振し、第２の放射導体板１５はより高周波な第２の周波数にて共振する。例文帳に追加

The first radiation conductor plate 12 is resonated with a first frequency and the second radiation conductor plate 15 is resonated with a second frequency higher than the first frequency. - 特許庁

半導体装置１０の内部では、複数の半導体素子（第１半導体素子１２および第２半導体素子１４）が重畳して内蔵されている。例文帳に追加

Inside the semiconductor device 10, the plurality of semiconductor elements (a first semiconductor element 12 and a second semiconductor element 14) are superposedly built. - 特許庁

また、第１半導体素子１１０ａと第２半導体素子１１０ｂとを連結する第２連結構造体１４０ｂは、複数の連結部１４１を有する。例文帳に追加

A second connection structure 140b for connecting the first semiconductor element 110a and a second semiconductor element 110b includes a plurality of connection parts 141. - 特許庁

本発明によって提供される半導体装置Ａ５は、複数の端子４３と、第１の半導体チップ２３と、第１の半導体チップ２３に設置される第２の半導体チップ２４と、第２の半導体チップ２４に設置される第３の半導体チップ２５と、第１の半導体チップ２３、第２の半導体チップ２４、第３の半導体チップ２５、および複数の端子４３を覆う封止樹脂１と、を備えている。例文帳に追加

A semiconductor device A5 provided by the present invention comprises a plurality of terminals 43, a first semiconductor chip 23, a second semiconductor chip 24 provided on the first semiconductor chip 23, a third semiconductor chip 25 provided on the second semiconductor chip 24, and an encapsulation resin 1 covering the first semiconductor chip 23, the second semiconductor chip 24, the third semiconductor chip 25 and the plurality of terminals 43. - 特許庁

車載用対数周期ダイポールアンテナ例文帳に追加

LOGARITHMIC PERIOD DIEPOLE ANTENNA FOR VEHICLE - 特許庁

第2-3-3-4 図表　タイの自動車生産台数（最近及び時系列）の推移例文帳に追加

Figure, Table 2-3-3-4 Thailand's automotive production units (recent and chronological) - 経済産業省

また、特賞状態として、大入賞口の開放制御回数が異なる第１特賞状態及び第２特賞状態を有する。例文帳に追加

The game machine includes further the first special prize state and the second special prize state different in opening frequencies of a jackpot hole, as special prize states. - 特許庁

例えば、第２の状態変数と独立な第１の状態変数は、第１の状態変数の変化及び変更が実質的に第２の状態変数に影響せず、逆もまた同じであることを意味しうる。例文帳に追加

For example, a first state variable that is independent of a second state variable may mean that the first state variable may be changed or altered without substantially affecting the second state variable, and vise versa. - 特許庁

複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。例文帳に追加

The plurality of third semiconductor regions 25a, 25b configure a plurality of photodiodes together with the plurality of first semiconductor regions 23a, 23b, the first semiconductor layer 21, and the second semiconductor layer 22. - 特許庁

素子分離端における薄膜化を抑制しつつ、第１半導体層と格子定数の異なる第２半導体層を第１半導体層に埋め込む。例文帳に追加

To embed into a first semiconductor layer a second semiconductor layer having a lattice constant which differs from that of the first semiconductor layer, while controlling film thinning at a device separation end. - 特許庁

第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル用導体パターン同士を接続して同じターン数の第３のコイルと第４のコイルが形成される。例文帳に追加

A plurality of second insulting layers, in which conductive patterns for a third coil and conductive patterns for a fourth coil are formed, are laminated, the conductive patterns for the third coil are connected to each other, and the conductive pattern for the fourth coil are connected to each other to form third and fourth coils having the same number of turns. - 特許庁

無線基地局および端末は、第一の周波数帯を用いて無線通信を行う第一の無線機と、第一の周波数帯よりも高い第二の周波数帯を用いて無線通信を行う第二の無線機とをそれぞれ具備する。例文帳に追加

The wireless base station and the terminal respectively have a first wireless unit using a first frequency band to make wireless communication and a second wireless unit using a second frequency band to make wireless communication. - 特許庁

該データ記憶装置は、複数の第１、第２及び第３の導体、並びに読み出し回路をさらに含む。例文帳に追加

The data storage device further includes a plurality of a first, second and third conductors as well as a reading circuit. - 特許庁

複数の混合管要素の各々は、第１の流体入口と、第１の流体入口の下流に配置された第２の流体入口と、第１及び第２の流体入口の下流に配置された吐出端部と、第１及び第２の流体入口間に配置された渦発生装置とを有する導管を含む。例文帳に追加

Each of the plurality of mixing tube elements includes a conduit having a first fluid inlet, a second fluid inlet arranged downstream from the first fluid inlet, a discharge end arranged downstream from the first and second fluid inlets, and the vortex generator arranged between the first and second fluid inlets. - 特許庁

第１のアンテナエレメント１０に分布する第２の周波数帯で、第２のアンテナエレメントに分布する第２の周波数帯が歪まないようにした複数周波数帯用アンテナを提供する。例文帳に追加

To provide a multiple frequency band antenna in which a second frequency band distributed in a second antenna element is prevented from being distorted with a second frequency band distributed in a first antenna element 10. - 特許庁

第２種状態において、第２種可変入賞手段２４０の変位動作が最大継続回数まで継続すると第３種状態となる。例文帳に追加

In the second type of state, when displacement actions of the second type of variable prize winning mean 240 continue until a maximum time of continuation, the third type of state begins. - 特許庁

複数の流体通路は，第１流体８１を通過させる第１流体通路２１と第２流体８２を通過させる第２流体通路２２とにより構成されている。例文帳に追加

A plurality of fluid passages have a first fluid passage 21 for passing a first fluid 81 and a second fluid passage 22 for passing a second fluid 82. - 特許庁

第１および第２の複数のＳＶ（衛星ビークル）は、夫々第１および第２の複数の固有対応識別番号（ＩＤ）によって識別される。例文帳に追加

First and second plural SVs (satellite vehicles) are identified by first and second plural unique corresponding identifications (IDs), respectively. - 特許庁

不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。例文帳に追加

A plurality of first conductivity type third semiconductor regions 25a, 25b having impurity concentrations higher than those of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 are provided in the second semiconductor layer 22 under the plurality of first semiconductor regions 23a, 23b at intervals therebetween. - 特許庁

積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の第１及び第２内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体上に形成された複数の外部導体（第１及び第２端子導体、並びに第１及び第２外部接続導体）とを備える。例文帳に追加

The multilayer capacitor includes a multilayer body in which a plurality of dielectric layers and a plurality of first and second inner electrodes are alternately laminated, and a plurality of outer electrodes (first and second terminal conductors and first and second outer connecting conductors) formed on the multilayer body. - 特許庁

積層コンデンサは、複数の誘電体層と、複数の第１及び第２内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体上に形成された複数の外部接続導体（第１及び第２端子導体、並びに第１及び第２外部接続導体）とを備える。例文帳に追加

The multilayer capacitor comprises a laminate where a plurality of dielectric layers and a plurality of first and second internal electrodes are laminated alternately; and a plurality of external connection conductors (first and second terminal conductors, and first and second external connection conductors) formed on the laminate. - 特許庁

積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の第１及び第２内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体上に形成された複数の外部導体（第１及び第２端子導体、並びに第１及び第２外部接続導体）とを備える。例文帳に追加

The multilayer capacitor comprises a laminate where a plurality of dielectric layers and a plurality of first and second internal electrodes are laminated alternately, and a plurality of external conductors (first and second terminal conductors, and first and second external connection conductors) formed on the laminate. - 特許庁

ＡＰＩ利用者ごとの状態数４４１−１〜４４１−Ｍを管理する認可情報管理部４４０を設け、認可された状態の最大数である最大状態数４４２−ｊを超えた状態生成を中止する。例文帳に追加

The API gateway device is provided with a certification information control part 440 for controlling the number of states 441-1 to 441-M for each API user, to abort state creation exceeding the maximum number of state 442-j which is a maximum number of the certified state. - 特許庁

本発明の撚線導体１は、複数本の素線導体を撚り合わせた複数本の子撚導体２，３，５が、複数層に親撚りされた撚線導体であって、隣り合う第１層の親撚り４と第２層の親撚り６の親撚り方向が同じである。例文帳に追加

The stranded wire conductor 1 is formed by twisting a plurality of slave stranded wire conductors 2, 3, 5 formed by twisting a plurality of elemental wire conductor in a plurality of layers. - 特許庁

周波数帯域の拡大により、音楽信号をより高音質に再生する。例文帳に追加

To reproduce a music signal with a higher sound quality by expanding a frequency band. - 特許庁

周波数帯域の拡大により、音楽信号をより高音質に再生させる。例文帳に追加

To expand a frequency band for reproducing music signals with high sound quality. - 特許庁

第１半導体チップは複数の第１貫通電極（ＴＳＶ）３４を備えて第１厚さを有する。例文帳に追加

The first semiconductor chip includes a plurality of first through electrodes (TSV) 34 and has a first thickness. - 特許庁

第１ＶＣＡ２６、第２ＶＣＡ２８及び第３のＶＣＡ３０が、それぞれの周波数帯の信号を受信する。例文帳に追加

A first, second and third VCA 26, 28, 30 receives respective frequency band signals. - 特許庁

第２流路形成部２４は、第２流体を流す複数の第２流路２２ｂを形成する。例文帳に追加

The second flow channel forming section 24 forms a plurality of second flow channels 22b in which the second fluid flows. - 特許庁

回路分離領域４０には複数の第１導体及び複数の第１ビアが設けられている。例文帳に追加

A plurality of first conductors and a plurality of first via holes are provided in the circuit separation region 40. - 特許庁

そして、給電電極３の端部が第１周波数帯ｆ_1用および第２周波数帯ｆ_2用の給電端子３１とされている。例文帳に追加

A terminal portion of the power feeding electrode 3 is then defined as a power feeding terminal 31 for the first frequency band f_1 and for the second frequency band f_2. - 特許庁

複合アンテナ１の誘電体基板２の片面には、第１の周波数帯で共振する第１の放射導体３と、第１の放射導体３を間隙を存して環状に包囲する環状導体４と、環状導体４を間隙を存して包囲し第１の周波数帯よりも低周波な第２の周波数帯で共振する第２の放射導体５とが、同心状にパターン形成されている。例文帳に追加

A first radiation conductor 3 resonating in a first frequency band, a circular conductor 4 circularly surrounding the first radiation conductor 3 with a gap, and a second radiation conductor 5 surrounding the circular conductor 4 with a gap and resonating in a second frequency band lower than the first frequency band, are concentrically formed into a pattern on one surface of a dielectric substrate 2 of the composite antenna 1. - 特許庁

複数の半導体装置を備えた半導体ウェハおよびそのダイシング方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER PROVIDED WITH PLURALITY OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND ITS DICING METHOD - 特許庁

アンテナ装置は、第１、第２及び第３の周波数帯域に整合のとれた第１のアンテナ１、第３の周波数帯域に整合のとれた第２のアンテナ２、ダイプレクサ３などを有する。例文帳に追加

This antenna device has a first antenna 1 matched with first, second and third frequency bands, a second antenna 2 matched with the third frequency band, a diplexer 3, etc. - 特許庁

第１電極膜１１、第１半導体膜１２、第２半導体膜１３および第２電極膜１４は、それぞれ、ストライプ状に配置された複数の第１分割溝１５、複数の第２分割溝１６、複数の第３分割溝１７および複数の第４分割溝１８によって分割されている。例文帳に追加

The first electrode film 11, the first semiconductor film 12, the second semiconductor film 13, and the second electrode film 14 are respectively split by a plurality of first splitting grooves 15, a plurality of second splitting grooves 16, a plurality of third splitting grooves 17, and a plurality of fourth splitting grooves 18, which are arranged in a stripe shape. - 特許庁

透明基板と、複数の第一の導体と、第一の導体と共に容量性領域のマトリクスを形成する複数の第二の導体と、容量性領域の各々の容量を検出するための第一の導体及び第二の導体に電気的に接続された制御装置を備えている。例文帳に追加

A capacitive-type touch panel includes: a transparent substrate; a plurality of first conductors; a plurality of second conductors cooperating with the first conductors to form a matrix of capacitive regions; and a controller connected electrically to the first and second conductors for detecting the capacitance of each of the capacitive regions. - 特許庁

そして、この選択された台数の機関４をアイドリング状態とする。例文帳に追加

The selected number of engines 4 are each brought into an idling state. - 特許庁

積層半導体装置は第１半導体チップ２１及び１つまたは複数の第２半導体チップ２３、２５、２７を含む。例文帳に追加

A stacked semiconductor device comprises a first semiconductor chip 21 and one or a plurality of second semiconductor chips 23, 25, and 27. - 特許庁

第３導体素子８及び第４導体素子９の長さの和は、第２アンテナ３の動作周波数の略１／４波長に設定されている。例文帳に追加

The sum of the lengths of the third and fourth conductor elements 8, 9 is selected to be nearly 1/4 wavelength with respect to the operating frequency of the second antenna 3. - 特許庁

なお、第一ＢＰＦ１９は、分離が難しい周波数帯よりも広い周波数帯を通過させるフィルタであり、第二ＢＰＦ２１は分離が難しい周波数帯よりも狭い周波数帯を通過させるフィルタである。例文帳に追加

The first BPF 19 is a filter for transmitting a signal having a frequency band wider than a frequency having difficulty in separation, and the second BPF 21 is a filter for transmitting a signal having a frequency narrower than the frequency having difficulty in separation. - 特許庁

第一導電型半導体領域１表面に複数の第二導電型半導体層２ａ及び２ｂを形成し、第二導電型半導体層２ａ及び２ｂ間の第一導電型半導体領域１表面を除去する。例文帳に追加

A plurality of second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b are formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor region 1. the surface of the first conductivity-type semiconductor region 1 between the second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b is removed. - 特許庁

複数の周波数帯の中から任意に定められた第１周波数帯に対し、予め定められた第１設定範囲の中から第１補正レベルを任意に特定されると、第１周波数帯以外の第２周波数帯に対応した第１設定範囲よりも狭い範囲の第２設定範囲が、隣接する前記周波数帯の補正レベルに基づいて特定される。例文帳に追加

When a first correction level is set arbitrarily among a predetermined first set range for a first frequency band determined arbitrarily among a plurality of frequency bands, a second set range narrower than the first set range corresponding to a second frequency band other than the first frequency band is specified based on the correction level of an adjoining frequency band. - 特許庁

周波数帯域拡大装置及び周波数帯域拡大方法、再生装置及び再生方法、並びに、プログラム及び記録媒体例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR EXTENDING FREQUENCY BAND, PLAYER APPARATUS, PLAYING METHOD, PROGRAM AND RECORDING MEDIUM - 特許庁