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「アスペクト~」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > アスペクト~の意味・解説 > アスペクト~に関連した英語例文

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アスペクト~を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2840



例文

十分なアスペクト比を有し、配列が均一な金属細線を備える金属細線包接薄膜及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a metallic thin wire-including thin film with a metallic thin wire uniformly arranged and having sufficient aspect ratio. - 特許庁

金属のマスキングによって多段のエッチングを施し、高アスペクト比を持つ金属パターン、或いは回路基板を形成する。例文帳に追加

To form a metal pattern or a circuit board having a high aspect ratio by being subjected to a multistage etching by means of a metal masking. - 特許庁

アスペクト比が異なる複数の視野枠が設けられた視野枠板を効率的に移動させてファインダの視野範囲を切り換える。例文帳に追加

To switch the visual field range of a finder by efficiently moving a visual field frame plate on which plural visual field frames with different aspect ratios are provided. - 特許庁

上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-layer wiring structure which connects upper layer wiring layer and lower layer wiring layer with a via contact having a large aspect ratio. - 特許庁

例文

異方性データの既存の値の間を補間して、修正アスペクト比A′を持つ近似的等方性データを作成する。例文帳に追加

Approximated isotropic data with the corrected aspect ratio A' is created by interpolating the present values of anisotropic data. - 特許庁


例文

大面積化と高アスペクト比化とを容易に実現することができる放射線コリメータ及びこれを備えた放射線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation collimator that facilitates enlarging an area and achieving a high aspect ratio, and to provide a radiation detector with the collimator. - 特許庁

径が細く、アスペクトが高い探針で高忠実観察を行ったり、探針形状の補正を行ったりして残渣検出精度を向上させる。例文帳に追加

The accuracy of residue detection is improved by carrying out high-fidelity observation with a probe with a thin diameter and a high aspect or improving the shape of the probe. - 特許庁

所望のアスペクト比となるように画像の歪みを補正することが可能な画像処理システム等を提供すること。例文帳に追加

To provide an image processing system, etc. which corrects distorted images so that a desired aspect ratio is reached. - 特許庁

その後に基板を重ねて接合することにより、容易に数μmの孔径の高アスペクト比の貫通孔を有するマイクロノズルを構成できる。例文帳に追加

Then, the substrates are overlapped and joined, and thus, the micronozzle equipped with a through hole having the hole diameter of several μm and the high aspect ratio can be easily constituted. - 特許庁

例文

交互配置されたビット・パターン記録メディアの、より高いビット・アスペクト比は、線記録密度を高め、より高いデータ記録レートを可能にする。例文帳に追加

The increased bit aspect ratio of the staggered bit pattern recording medium increases the linear recording density and enables a higher data recording rate. - 特許庁

例文

アスペクト比を変換しない場合と比較すると、画像の中心部を拡大した状態で表示することができる。例文帳に追加

In comparison with the case of not converting the aspect ratios, they can be displayed in the state of enlarging the center parts of the images. - 特許庁

溶けにくい層が高いアスペクト比の、基板に形成されたコンタクトまたは孔を有する基板に堆積される。例文帳に追加

A layer hard to dissolve is deposited on a substrate 66 having contacts or holes formed therein, the contacts or holes having a large aspect ratio. - 特許庁

充分なアスペクト比の細長形状でありながら充分な音量の音波を出力することができる発振装置を提供する。例文帳に追加

To provide an oscillation device capable of outputting a sufficient volume of sonic waves, while having an elongated shape with a sufficient aspect ratio. - 特許庁

アスペクト比でパターニング形成する部分をエッチングする際にもマイクロローディング効果を抑制することができるようにする。例文帳に追加

To realize suppressing of a micro loading effect even in the case of etching a part in which patterning is formed at a high aspect ratio. - 特許庁

このようなドロップレットDLは、基板W上に高アスペクト比で形成された溝TRを埋めることなく、溝TRの開口を塞ぐ(図4(a))。例文帳に追加

Such droplets do not fill trenches TR formed in high aspect ratio in the wafer W but clog respective openings of the trenches TR (figure 4 (a)). - 特許庁

光励起電解研磨法によりシリコン基板11に高アスペクト比の貫通孔12を形成する。例文帳に追加

A through hole 12 having a high aspect ratio is formed by a photo-excited electrolytic polishing process in a silicon substrate 11. - 特許庁

半導体の表面に、設計に基づいたアスペクト比の高いナノサイズの孔や溝の構造を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a structure having nano-sized holes or grooves with a high aspect ratio based on a design on the surface of a semiconductor. - 特許庁

第1位置P1では、ストロボ44からの光は、撮影アスペクト比が4:3の範囲L1を照射可能な照射角度で出射される。例文帳に追加

The light is emitted from the strobe 44 at an irradiation angle, the light with which a range L1 having the photographing aspect ratio of 4:3 in the 1st position P1 can be irradiated. - 特許庁

当該リチウムマンガン系複合酸化物の平均アスペクト比が10以上100以下であることが好ましい。例文帳に追加

The lithium-manganese compound oxide preferably has an average aspect ratio of 10-100. - 特許庁

部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。例文帳に追加

In the method, a tungsten-containing material is filled in a feature having a high aspect ratio on a semiconductor substrate partially manufactured. - 特許庁

1回の撮影で複数のアスペクト比からなる画像を迅速に取り出すことが可能となる撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide an imaging apparatus quickly taking out images comprising a plurality of aspect ratios by one photographing. - 特許庁

アスペクト比の高いキャパシタ形成における倒壊を防ぐと共に、容量電極面積を大きくすることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can prevent collapse in capacitor formation having a high aspect ratio and can enlarge a capacitive electrode area. - 特許庁

アレイ(18)及び基板(14)は、大きい高さ対幅のアスペクト比を有する相互接続(12)幾何形状を用いて共に接合される。例文帳に追加

The array (18) and substrate (14) are joined together using an interconnect (12) geometry having a large aspect ratio of height to width. - 特許庁

ポリイミドは、実質的にまたは完全に剛直性モノマーから誘導され、ナノスケール充填材は、少なくとも3:1のアスペクト比を有する。例文帳に追加

The polyimide is derived substantially or wholly from rigid rod monomers and the nano-scale filler has an aspect ratio of at least 3:1. - 特許庁

アスペクト比トラッピング材料を用いて、非シリコンベースの半導体デバイスをシリコン製造プロセスに統合する。例文帳に追加

To integrate a non-silicon based semiconductor device into a silicon fabrication process by using an aspect-ratio-trapping material. - 特許庁

アスペクト比が高いSi_3N_4のβ型のナノワイヤーの提供、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-aspect-ratio β-Si_3N_4 nanowire and to provide a method for the production of the same. - 特許庁

微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a dry etching method that forms a fine pattern, provides a high etching selection ratio, and allows patterning at a high aspect ratio. - 特許庁

レンズ列44aの配列ピッチP1をレンズ列44aの高さで除算したアスペクト比が7〜200である。例文帳に追加

An aspect ratio of an array pitch P1 of the lens array 44a divided by the height of the lens array 44a is 7-200. - 特許庁

撮影時の画像データに対するアスペクト比情報に関して、最適な処理方法をユーザが設定できる撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide an imaging apparatus which enables a user to set the most suitable processing method as regards aspect ratio information for image data when photographing. - 特許庁

前記ナノワイヤーのアスペクト比は、20より大きく、前記ナノワイヤーは、ネットワーク状構造を形成している。例文帳に追加

The nanowire has an aspect ratio of >20, forming a network structure. - 特許庁

高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method which can fill an insulating film in a groove having a small width with a high aspect ratio and attain high throughput. - 特許庁

基板表面に配線材料を含む塗布液を塗布することで配線を形成する技術において、高アスペクト比の配線を容易に形成する。例文帳に追加

To easily form a wiring with high aspect ratio with respect to a technology for forming the wiring by applying coating liquid containing a wiring material on the surface of a substrate. - 特許庁

高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of embedding a silicon oxide film in a groove having a high aspect ratio and a small width, and high in throughput. - 特許庁

凹部のアスペクト比が高い印刷用凹版を容易かつ安価に製造できる印刷用凹版の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an intaglio for printing that easily and inexpensively manufactures an intaglio for printing whose recess has a high aspect ratio. - 特許庁

製造コストを増加させることなく、高アスペクト比のキャパシタ下部電極を保持するサポート膜構造を提供する。例文帳に追加

To provide a support film structure for holding a capacitor lower electrode of a high aspect ratio without increasing manufacturing cost. - 特許庁

本発明は、コンタクトホールのアスペクト比の低減可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device and its manufacturing method reducing an aspect ratio of a contact hole. - 特許庁

直径40nm以上、1000nm以下であり、アスペクト比が50以上、5000以下であることを特徴とする、β−Si_3N_4ナノワイヤー。例文帳に追加

There is provided a β-Si_3N_4 nanowire having a diameter of 40-1,000 nm and an aspect ratio of 50-5,000. - 特許庁

該酸化チタン構造体は、例えば、アスペクト比が10以上の板状酸化チタン結晶からなる酸化チタン構造体。例文帳に追加

The titanium oxide structure is, e.g., a titanium oxide structure comprising plate-like titanium oxide crystals having an aspect ratio of ≥10. - 特許庁

アスペクト比の変換倍率に応じて、適切な解像度で画像を表示させることのできるプロジェクターを提供すること。例文帳に追加

To provide a projector capable of displaying an image at an appropriate resolution according to the conversion magnification of an aspect ratio. - 特許庁

構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上1200MPa以下であり、構造体のアスペクト比が、0.6以上1.5以下である。例文帳に追加

The modulus of the elasticity of the material forming the structures is 1 MPa to 1,200 MPa and the aspect ratio of the structure is 0.6 to 1.5. - 特許庁

アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a microstructure, wherein easy manufacturing of a metal microstructure having a high aspect ratio with a high degree of precision is achieved. - 特許庁

異なるアスペクトモード間であっても、記録用画像データの容量または画質を互いに近づけることができる撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image pickup apparatus that can make a capacity or the image quality of recording image data of different aspect modes approximate each other. - 特許庁

マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for etching a high aspect ratio feature through a mask into a layer to be etched over a substrate. - 特許庁

アスペクト比でも異なる開口幅のトレンチの深さ制御が行え、かつ、プロセス時間の増大を抑制できるようにする。例文帳に追加

To control a depth of a trench having a different opening width even at a high aspect ratio, and suppress an increase in process time. - 特許庁

第1の無機フィラーは、扁平状であり、長軸平均長さが50μm以上1000μm以下であり、かつアスペクト比が5以上である。例文帳に追加

The first inorganic filler is in a flat shape, wherein the average length of the major axis is 50-1,000 μm and the aspect ratio is ≥5. - 特許庁

アスペクト比のコンタクトホールを容易な加工で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a contact hole having a high aspect ratio can be formed through easy processing. - 特許庁

第2の無機フィラーは、扁平状であり、長軸平均長さが10μm以上50μm未満であり、かつアスペクト比が3以上である。例文帳に追加

The second inorganic filler is in a flat shape, wherein the average length of the major axis is 10-50 μm and the aspect ratio is ≥3. - 特許庁

記録媒体7の媒質7M中に所定のアスペクト比でなる多数の長軸微粒子8を設けておく。例文帳に追加

A plurality of long axis particles 8 with a predetermined aspect ratio are provided in a medium 7M of the recording medium 7. - 特許庁

構造体のアスペクト比が、0.2以上1.28以下であり、透明導電膜の膜厚が、9nm以上50nm以下である。例文帳に追加

An aspect ratio of the structure is 0.2 to 1.28, and film thickness of the transparent conductive film is 9-50 nm. - 特許庁

例文

次いで、マッピング確率変数の値の分布の少なくとも1つのアスペクトを記述するモデルパラメータを判定する。例文帳に追加

Then a model parameter is decided in which at least one aspect of a distribution of values of the mapping random variables is described. - 特許庁

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