「イオンスパッタ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

高出力イオンスパッタリングマグネトロン例文帳に追加

HIGH-OUTPUT ION SPUTTERING MAGNETRON - 特許庁

イオンスパッタリングの腐食効果を減少させる極限紫外リソグラフィー装置を提供する。例文帳に追加

To provide a limit-ultraviolet lithography apparatus for reducing the corrosion effect of ion sputtering. - 特許庁

隙間６４内部にデポが付着していれば、イオンスパッタにより隙間６４の外へ掻き出される。例文帳に追加

If the depot attaches inside the gap 64, the ions scraped out from the gap 64 through ion sputtering. - 特許庁

このイオンスパッタリングマグネトロンは更に、導電性構成部材と駆動軸部分との間に配置された電磁場シールドを有している。例文帳に追加

The ion sputtering magnetron has an electromagnetic field shield arranged between the conductive component and a drive shaft segment. - 特許庁

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。例文帳に追加

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming. - 特許庁

X線ターゲット材料とヒートパイプの接合工程をイオンスパッタ、レーザーアブレーション等の物理蒸着法よりも短時間に実現する。例文帳に追加

To achieve jointing process of an X-ray target material and a heat pipe in shorter time than physical vapor deposition such as ion sputter and laser ablation. - 特許庁

磁気誘導加熱によって生じた熱損傷の影響を受けにくい高出力イオンスパッタリングマグネトロンを提供すること。例文帳に追加

To provide a high-output ion sputtering magnetron which is hardly affected by the thermal damage arising from magnetic induction heating. - 特許庁

イオンスパッタによる劣化を防ぐスパッタ耐性に優れた蛍光体及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a fluorescent substance that has excellent sputtering resistance so as to prevent the degradation by ion sputtering and to provide a process for producing the fluorescent substance. - 特許庁

走査プローブ顕微鏡用探針の材料に、この探針材料よりイオンスパッタ速度が遅いダイアモンド粉末３を付着させ、このダイアモンド粉末３が付着した状態で、このダイアモンド粉末３が無くなるまで、或いはそれ以上に、前記探針材料をイオンスパッタすることにより、針状突起６を形成する。例文帳に追加

Diamond powder 3 that has a slower ion sputter speed than a probe material is allowed to adhere to the material of a probe for a scanning probe microscope, and the material of the probe is subjected to ion sputtering while the diamond powder 3 adheres until the least the diamond powder 3 disappears, thus forming a needle-shaped projection 6. - 特許庁

放電時の蒸発が少なく、かつ、イオンスパッタリングに対する耐性が高い電子放出材料と、この電子放出材料を用いた電極と、この電極を有する放電灯とを提供することである。例文帳に追加

To provide the electron-emitting material which has a low evaporation on discharging and a high resistance to an ion sputtering, the electrode using the electron-emitting material, and the discharge lamp having the electrode. - 特許庁

低真空型イオンスパッタリング装置において、載置高さを容易に変更でき、分析作業の効率化が図れる非導電性試料の導電処理用治具を提供する。例文帳に追加

To provide a tool for a conductive treatment of a non-conductive sample capable of easily changing the loading height and efficiently performing an analysis in a low-vacuum ion sputtering apparatus. - 特許庁

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。例文帳に追加

To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu. - 特許庁

試料分析時に試料がイオンスパッタされて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正しく行われる試料分析方法および電子線分析装置を提供すること。例文帳に追加

To execute drift correction correctly, even if a sample surface shape is changed by ion sputtering onto a sample at the time of analysis of the sample. - 特許庁

本発明は、凹凸のある試料に均一なコーティングができ、真空を汚したり、グリース切れによる動作不良がなく、しかも、スパッタリングに費やす時間が長くかからないイオンスパッタ装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an ion sputtering system where uniform coating can be applied to a sample having ruggedness, the contamination of a vacuum and the defect in operation caused by the exhaustion of grease do not occur, and further, the time for sputtering is not long. - 特許庁

薄膜試料１を試料台２に固定し、超高真空装置内に導入し、試料台２を回転させながら、１００Å程度イオンスパッタを行う。例文帳に追加

A thin film sample 1 is fixed to a sample stand 2 to be introduced into an ultrahigh vacuum apparatus and ion sputtering of about 100 Åis performed while the sample stand 2 is rotated. - 特許庁

本発明のIII−ニトリドＬＥＤおよびその製造方法は、熱蒸着、ｅビーム蒸着、イオンスパッタリングまたは電気めっきにより従来のIII−ニトリドＬＥＤに磁性金属層を形成する。例文帳に追加

By using a III-nitride light emitting diode LED and a manufacture method thereof, a magnetic metal layer in a conversion III-nitride LED is formed by a method of thermal evaporation, e-beam evaporation, ion sputtering, or electroplate. - 特許庁

本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。例文帳に追加

In the ion sputtering system provided with a freely rotatable sample stand to be mounted with a sample, a tilting support stand of tilting the sample stand in accordance with the rotary movement of the sample stand is provided. - 特許庁

発光輝度を向上させつつイオンスパッタによる劣化を防ぐことができる蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルを提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a fluorescent substance by which the deterioration caused by ion sputtering is prevented while improving emission luminance; to provide the fluorescent substance; and to provide a plasma display panel. - 特許庁

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。例文帳に追加

To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied. - 特許庁

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても走査電極上の保護層表面の変化が少なく、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したプラズマディスプレイパネルを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma display panel in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, there is less change on a protective layer surface on a scanning electrode, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed. - 特許庁

成膜機構５は、ミラー１０の非光学機能面１０ｂに向けて、イオンスパッタリングにより、膜原料物質４（図中矢印）を飛散・堆積させて薄膜３を形成する。例文帳に追加

The mechanism 5 forms a thin film 3 on the non-optically functioning surface 10b of the substrate 1 by causing a raw material 4 (shown by arrows in the figure) for the film 3 to deposit on the surface 10b by scattering the material 4 toward the surface 10b of the mirror 10 by ion sputtering. - 特許庁

再び、超高真空に保たれたＡＥＳの測定室に試料台３、及び薄膜試料を導入し、試料台３を回転させながら１００Å程度イオンスパッタを行う。例文帳に追加

Again, the sample stand 3 and the thin film specimen are introduced into the measuring chamber of AES held to a superhigh vacuum state and, while the sample stand 3 is rotated, ion sputtering of about 100 Å is performed. - 特許庁

また導電層としては、金属や金属酸化物あるいはカーボンなどの導電性材料を蒸着、イオンスパッタリングなどの手法によりフィルム上に形成したもの、導電性材料を含有する樹脂、導電性高分子などの導電性樹脂を多層化したものなどが挙げられる。例文帳に追加

The conductive layers include conductive materials, such as metals, metal oxides or carbon, formed on the film by a technique, such as vapor deposition or ion sputtering and the conductive resins, such as resins containing the conductive materials and conductive high polymers, formed as multilayers. - 特許庁

回転式カソードを備えた高出力イオンスパッタリングマグネトロンであって、該回転式カソードは、電源から回転式カソードに電流を通じさせるように電導性材料で作られている導電性構成部材を内部に含んでいる。例文帳に追加

A rotary cathode of the high-output ion sputtering magnetron provided with the rotary cathode internally includes conductive components made of a conductive material so as to pass an electric current to the rotary cathode from a power source. - 特許庁

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても書込み放電を行う走査電極上のバス電極上の保護層表面の変化が抑制され、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したＰＤＰを提供する。例文帳に追加

To provide a PDP in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, change of a protective layer surface on a bus electrode on a scanning electrode to carry out write-in discharge is suppressed, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed. - 特許庁

分析用フィルタ１は、穴径１００ｎｍ〜１０００ｎｍのろ過穴３を複数有する樹脂からなるフィルタベース２と、フィルタベース２の片側の表面に金（Ａｕ）をイオンスパッタにて形成した金属被覆膜４とを有する。例文帳に追加

This analyzing filter 1 has a filter base 2 comprising a resin, having a large number of filter pores 3 with a pore size of 100-1,000 nm and a metal coating film 4, formed by applying gold (Au) on the surface of one side of the filter base 2 by ion sputtering. - 特許庁

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。例文帳に追加

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source. - 特許庁