「ギャップ内金属」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

次に、第１の貫通穴１ａを介して容量ギャップ内の気体を排気した後、容量ギャップと貫通穴１ａとの間を封止するように金属薄膜の端子８ａを形成する。例文帳に追加

Then, after evacuating a gas in the capacity gap through the first through hole 1a, a terminal 8a of a metal membrane is formed so as to seal the interval between the capacity gap and the through hole 1a. - 特許庁

金属酸化物膜内に、エネルギーバンドギャップが５．０ｅＶ以上である透明薄膜を有していてもよい。例文帳に追加

The conductive film may have a transparent thin film having an energy band gap of 5.0 eV or more in the metal oxide film. - 特許庁

かくして、凝固する鋳造金属とモールド内面との間に形成されるギャップ中の熱抵抗が減少する。例文帳に追加

In this manner, thermal resistance within a gap formed between solidifying cast metal and the interior mold surface is decreased. - 特許庁

Ｈｆ（或いはＺｒ）酸化物に高価数金属を添加することでギャップ内準位を作りだし、窒素あるいはフッ素などによりギャップ内準位の位置を変化させることで、最適な実効仕事関数を有する電極を備え、低閾値動作が可能なＣＭＩＳデバイスを実現した。例文帳に追加

A CMIS device with an electrode having the optimum effective job function to enable a low threshold operation is actualized by forming levels within a gap through high-valent metal addition to an Hf (or Zr) oxide and changing the locations of the levels within the gap with nitrogen or fluorine or the like. - 特許庁

送電側及び受電側とで対向して所定のギャップを形成した状態において、そのギャップ内に金属などの異物が存在することを検出することができる、低コストの非接触充電システムを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a low-cost noncontact charging system capable of detecting that a foreign substance such as metal exists in a predetermined gap formed by making a transmission side and a reception side oppose each other. - 特許庁

実装基板母材上に複数配列したＳＡＷチップに対して金属膜を乾式メッキ法により成膜する際に、各ＳＡＷチップの裾部と基板面とのギャップ内に十分な量の金属を堆積させてギャップを塞ぐと同時に、ＳＡＷチップ間に位置するダイシングラインの交点に必要以上の金属膜が堆積することがないようにする。例文帳に追加

To make a metal film more than required at an intersection of dicing line located between SAW chips not to be deposited at the same time of blocking a gap between the skirt of each SAW chip and a substrate surface with sufficient amount of metal, when a metal film is deposited by a dry plating method on a plurality of rows of the SAW chips on a packaging substrate matrix. - 特許庁

金属磁性層が巻線窓では巻線窓内側に形成されるため磁路長が短くなり、フロントギャップ近傍ではギャップ面と金属磁性層面が非平行となる様に形成されるため、トラック幅が精度が高い金属磁性層膜厚で決まり、高精度なトラック幅精度を有する磁気ヘッドを得ることが可能となる。例文帳に追加

To obtain a magnetic head having high accuracy of track width in which a magnetic path length becomes short because a metal magnetic layer is formed inside a winding window and the track width is decided dependinf on the film thickness of highly accurate metal magnetic layers because the faces of the metal magnetic layers are formed so as become un-parallel with a gap face near a front gap. - 特許庁

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。例文帳に追加

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping. - 特許庁

固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an air gap or gaps within solid structures and specifically semiconductor structures to reduce dielectric capacitive coupling between electrical elements such as metal lines. - 特許庁

電気配線構造などの電子デバイスにおける金属線間の絶縁として特に有用なエアギャップを固体構造内に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an air gap, especially useful as insulation between metal wires in an electronic device such as an electric wiring structure, within a solid structure. - 特許庁

内部導体５が３６ＡＷＧより細い同軸線であって、外部導体７が金属線で構成され、この外部導体７にギャップ３０が形成されている。例文帳に追加

In the coaxial cable, an inner conductor 5 is thinner than 36 AWG, an outer conductor 7 is composed of a metal wire, and a gap 30 is formed in the outer conductor 7. - 特許庁

導波管の内部に、導波管の壁面から突出し、対向する金属導体間の電界集中ギャップに電界を集中させて、導波管に沿って電波を伝搬させる電界集中板１４，１８を設ける。例文帳に追加

Electrostatic-concentrating plates 14 and 18 projecting from the wall surface of the waveguide, concentrating an electric field on an electrostatic-concentrating gap between opposed metallic conductors and propagating radiowaves along the waveguide are fitted in the waveguide. - 特許庁

金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。例文帳に追加

The ion beam source comprises a metallic enclosure provided with cathodes, magnetic gaps, a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the enclosure, reactive gas introducing means for introducing reactive gas into the enclosure, and anodes each arranged in the vicinity of the magnetic gap; wherein the cathodes are electrically insulated from ground potential. - 特許庁

溶接される部材間に所要のギャップを設けてこれらの部材を配設し、上記ギャップに電極を下から挿入するとともに、弗化バリウム65～75％、氷晶石15～25％、臭化ナトリウム５～10％（質量％）の組成よりなるフラックスを充填し、ギャップの上下に容器、を配置した後、電極に通電して電極及びフラックスを溶融し、溶融金属をスラグ浴より浮き上がらせることにより、上部の容器内に溶融金属浴を形成し、その後電極の溶融により下部の容器を開口してその中にスラグを流入させることにより上記ギャップに溶融金属を流入させることを特徴とする軽金属のエレクトロスラグ溶接法。例文帳に追加

Light metal electroslag welding process, wherein after arranging the parts to be welded together with specified gaps, inserting an electrode from below the pieces into a gap together with flux fill the makeup of which is 65-75% barium fluoride, 15-25% cryolite and 5-10% (by weight) sodium bromide and placing the vessels above and below the pieces, applying current to melt the electrode and the flux for floating up the molten metal from a slag bath, forming the molten metal bath in the upper vessel, and opening the lower vessel by the melted electrode, and allowing the slag into the said vessel, which introduces molten metal into the gap between the pieces to be welded.  - 特許庁

絶縁性積層体１１と、この絶縁性積層体１１中で相互に離間して対向配置された電極２１，２２と、この電極２１，２２間に位置するギャップと、少なくともギャップ内に配置された放電誘発部３１と、を備える静電気対策素子１００において、導電性金属酸化物を含む電極２１，２２を用いる。例文帳に追加

In the anti-static element 100 comprising an insulating laminate 11, electrodes 21, 22 arranged to face each other in the insulating laminate 11 with a space between one other, a gap located between the electrodes 21, 22, and a discharge inducing part 31 arranged at least in the gap, electrodes 21, 22 containing a conductive metal oxide are used. - 特許庁

結果として、ギャップ領域内に析出された反射防止コーティング材料は、金属画素間で、かつディスプレイの能動素子に向かう入射光の透過を低減し、金属画素間の過度の段高さに関連する問題を軽減する。例文帳に追加

As a result, the antireflective coating material deposited in the gap region reduces the transmission of the incident light between the metal pixels and toward the active elements of the display and alleviates problems associated with excessive step height between the metal pixels. - 特許庁

原子燃料棒、特にＭＯＸ燃料棒の製造段階において、その内部に挿入されたペレット間のギャップの検査やスプリングあるいは金属管の有無の検査を、高い精度で行うことができる原子燃料棒の内部検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an internal inspection method of a nuclear fuel rod for performing an inspection of a gap between pellets inserted into the inside of the nuclear fuel rod and an inspection of presence/absence of a spring or a metal pipe with high accuracy at a manufacturing stage of the nuclear fuel rod, especially a MOX fuel rod. - 特許庁

本発明は、アキシャルギャップ型モータを構成しているステータが複数の分割コアで構成されており、各分割コアが金属板の積層構造を有している場合において、当該構成を有するステータをハウジング内において安定的に固定することができる圧縮機を提供する。例文帳に追加

To provide a compressor capable of stably fixing a stator in a housing, wherein the stator composes an axial gap type motor and comprises a plurality of divided cores, each core having a metal plate laminated structure. - 特許庁

これにより、フリップチップ実装用半導体チップ１を回路基板３０上にフリップチップ実装する際にボンディング用バンプ１２と接続端子３０との接続部で生じた余分な溶融状態の低融点金属４１は、バンプギャップ内に吸い上げられている。例文帳に追加

Thus, when flip-chip mounting the semiconductor chip 1 for flip-chip mounting onto a circuit board 30, the excess low melting point metal 41 in the molten state generated at the connection part of the bonding bump 12 and a connection terminal 30 is sucked up into the bump gap. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt metal-insulator transition (MIT) semiconductor material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor material layer. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminals semiconductor device comprises: a first electrode film; a rapid metal-insulator transition semiconductor substance, arranged on the first electrode film, having an energy gap of 2 eV or less and holes within a hole level; and a second electrode film arranged on the rapid metal-insulator transition semiconductor substance. - 特許庁

磁気回路は第１ボイスコイルの内側に配置されたプレートと、第１ボイスコイルの内側でプレートの前面に重ねられたマグネットと、マグネットの前面に重ねられるとともに第１ボイスコイルの周囲を囲むことで、マグネットとの隙間を第１磁気ギャップとする金属製のヨークとを備えている。例文帳に追加

The magnetic circuit includes a plate disposed inside the first voice coil, a magnet stacked on the front of the plate inside the first voice coil, and a metallic yoke stacked on the front of the magnet and enclosing a periphery of the first voice coil to formed a gap with the magnet as a first magnetic gap. - 特許庁

Ｈｆを構成元素として含む高誘電体膜３と多結晶シリコンまたは金属シリサイドからなるゲート電極５との間に、ゲート電極５のバンドギャップ内にフェルミレベルピンニングを発生させる準位を発生させない程度にゲート電極５との再ネットワークの構造緩和ができるアモルファス構造のＳｉＯ_2 膜４を介在させる。例文帳に追加

In the insulated gate semiconductor device, an amorphous structured SiO_2 film 4 is interposed between a high dielectric film 3 containing Hf as its constituent element and a gate electrode 5 comprising polycrystal silicon or metallic silicide, and the film 4 can achieve structural relaxation of re-netwoking with the gate electrode 5 to a degree of not causing a level of producing the Fermi level pinning in a band gap of the gate electrode 5. - 特許庁

流体が流れ金属よりなる測定管路と、前記流体内に渦を発生させる柱状の渦発生体と、前記渦発生体の下流側に配置された渦検出器とよりなる渦流量計において、 金属よりなる渦発生体の下流側上部に、前記渦発生体の高さＤに対して所定の高さを有するＬ状切り欠き部を形成し、この切り欠き部に所定のギャップを介して高さｈを有し合成樹脂よりなる渦検出器を配置したことを特徴とする渦流量計である。例文帳に追加

In the vortex flowmeter, an L-shaped notch section which has a prescribed height value relative to the height D of the vortex generator, is formed in an upper section on the downstream side of the vortex generator made of metal, and the vortex detector made of synthetic resin which has a height h, is arranged at the notch section via a prescribed gap. - 特許庁