「ゲルマニウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

前記非キャリア性ドーパントは、炭素、ゲルマニウム、錫、鉛又はこれらのグループから選択されたドーパントである。例文帳に追加

The non-carrier characteristic dopant is a dopant selected from carbon, germanium, tin, lead or a group of them. - 特許庁

好ましくは、重合触媒として、アンチモン化合物、ゲルマニウム化合物およびチタン化合物から選ばれる少なくとも一種を使用する。例文帳に追加

Preferably, at least one compound selected from antimony compounds, germanium compounds and titanium compounds is used as a polymerization catalyst. - 特許庁

チタン−ゲルマニウム合金およびその製造方法、ならびに装身具、金属製日用品および金属製医療用部材例文帳に追加

TITANIUM-GERMANIUM ALLOY, ITS MANUFACTURING METHOD, PERSONAL ORNAMENT, DAILY NECESSITIES MADE OF METAL, AND MEDICAL MEMBER MADE OF METAL - 特許庁

半導体基板１１の表面領域に、所定の加速電圧、所定のドーズ量で、ゲルマニウムイオン１４Ａをイオン注入する。例文帳に追加

Germanium ions 14A are ion-implanted to the surface region of a semiconductor substrate 11 at a prescribed acceleration voltage and in a prescribed dose amount. - 特許庁

ポリシリコンゲルマニウム膜６にボロンイオン７を注入した後、パターニングしてゲート電極６ａを形成する。例文帳に追加

After injecting boron ions 7 into the polysilicon germanium film 6, patterning is performed, and a gate electrode 6a is formed. - 特許庁

ドーパント領域でボロンがドーピングされると、シリコン・ゲルマニウム層が障壁層としてドーパント領域に形成される。例文帳に追加

When boron is doped in the dopant area, a silicon germanium layer is formed in the dopant area as a barrier layer. - 特許庁

ポリシリコン層と窒化タングステン層との間に形成される層は、シリコン窒化タングステン層またはシリコンゲルマニウム層であってもよい。例文帳に追加

A layer to be formed between the polysilicon layer and the tungsten nitride layer can be a silicon tungsten nitride layer or a silicon germanium layer. - 特許庁

陽極酸化被膜には、抗菌性を与えるため、金、銀、鉄、銅、タングステン、錫、コバルト、チタン及び／又はゲルマニウムその他の金属を含浸させる。例文帳に追加

The anodized coating film is impregnated with gold, silver, iron, copper, tungsten, tin, cobalt, titanium and/or germanium and other metals to provide antifungal properties. - 特許庁

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用例文帳に追加

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM - 特許庁

チタン（Ｔｉ）と、亜鉛及びゲルマニウム（Ｚｎ＋Ｇｅ）のモル比（Ｔｉ：Ｚｎ＋Ｇｅ）が、１：３〜３：１であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1. - 特許庁

ゲルマニウムの含有量は０．１〜６．０モル％で、ドーピング材はとくにガリウムを用いることが好ましい。例文帳に追加

The content of germanium is 0.1 to 6.0 mol%, and it is preferable to use gallium for the doping material. - 特許庁

チタン合金１は、チタン合金１の全質量基準で１〜１５質量％のゲルマニウムを含有する。例文帳に追加

The titanium alloy 1 comprises the germanium of 1 to 15 mass% based on the total mass of the titanium alloy 1. - 特許庁

ゲルマニウム酸塩、ケイ酸塩、スズ酸塩、鉛酸塩、チタン酸塩、ジルコニウム酸塩、ハフニウム酸塩を用いたアンモニア検出例文帳に追加

AMMONIA DETECTION USING GERMANATE, SILICATE, STANNATE, PLUMBATE, TITANATE, ZIRCONATE AND HAFNATE - 特許庁

鉛−アンチモン系合金からなる鉛合金格子において、前記鉛−アンチモン系合金が、さらにゲルマニウムを含むことを特徴とする。例文帳に追加

In the lead alloy grid made of a lead-antimony group alloy, the lead-antimony group alloy further contains germanium. - 特許庁

これらの金属接点は、アニールプロセスの際に低温で形成されたパラジウムゲルマニウム合金を含有する。例文帳に追加

The metal contact contains a palladium germanium alloy formed at a low temperature during an annealing process. - 特許庁

冷間加工性に優れたゲルマニウム含有高強度チタン合金および該合金からなる装飾・装身具例文帳に追加

GERMANIUM-CONTAINING HIGH STRENGTH TITANIUM ALLOY HAVING EXCELLENT COLD WORKABILITY, AND ORNAMENT OR ACCESSORY MADE OF THE ALLOY - 特許庁

金属元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ゲルマニウム、またはこれらの２種以上の混合物でよい。例文帳に追加

The metallic element can be silicon, aluminum, titanium, zirconium, germanium, or a mixture of two or more thereof. - 特許庁

酸化物としては珪素又はゲルマニウムの酸化物を、炭素含有粒子としては黒鉛を用いることが好ましい。例文帳に追加

An oxide of silicon or germanium is preferable as the oxide and graphite is preferable as the particles containing carbon. - 特許庁

前記水素処理層によって、ゲルマニウム蒸着膜に水素原子が含有されるため、酸化劣化に対する耐性が向上する。例文帳に追加

The formation of the hydrotreated layer enables the germanium-deposited film to contain hydrogen atoms and thereby improves its resistance to oxidation degradation. - 特許庁

基材シート１０に、水素原子含有量が１〜２０原子％のゲルマニウム蒸着層２０が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In the germanium vapor-deposited sheet, the germanium vapor-deposited layer 20 having a hydrogen atom content of 1-20 atom% is formed on the substrate sheet 10. - 特許庁

太陽光変換器セルがゲルマニウム（Ｇｅ）基板上に作成された３重接合型半導体太陽光変換器セルを含むことができる。例文帳に追加

The solar light converter cell includes a triply-bonded semiconductor solar light converter cell formed on a germanium (Ge) substrate. - 特許庁

その後、シリコンゲルマニウム膜７１および歪シリコン膜７２が形成された半導体ウエハ７０に半導体素子が形成される。例文帳に追加

After that, a semiconductor device is formed on the semiconductor wafer 70 on which the silicon germanium film 71 and the distorted silicon film 72 have been formed. - 特許庁

半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、薄膜は、ゲルマニウム、珪素、窒素、及び水素を含む。例文帳に追加

The thin film is used in a process of manufacturing a semiconductor device, wherein the thin film contains germanium, silicon, nitride and hydrogen. - 特許庁

半導体材料及び金属材料を含む化合物のゲルマニウム酸化物層を介した基板内における選択的形成例文帳に追加

SELECTIVE FORMATION OF COMPOUND CONTAINING SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METAL MATERIAL IN SUBSTRATE THROUGH GERMANIUM OXIDE LAYER - 特許庁

アンチモン化合物又はゲルマニウム化合物を用いることなく特定のパラメーターを満たす触媒を用いてポリエステルを重合する。例文帳に追加

This method produces polyester in the presence of a polymerization catalyst, other than that of an antimony of germanium compound, which satisfies a specific parameter. - 特許庁

必要に応じて、ゲルマニウム（Ｇｅ）や酸化チタン（ＴｉＯ２），銀（Ａｇ）のいずれか１つまたは複数を追加する。例文帳に追加

Either one or a plurality of germanium (Ge), titanium oxide (TiO_2) and silver (Ag) may be added, if necessary. - 特許庁

形見用装飾品３が、金属ゲルマニウムまたはトルマリン石からなるものは、マイナスイオン効果やリラックス効果も期待できる。例文帳に追加

The memento accessories 3 made of metal germanium or tourmaline stone may achieve a negative ion effect and a relaxing effect. - 特許庁

化合物半導体用ゲルマニウム添加源、それを用いた化合物半導体の製造方法、および化合物半導体例文帳に追加

GERMANIUM ADDITIONAL SOURCE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR USING THE SAME, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

その後、シリコンゲルマニウム膜および歪シリコン膜が形成された半導体ウエハ１２に半導体素子が形成される。例文帳に追加

Thereafter, a semiconductor element is formed on the semiconductor wafer 12 on which the silicon-germanium film and a strained silicon film are formed. - 特許庁

蛍光体材料として高品質で高輝度のゲルマニウムドープ窒化ガリウム結晶を低コストで容易に安定的に得る。例文帳に追加

To easily and stably obtain high luminance germanium-doped gallium nitride crystals of high quality as a phosphor material at a low cost. - 特許庁

特定の実施形態において、ゲルマニウム基板の窒化が、バリア層として機能するＧｅ_ｘＮ_ｙ層を形成する。例文帳に追加

In some embodiments, nitriding of the germanium substrate forms a Ge_xN_y layer which functions as a barrier layer. - 特許庁

最後に、シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に、エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させる。例文帳に追加

Finally, a poly-silicon layer defining the emitter region is deposited on the silicon germanium Epitaxial layer. - 特許庁

コントロールゲート２４は、電荷蓄積層１４の上方又は側方に形成され、ポリシリコン及びポリシリコンゲルマニウムのいずれか一方を含む。例文帳に追加

The control gate 24 is formed above or on the side of the charge storage layer 14, and contains polysilicon or polysilicon germanium. - 特許庁

Ｓｎ−Ｚｎ系無鉛はんだに、ゲルマニウムＧｅまたはニオブＮｂの何れかの金属または双方を添加する。例文帳に追加

Either or both of germanium Ge and niobium Nb are added to Sn-Zn based lead-free solder. - 特許庁

ゲルマニウム化合物やアンチモン化合物を触媒として用いることなく色相が良好なポリエステルポリマーを提供する。例文帳に追加

To provide a polyester polymer having excellent hue which has been produced without using a germanium compound or an antimony compound as a catalyst. - 特許庁

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。例文帳に追加

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

そして、ジュール熱で加熱された高抵抗部２３から蒸発したゲルマニウム微粒子を、収集部材４０に付着させることによって収集する。例文帳に追加

Germanium particulates vaporized from a high resistor portion 23 heated by Joule heat are collected by depositing them to collection members 40. - 特許庁

多孔質シリコンとすることができる多孔質層が基板上に形成され、ゲルマニウム含有層が多孔質シリコン層上に形成される。例文帳に追加

A porous layer which can be converted into a porous silicone layer is formed on the substrate and the layer containing germanium is formed on the porous silicone layer. - 特許庁

臭素は、熱プロセスの間、シリコンゲルマニウム層内では、より遅く拡散するので、臭素は窒化タングステン層まで拡散しない。例文帳に追加

Bromine is slowly diffused into the silicon germanium layer in a heating process, so that bromine is hardly diffused into the tungsten nitride layer. - 特許庁

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。例文帳に追加

To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region. - 特許庁

ＳＯＩ層の欠陥ないシリコンゲルマニウム層と引っ張られたシリコンエピタキシャル層を形成する。例文帳に追加

To form a silicon germanium layer and a drawn silicon epitaxial layer which does not contain SOI layer defects. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するプロセスを提供すること。例文帳に追加

To provide a process for forming the silicon germanium base of a heterojunction transistor. - 特許庁

A：リチウム B：リン、ケイ素、ホウ素、ゲルマニウムおよびガリウムよりなる群から選ばれた1種類以上の元素 C：イオウ D：銀例文帳に追加

A: lithium, B: one or more kinds of elements chosen from a group which consists of phosphorus, silicon, germanium, and gallium, C: sulfur, and D: silver. - 特許庁

得られるゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブは、その長さが数百μｍであり、その外径がおおよそ６００ｎｍである。例文帳に追加

The obtained indium germanate submicron tube has the length of several hundreds μm and the outer diameter of about 600 nm. - 特許庁

ゲルマニウムとフッ素を共添加したマルチモード光ファイバ２を波長多重伝送路に用いたことを特徴とする波長多重伝送システム１。例文帳に追加

A wavelength multiplex transmission system 1 employs a multi-mode optical fiber 2 codoped with germanium and fluorine. - 特許庁