「ゲルマニウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

また、ゲルマニウムは、チャネル領域形成予定領域１ｉやその周辺の領域１ｋ、１ｍなどに拡散しない。例文帳に追加

In addition, germanium is not diffused into a channel-region formation region 1i and its peripheral regions such as 1k and 1m. - 特許庁

この時前記基板１上にエッチングマスクとして、ゲルマニウム薄膜２を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In such a case, the germanium thin film 2 is formed on the substrate 1 as the etching mask. - 特許庁

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。例文帳に追加

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24. - 特許庁

７５重量％以上の金と、３〜５重量％のゲルマニウムとを含み、残部が銀および銅からなることを特徴とする装身具用金合金。例文帳に追加

This gold alloy for personal ornaments has a composition consisting of, by weight, ≥75% gold, 3-5% germanium and the balance silver and copper. - 特許庁

シリサイド反応を抑制する不純物（抑制不純物）、例えばゲルマニウムを、ソース・ドレイン領域１６，３６にその上面から導入する。例文帳に追加

Impurities (suppression impurities) suppressing a silicide reaction, for example, germanium are introduced to source/drain regions 16, 36 from upper surfaces thereof. - 特許庁

さらに、半導体膜成膜初期にゲルマニウムを含むガスを混合して表面吸着を促し成膜を促進する。例文帳に追加

Further, a gas containing germanium is mixed in the initial period of semiconductor film formation to accelerate surface absorption and accelerate film formation. - 特許庁

ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。例文帳に追加

A Pt thin film 12 is formed on a germanium (Ge) substrate 11, and an Ni thin film 13 is formed above the Pt thin film 12. - 特許庁

基板上に積層する多結晶シリコンゲルマニウム層中の内部応力を制御する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of controlling internal stress in a polycrystalline silicon-germanium layer laminated on a substrate. - 特許庁

皮膚に対して有用な作用を十分に発揮可能な無機ゲルマニウム及びトルマリンを有する皮膚外用剤の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a skin care preparation containing both of an inorganic germanium and tourmaline enabling effects useful for the skin to be fully exerted. - 特許庁

ｉ層として微結晶シリコンゲルマニウムを用いる薄膜太陽電池における太陽電池の諸特性を向上させる。例文帳に追加

To enhance various characteristics of the solar cell in a thin film solar cell employing microscrystalline silicon germanium as an i-layer. - 特許庁

この主成分が酸化ケイ素ではなく、酸化ゲルマニウムである点が従来技術と大きく異なる点である。例文帳に追加

The fact that the principal ingredient is not silicon oxide, but germanium oxide differs substantially from the prior art. - 特許庁

後加工不要であり、かつ安価なゲルマニウム皮膚当接健康器具およびその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a germanium skin contact health apparatus eliminating after-work and low in cost, and its manufacturing method. - 特許庁

第２の埋設内部クラッドは、さらに、０．５％と７％の間の重量濃度のゲルマニウムを含有している。例文帳に追加

The second embedded inner cladding, moreover contains germanium of a weight concentration of between 0.5% and 7%. - 特許庁

特に、シリコン層は、シリコン−ゲルマニウム混晶層上の所定位置に形成したエミッタ領域用絶縁壁の外周部に設ける。例文帳に追加

Specifically, the silicon layer is formed in a peripheral area of an insulation wall for an emitter region formed at a prescribed position on the silicon-germanium mixed crystal layer. - 特許庁

ゲルマニウム合金−シリカ複合体、これを用いた薄膜、積層体及び装身具並びにコーティング剤例文帳に追加

GERMANIUM ALLOY-SILICA COMPOSITE, THIN FILM USING THE SAME, LAMINATED BODY, ACCESSORY AND COATING MATERIAL - 特許庁

コア１１は、酸化ゲルマニウムを主成分としてエルビウム、イッテリウム又はツリウムなどの希土類元素がドープされている。例文帳に追加

The principal constituent of the core 11 is germanium oxide, and rare-earth elements such as erbium, ytterium, thulium, etc., are doped to the core 11. - 特許庁

第１のシリコンゲルマニウム薄膜１１の結晶欠陥を選択エッチング（フッ酸／硝酸）によって除去する。例文帳に追加

A crystal defect of the first silicon-germanium thin film 11 is removed by a selective etching (hydrogen fluoride/nitric acid). - 特許庁

半導体装置の製造工程では、非晶質のシリコン膜１の一部の領域にゲルマニウムを導入して熱処理を行う。例文帳に追加

In a process of manufacturing the semiconductor device, germanium is introduced into a partial region of an amorphous silicon film 1, and then heat treatment is performed. - 特許庁

有機ゲルマニウム化合物を有効成分とする脂肪細胞の機能異常に関する疾患の予防又は改善剤。例文帳に追加

PREVENTING OR AMELIORATING AGENT FOR DISEASE RELATING TO DYSFUNCTION OF FAT CELL CONTAINING ORGANIC GERMANIUM COMPOUND AS ACTIVE COMPONENT - 特許庁

方形のタブレット状のゲルマニウムチップ１０は、銅板２０上に接着剤などにより複数接合される。例文帳に追加

A plurality of square tablet-like germanium chips 10 are jointed by an adhesive, or the like, on a copper plate 20. - 特許庁

防水性樹脂の被膜中に分散されたゲルマニウムは湯中などに溶出していき難いものとなっている。例文帳に追加

The germanium dispersed in the coating film of the waterproof resin is not easily eluted in hot water or the like. - 特許庁

本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するゲルマニウムとイオウの量を一定値以下に制御する。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact contains germanium and sulfur which are controlled to be equal to or below a fixed value. - 特許庁

錯体形成基を有する多孔性中空糸膜及び該多孔性中空糸膜による酸化ゲルマニウムの回収方法例文帳に追加

POROUS HOLLOW FIBER MEMBRANE HAVING COMPLEX FORMING GROUP AND METHOD FOR RECOVERING GERMANIUM OXIDE BY USING THE SAME - 特許庁

ゲルマニウム、トリウム、ペグマタイトの微粒子粉末の混合を塗料、樹脂、セラミックス等及び冷却水溶液に混入。例文帳に追加

This composition is produced by incorporating a mixture of fine particles of germanium, thorium, pegmatite in a paint, a resin, a ceramic etc. and a cooling water solution. - 特許庁

ゲルマニウム堆積物が、Ｃｕ基合金を用いることで、なくなるか、最小限になるかのいずれかとなることが分かった。例文帳に追加

Germanium deposition has been found to be either absent or minimal by using the Cu-base alloy. - 特許庁

次に混合ガス供給工程Ｓ１２０において、５００℃〜６００℃の温度範囲内でシリコンとゲルマニウムの混晶膜を形成する。例文帳に追加

In a mixed-gas supply process S120, the liquid-crystal film of silicon and germanium is formed within the temperature range of 500 to 600°C. - 特許庁

多結晶ゲルマニウムを水溶液またはプラズマによって除去して、空気充填された相互接続空隙を形成する。例文帳に追加

The polycrystalline germanium 12 is removed in water solution or by a plasma, forming a mutually connecting gap filed with air. - 特許庁

低温蒸着が可能なゲルマニウム前駆体を用いた相変化層の形成方法及びその方法を用いた相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE LAYER USING GERMANIUM PRECURSOR CAPABLE OF LOW-TEMPERATURE DEPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME - 特許庁

その結果、シリコン・ゲルマニウム基板１１上にエピタキシャル成長させる歪みＳｉ層１４の貫通転位密度は、大幅に低減される。例文帳に追加

Consequently, the penetration dislocation density of the strained Si layer 14 epitaxially grown on the substrate 11 is reduced significantly. - 特許庁

複雑でなく経済的な、高い生産効率をもたらす高純度四フッ化ゲルマニウムを製造するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing high purity germanium tetrafluoride which is not complicated, is economical, and brings about high production efficiency. - 特許庁

ゲルマニウム−シリカ複合体、これを用いた薄膜、装身具、積層体及びその製造方法並びにコーティング剤例文帳に追加

GERMANIUM-SILICA COMPLEX, THIN FILM USING THE SAME, ACCESSORY, LAMINATE, MANUFACTURING METHOD FOR THE LAMINATE, AND COATING AGENT - 特許庁

基材シートにプラズマ処理を行い、前記プラズマ処理面にゲルマニウムの蒸着層を形成する。例文帳に追加

The substrate sheet is subjected to a plasma treatment so as to form a germanium-deposited layer on the plasma-treated surface. - 特許庁

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子例文帳に追加

GERMANIUM PRECURSOR, GST THIN FILM FORMED BY UTILIZING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT - 特許庁

ゲルマニウムはゲート、ソース及びドレイン形成以前に打ち込まれ、通常ＦＥＴで見られる逆短チャネル効果を低減する。例文帳に追加

The germanium is implanted before the gate, source, and drain are formed, so an inversion short channel effect which is shown with normal FETs is reduced. - 特許庁

身体洗浄用の石鹸組成物について、有機ゲルマニウムによる保湿、除菌および美白作用を有する石鹸組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a soap composition for cleaning the body, having moisture-keeping, disinfecting and bleaching activities caused by an organic germanium. - 特許庁

この場合、クラッド部にはその屈折率を上昇させる物質、例えばゲルマニウム等が添加されていてもよい。例文帳に追加

In this case, it is also possible to add a refractive index raising material, such as germanium, etc., to the clad section of the fiber. - 特許庁

フルゲルマニウムシリサイド化ゲートＭＯＳＦＥＴの形成方法及びそれから得られるデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a full-germanium silicide formed gate MOSFET and a device obtained therefrom. - 特許庁

引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a germanium structure increasing a reduction effect of direct energy gap E_0 by tensile strain. - 特許庁

ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。例文帳に追加

To reduce sizes of the crystalline grains, by improving the surface morphology of a polysilicon germanium film. - 特許庁

ゲルマニウム半導体層を用いた半導体装置において高速動作ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of high sped operation in a semiconductor device which uses a germanium semiconductor layer, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

絶縁材料層を異方性エッチングして、この層の中に、多結晶ゲルマニウムに対向する開口部を形成する。例文帳に追加

The insulating material layer 13 is etched anisotropically, to form an opening part facing the polycrystal germanium 12 in the layer. - 特許庁

ゲルマニウムと同等以上に健康維持効果があり、安価であり、使い勝手の良い健康器具を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive health appliance which has a health maintaining effect more than germanium and is excellent in handleability. - 特許庁

結晶質シリコンゲルマニウムによって増倍層を形成し、第１、第２の光電変換層で生成したキャリアを増倍する構成もある。例文帳に追加

It may be constituted that a multiplication layer is formed with the crystalline silicon germanium, and carries generated in the first and second photoelectric converter layers are doubled. - 特許庁

ウインドセルの基材をゲルマニウムとし、加工物と対向する表面にＤＬＣコーティングを施す。例文帳に追加

The window cell is composed of germanium as the base material and coated with DLC coating on the surface oppositely facing the workpiece. - 特許庁

上記シリコンゲルマニウム層をアニーリングする工程は、少なくとも１１００℃の温度で１〜１０秒の範囲の時間行われる。例文帳に追加

The process in which the silicon germanium layer is annealed is conducted for the time within a range of 1 to 10 sec at the temperature of at least 1,100°C. - 特許庁