「ゲルマニウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

前記鉛−アンチモン系合金が、実質的にスズを含まないこと、０．５〜１０質量％のアンチモンを含むこと、０．０００５〜１．５質量％のゲルマニウムを含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the lead-antimony group alloy do not substantially contain tin and contains 0.5 to 10 mass% of antimony and contains 0.0005 to 1.5 mass% of germanium. - 特許庁

そして、この窒化された部分を有しているゲート絶縁膜４上に、ポリシリコン層またはポリシリコンゲルマニウム層を形成し、ゲート電極５を形成する。例文帳に追加

Then the gate electrode 5 is formed on the insulating film 4 having the nitrided region by forming a polysilicon layer or a polysilicon-germanium layer on the film 4. - 特許庁

Ｇｅ半導体領域と、前記Ｇｅ半導体領域に直接接して形成され、金属、ゲルマニウムおよび酸素を含有する絶縁膜領域とを具備することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device has a Ge semiconductor region and an insulating film region which directly contacts with the Ge semiconductor region and contains a metal, germanium, and oxygen. - 特許庁

本発明にかかる吸水防止剤は、硬化性の有機ケイ素化合物を含む分散体を含む水性エマルションと、ゲルマニウム触媒との組み合わせからなる。例文帳に追加

The water absorption inhibitor is composed of a combination of an aqueous emulsion comprising a dispersion containing a curable organosilicon compound and a germanium catalyst. - 特許庁

ゲート電極は、柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３と、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン層２４とが積層された構造を有する。例文帳に追加

The gate electrode has a multilayer structure of a lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure, and an upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure. - 特許庁

セラミックボールや硝子ビーズ等の表面に二酸化チタン／二酸化ゲルマニウム複合酸化物被膜を形成することにより、道管内の腐食の原因となる酸化還元電子を低減させる。例文帳に追加

To reduce oxidation-reduction electrons causing the internal corrosion of a conduit by forming a titanium dioxide/germanium dioxide composite oxide film to the surfaces of ceramic balls, glass beads or the like. - 特許庁

肢体に装着される肢体用保温部材１が、酸化チタン、トルマリン及びゲルマニウムの少なくとも１つで構成された血行促進部を備えている。例文帳に追加

This heat insulation member 1 for a limb worn on the limb includes blood circulation promotion parts each comprising at least one of titanium oxide, tourmaline and germanium. - 特許庁

可変容量ダイオードをシリコンよりも誘電率の大きいシリコンゲルマニウムのｐｎ接合を利用して作成することにより、制御用逆方向電圧に対して大きな容量変化比を得ることができる。例文帳に追加

A large capacity variation ratio can be obtained for a reverse direction control voltage by forming a variable capacity diode utilizing a pn- junction of silicon germanium having permittivity higher than that of silicon. - 特許庁

シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。例文帳に追加

To dope with high precision impurities such as carbon when a silicon/ germanium mixed crystal film is grown to effectively suppress diffusion of impurities such as boron. - 特許庁

多孔質層を用いてゲルマニウム・オン・インシュレータ半導体構造を形成するための方法及びこれらの方法によって形成される半導体構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a germanium-on-insulator semiconductor structure using a porous layer, and a semiconductor structure formed by the method. - 特許庁

高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polycrystalline high-purity germanium-alloyed silicon ingot, and to provide a simple and low-cost production method therefor. - 特許庁

アルカリ可溶性ケイ素化合物またはアルカリ可溶性ゲルマニウム化合物のアルカリ性溶液と、水溶解性ビスマス化合物溶液とを８０℃以上で剪断型攪拌機により攪拌混合して反応させる。例文帳に追加

An alkaline solution of an alkali-soluble silicon compound or an alkali-soluble germanium compound and an aqueous solution of a water-soluble bismuth compound are stirred and mixed with a shearing type stirrer to react the compounds. - 特許庁

さらに、プラチナが２２質量％以上３０質量％以下、ゲルマニウムが１質量％以上５質量％以下、インジウムが０．０２質量％以上１質量％以下、残部が銀である第３の銀合金。例文帳に追加

Third silver alloy has a composition comprising, by mass, 22 to 30% platinum, 1 to 5% germanium and 0.02 to 1% indium, and the balance silver. - 特許庁

上記ゲルマニウム濃度が高い層内の少なくとも一部に、半導体素子の活性領域を配置することにより、上記半導体素子は製造される。例文帳に追加

By arranging the active region of the semiconductor device at least at a part inside the layer with a high germanium concentration, the semiconductor device is manufacture. - 特許庁

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。例文帳に追加

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure. - 特許庁

チャネル層に歪みシリコンを用い、エクステンション領域にシリコンゲルマニウム層を用いることで、エクステンション領域の浅い接合を可能とする。例文帳に追加

To enable shallow junction on an extension region by using a distorted silicon for a channel layer and a silicon germanium layer for the extension region. - 特許庁

次に、塩素ガスを用いたプラズマエッチングを行ってボンドウェハ１を除去し、シリコンゲルマニウム単結晶層３をストッパとして機能させる。例文帳に追加

Next, plasma etching is conducted using a chlorine gas to remove the bond wafer 1, and the silicon germanium crystalline layer 3 becomes working as a stopper. - 特許庁

シリコン、ゲルマニウム又はこれらの合金からなる基体粒子を、炭素層で実質的に被覆した活物質粒子をリチウム二次電池用負極材料として使用する。例文帳に追加

The active material particles, which are obtained by covering base particles consisting of silicon, germanium, or these alloys substantially with carbon layers, are used as the negative electrode material for lithium secondary battery. - 特許庁

ボロンがドーパント領域にドーピングされる場合、シリコン・ゲルマニウム層はボロンが障壁層に移ってプラグ装置の接触抵抗を減少させるのを防止する。例文帳に追加

When boron is doped in the dopant area, the silicon germanium layer prevents the boron from shifting to the barrier layer to reduce the contact resistance of the plug device. - 特許庁

半導体スクラップ材等より回収された粗ガリウムを精製する際、ガリウム中より除去が困難な、金、ニッケル、ゲルマニウム、および銅等の不純物を簡便、且つ低コストで除去できる精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a refining method that can easily and inexpensively remove impurities such as gold, nickel, germanium, and copper, which are difficult to be removed from gallium, in refining crude gallium collected from semiconductor scraps or the like. - 特許庁

炭化珪素基板上に、ゲルマニウムをドープした炭化ケイ素バッファー層を設け、かつ、該バッファー層上に半導体素子層を設けることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。例文帳に追加

This silicon carbide semiconductor substrate manufacturing method provides a silicon carbide substrate with a germanium-doped silicon carbide buffer layer and then forms a semiconductor device layer on this buffer layer. - 特許庁

具体的に、このマイナスイオンを発生する鉱物は、ゲルマニウム、セレニウム、トルマリン石、貴陽石、麦飯石、又は健緑石の何れか１種類の鉱物、あるいは２種類以上の鉱物である。例文帳に追加

Specifically, the mineral generating negative ions is one kind or two kinds or more selected from among germanium, selenium, tourmaline or Kueiyang calculus, graniteporphyry or Kenryoku stone. - 特許庁

このゲート誘電体層３２において、エピタキシャルＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ合金層１８からゲート誘電体層３２に拡散するゲルマニウムは実質的にはない。例文帳に追加

In this gate dielectric layer 32, germanium diffusing from an epitaxial Si_1-xGe_x alloy layer 18 to the gate dielectric layer 32 is substantially made absent. - 特許庁

本発明の酸化インジウム系透明導電性薄膜作製用燒結体ターゲットは、共存するゲルマニウム元素がビックスバイト型結晶構造の酸化インジウムのインジウムサイトに固溶していることを特徴としてもつ。例文帳に追加

In the sintered compact target for producing an indium oxide based transparent electrically conductive film, a coexistent germanium element is allowed to enter into solid solution in the indium site of indium oxide with a bixbyte type crystal structure. - 特許庁

微結晶シリコンゲルマニウムを光電変換層に有し、セル特性が向上した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion device which is provided with a photoelectric conversion layer containing microcrystal silicon germanium and has improved cell characteristic, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

６０重量％以下の金と、２〜５重量％のゲルマニウムを含み、残部が銀、銅、亜鉛、パラジウム、インジウムの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とする装身具用金合金。例文帳に追加

This gold alloy for personal ornaments contains ≤60% gold and 2-5% germanium, by weight, and the balance is composed of one or more kinds of silver, copper, zinc, palladium and indium. - 特許庁

電解質塩を有機溶媒に溶解した電解液において、有機錫化合物又は有機ゲルマニウム化合物を含有することを特徴とすることを特徴とする非水電解液。例文帳に追加

The electrolyte with electrolyte salt dissolved in an organic solvent contains an organic tin compound or an organic germanium compound. - 特許庁

青磁用粘土とゲルマニウム原石の粉末及び、トルマリン原石の粉末を混合し、２回以上加熱処理の原材料で作成された容器類。及び板板類。例文帳に追加

VESSELS AND PLATES PRODUCED FROM RAW MATERIAL, OBTAINED BY MIXING CLAY FOR CELADON, POWDER OF GERMANIUM RAW ORE AND POWDER OF TOURMALINE RAW ORE AND HEAT TREATING RESULTING MIXTURE TWO OR MORE TIMES - 特許庁

また、シリコン−ゲルマニウム層上にシリコンキャップ層を形成し、このシリコンキャップ層にリン（Ｐ）あるいは砒素（Ａｓ）を導入してエミッタ領域を形成する。例文帳に追加

Moreover, a silicon cap layer is formed on the silicon-germanium layer, and an emitter region is formed by introducing phosphorus (P) or arsenic (As) into this silicon cap layer. - 特許庁

そのあと、選択エピタキシャル成長によって、表面１１ａが露出するＳＯＩ形成領域１３のみシリコンゲルマニウム層１５及びシリコン層１６を成膜させる。例文帳に追加

After that, a silicon germanium layer 15 and a silicon layer 16 are formed by selective epitaxial growth on only the SOI forming region 13 where a surface 11a is exposed. - 特許庁

微結晶シリコン又は、微結晶シリコンゲルマニウムからなるｉ層と接するｐ層、ｎ層の少なくとも一方を、微結晶シリコンカーバイトと微結晶シリコンとの混晶とする。例文帳に追加

At least one from among a p-layer and an n-layer which come into contact with an i-layer composed of microcrystal silicon or microcrystal silicon germanium is formed of a mixed crystal of microcrystal silicon carbide and microcrystal silicon. - 特許庁

シリコンゲルマニウム犠牲層を用いた半導体素子の微細パターンの形成方法及びそのパターンの形成方法を用いた自己整列コンタクトの形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SILICON GERMANIUM SACRIFICIAL LAYER AND FORMING METHOD OF SELF-ALIGNED CONTACT USING FORMING METHOD OF THE SAME PATTERN - 特許庁

有機ゲルマニウム化合物を有効成分とするＭＣＰ−１受容体拮抗剤、及びＭＣＰ−１が関与する炎症性疾患及び臓器障害の発症予防または治療剤例文帳に追加

MCP-1 RECEPTOR ANTAGONIST CONTAINING ORGANIC GERMANIUM COMPOUND AND PREVENTIVE OR TREATING AGENT FOR ONSET OF INFLAMMATORY DISEASE OR ORGANOPATHY RELATING TO MCP-1 - 特許庁

シリコンからなる基板３１上に多孔質シリコンからなる多孔質層３２を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。例文帳に追加

A thin film layer made of a single crystal silicon or a silicon germanium is formed on a substrate 31 made of silicon with a porous layer 32 made of a porous silicon between them. - 特許庁

触媒としてアンチモン（Ｓｂ）やゲルマニウム（Ｇｅ）を使用しないにもかかわらず、良好な色相を呈し、フィルム中の微細粒子量が非常に少ない光学用二軸延伸フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a biaxially oriented film for optical use imparting a good color, containing extremely reduced amount of fine particles in the film without using antimony (Sb) or germanium (Ge) as a catalyst. - 特許庁

光記録媒体は、無機記録膜を有する光記録媒体であって、無機記録膜が、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備える。例文帳に追加

In the optical recording medium having an inorganic recording film, the inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing oxides of germanium (Ge) and tin (Sn). - 特許庁

シリコン基板１１上にシリコン酸化膜よりも高い比誘電率を有するＨｆＡｌＯｘ膜１６を形成し、ポリシリコンゲルマニウム膜１８を形成する。例文帳に追加

An HfAlOx film 16, having a specific inductive capacity higher than that of a silicon oxide film is formed on the silicon substrate 11, to form a polysilicon germanium film 18. - 特許庁

シリコン−ゲルマニウム混晶を含むＳＯＩ構造を有するヘテロ半導体構造およびそれを低コストかつ高い生産性で製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero semiconductor structure having SOI structure containing a silicon-germanium mixed crystal and to provide a method of manufacturing the same with high productivity at a low cost. - 特許庁

鉛合金からなる圧延シートをエキスパンド加工して作製されるエキスパンド格子において、前記鉛合金が、少なくともゲルマニウム（０．０００５〜０．７質量％が好ましい）を含むことを特徴とする。例文帳に追加

In the lead alloy expanded grid which is made of a rolled sheet of the lead alloy which undergoes an expansion process, the lead alloy contains at least germanium (preferably 0.0005-0.7 mass%). - 特許庁

このようにすると、多結晶シリコンゲルマニウム膜の酸化膜界面のＧｅ濃度が均一になり結晶粒内の格子ひずみと膜ストレスが減少し、ゲート電極の信頼性が向上する。例文帳に追加

Thus, the Ge density of the oxide film interface of the polycrystal silicon-germanium film becomes uniform to reduce lattice distortion and film stress and the reliability of the gate electrode is improved. - 特許庁

半導体基板上にエピタキシャル成長したシリコンゲルマニウム膜の結晶欠陥や表面粗度を低減して半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a semiconductor device by reducing the crystalline defects and the surface roughness of a silicon germanium film epitaxially grown on a semiconductor substrate. - 特許庁

シリコンまたはゲルマニウムと、酸化亜鉛、ニッケルおよびマグネシウムとを、銀ゼオライトおよび珪酸ナトリウムに混練および成形して、６００℃から１４００℃の温度で焼成してなる燃料効率改善用焼成体。例文帳に追加

This burned body for fuel efficiency improvement is manufactured by kneading silicon or germanium, zinc oxide, nickel, and magnesium with silver zeolite and sodium silicate and forming and burning them at 600°C to 1,400°C. - 特許庁

デジタル携帯電話機の電力増幅器に用いられるＳｉＧｅ ＨＢＴにおいて、シリコン−ゲルマニウム層のホウ素（Ｂ）を導入してベース領域を形成する。例文帳に追加

A base region is formed through introduction of boron (B) of a silicon-germanium layer in the SiGe HBT used in the power amplifier of a digital mobile phone. - 特許庁

これは、プラスチック製の本体部７１と、銀を主成分としながら適量のゲルマニウムと微量のインジウムを含む銀合金から成形された耳あてパッド７２で構成される。例文帳に追加

The ear bend comprises a main body 71 which is made of plastic and an ear pad 72 which is molded of a silver alloy essentially consisting of silver and containing a proper amount of the germanium and a slight amount of indium. - 特許庁

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition. - 特許庁