「バイアス磁界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

磁気抵抗効果素子２には、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘが印加される。例文帳に追加

A bias magnetic field Hb and an external magnetic field Hex are applied to a magnetoresistance effect element 2. - 特許庁

磁界センサならびに歪みセンサのバイアス印加方法及び磁界センサならびに歪みセンサ例文帳に追加

METHOD FOR APPLYING BIAS OF MAGNETIC FIELD SENSOR AND STRAIN SENSOR, AND THE MAGNETIC FIELD SENSOR AND STRAIN SENSOR - 特許庁

フラックスプローブ部２２１はその幅がバイアス磁界誘導層２１の幅よりも狭く、バイアス磁界誘導層２１から突出している。例文帳に追加

The flux probing part 221 has a width narrower than that of the bias magnetic field inductive layer 21, and is protruded from the bias magnetic field inductive layer 21. - 特許庁

電子コンパス１ｃにおいては、直流磁界の方向Ｘがハードバイアス層のバイアス磁界を弱めない方向となるように設定する。例文帳に追加

In the electron compass 1c, a direction X of the direct-current magnetic field is establishes as a direction which does not weaken the bias magnetic field of the hard bias layer. - 特許庁

第１ハードバイアス層及び第２ハードバイアス層は、同じ着磁方向であるが各素子部に供給されるバイアス磁界は直交している。例文帳に追加

The first hard bias layer and the second hard bias layer have the same magnetization direction, but bias magnetic fields supplied to the element parts are orthogonal. - 特許庁

例えば、バイアス磁界を１５０ｍＴよりも高く設定する。例文帳に追加

For example, the bias magnetic field is set higher than 150 mT. - 特許庁

巻線による磁界バイアスに代わる、簡単な構成でバイアスを印加することができる磁界センサならびに歪みセンサのバイアス印加方法及び磁界センサならびに歪みセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a method for applying bias for a magnetic field sensor and for a strain sensor, whereby the bias can be applied using a simple arrangement, in place of a magnetic field bias by a winding wire, and to provide a magnetic field sensor and a strain sensor. - 特許庁

磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。例文帳に追加

To make it possible to apply a stable bias magnetic field to a magnetism sensing layer by increasing the coercive force of a bias magnetic field application layer for applying to the magnetism sensing layer a bias magnetic field for making the magnetism sensing layer of a magnetoresistance effect element have a single magnetic domain. - 特許庁

バイアス磁界誘導層２１は、フリー層１２にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向Ｆ１で見た幅が強磁性トンネル効果膜１の幅よりも大きい。例文帳に追加

A bias magnetic field inductive layer 21 applies a bias magnetic field to the free layer 12, and has a width seen in the direction F1 of the bias magnetic field larger than that of the ferromagnetic tunnel effect film 1. - 特許庁

そして、この強磁性層５１，５２に対して、バイアス磁界の印加方向に直流磁界Ａを印加し、次に、この強磁性層５１，５２に対して、バイアス磁界の印加方向に交流磁界Ｂを印加する。例文帳に追加

A direct current magnetic field A is applied to the ferromagnetic layers 51 and 52, in the direction of the applied bias magnetic field, and an alternating current magnetic field B is then applied to the ferromagnetic layers 51 and 52, in the direction of the applied bias magnetic field. - 特許庁

バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘは、同一直線上に生じるので、バイアス磁界Ｈｂは、磁気抵抗効果素子２へ印加される外部磁界Ｈｅｘを妨げるように機能する。例文帳に追加

The bias magnetic field Hb is functioned to disturb the external magnetic field Hex applied onto the magnetoresistance effect element 2, since the bias magnetic field Hb and the external magnetic field Hex are generated on the same straight line. - 特許庁

負帰還磁界とバイアス磁界を印加して使用する磁界検出素子消費電力の軽減を図ることにある。例文帳に追加

To reduce an electric power consumption in a magnetic field detecting element to which a negative feedback magnetic field and a bias magnetic field are impressed for use. - 特許庁

また、外部磁界に応じてバイアス磁界の大きさを変化させることによって、磁界検出精度を向上させることができる。例文帳に追加

The magnetic field detection accuracy can be improved by changing the magnitude of the bias magnetic field in response to an external magnetic field. - 特許庁

ＧＭＲ素子１１には、被測定磁界が印加されると共に、磁界に対する変化を線形化するために２つの値のバイアス磁界が印加される。例文帳に追加

To a GMR element(gross magnetic field resistance) element 11, bias magnetic field of 2 values is impressed to linearize the variation for the magnetic field. - 特許庁

バイアス磁界の変化による磁界計測範囲の移動ステップは、ＡＤＣによる磁界強度の分解能より大きく設定する。例文帳に追加

The moving step of magnetic field measurement range caused by a change in bias magnetic field is set larger than the resolution of magnetic field strength by the ADC. - 特許庁

高周波電流を通電して外部磁界によりインピーダンスの変化を発生する磁性薄膜３と、この磁性薄膜３にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段４とを備え、バイアス磁界の付与方向（矢印Ｂ方向）を表示するマーカ８を設けた。例文帳に追加

The magnetic impedance effect element comprises a magnetic thin film 3 generating a variation of impedance through an external field by supplying a high frequency current, and means 4 for imparting a bias field to the magnetic thin film 3 wherein a marker 8 indicating the imparting direction (arrow B) of bias field is provided. - 特許庁

磁気抵抗素子が形成されたセンサチップと、磁気抵抗素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁界生成部と、を備える磁気センサ装置であって、バイアス磁界生成部として、通電状態で磁界を発生するコイルを磁気抵抗素子の近傍に配置した。例文帳に追加

In this magnetic sensor device equipped with a sensor chip wherein a magnetoresistive element is formed, and a bias magnetic field generation part for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element, a coil for generating the magnetic field in the energization state is arranged near the magnetoresistive element as the bias magnetic field generation part. - 特許庁

第２の磁化ベクトルを有する第２のバイアス付与構造（２４）を感知層（２０）に対してセンサ・スタック内に置き、第１のバイアス付与磁界に対抗する第２のバイアス付与磁界を感知層（２０）の中心部に作る。例文帳に追加

A second biasing structure (24) having a second magnetization vector is positioned within the sensor stack relative to the sensing layer (20) to produce a second biasing magnetic field that counters the first biasing magnetic field at a center of the sensing layer (20). - 特許庁

回転検出装置は、ロータ１に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石２と、ロータの回転によって生じるバイアス磁界の変化を検出する検出素子３とを備える。例文帳に追加

In this rotation detecting apparatus a bias magnet 2 which generates a bias magnetic field toward a rotor 1 is provided, and a detecting element 3 which detects a change in a bias magnetic field generated due to the rotation of the rotor 1 is provided. - 特許庁

すなわち、直流磁界の方向Ｘに対してハードバイアス層のバイアス磁界を弱めないようなバイアス印加方向となるように電子コンパス１ｃを基板上に実装する。例文帳に追加

That is, the electron compass 1c is mounted on the basal so as to make the direction of bias application which does not weaken bias field of the hard bias layer to the direction X of the direct-current magnetic field. - 特許庁

さらに、浮遊磁界206の大きさHsがバイアス磁界205の大きさHbよりも小さいという条件（Hb＞Hs）を満たす第2のバイアス磁界を印加し、このとき、磁気センサ素子210の第2の電気抵抗値を検出する。例文帳に追加

A second bias magnetic field which satisfies a condition (Hb>Hs) that the magnitude Hs of the floating magnetic field 206 is smaller than the magnitude Hb of the bias magnetic field 205, is applied and the second electric resistance value of the magnetic sensor element 210 is detected. - 特許庁

工程Ｓ１においてバイアス磁石を成形した後、工程Ｓ２において同バイアス磁石の磁界特性を測定する。例文帳に追加

Magnetic field characteristics of the bias magnet are measured in a process S2, after molding the bias magnet in a process S1. - 特許庁

磁気バイアス膜１１２、１１３は、軟磁性膜１１１に対して、磁化容易軸方向のバイアス磁界Ｆｘを加える。例文帳に追加

Magnetic bias films 112 and 113 apply a biasing magnetic field Fx of the direction of the axis of easy magnetization to the soft magnetic film 111. - 特許庁

そして、出力電圧の差分が略０になったときの対応バイアス磁界（電流値）を補正値（補正バイアス）とする。例文帳に追加

A corresponding bias magnetic field (current value), when the difference of the output voltage becomes almost 0, is used as the correction value (correction bias). - 特許庁

フリー層６にバイアス磁界を与えるハードバイアス層１１先端の膜厚を１１ｎｍ以上とする。例文帳に追加

The film thickness of the tip of a head bias layer 11 that gives a bias magnetic field to a free layer is set at 11 nm or larger. - 特許庁

バイアス印加層２５は、各磁気シールド層２１，２３の間に位置すると共に、ＭＲ素子２２にバイアス磁界を印加する。例文帳に追加

The bias-applying layers 25 are located between the magnetic shield layers 21 and 23 and apply a bias magnetic field to the MR element 22. - 特許庁

これにより、ハードバイアス層３６からフリー磁性層２８に対して適切な大きさのバイアス磁界を供給できる。例文帳に追加

So, a bias magnetic field of appropriate dimension can be supplied to a free magnetic layer 28 from a hard bias layer 36. - 特許庁

第１〜４のＭＲセンサ１３１Ａ〜１３１Ｄは、バイアスマグネット１３２Ｂによるバイアス磁界が付加されている。例文帳に追加

A bias magnetic field by a bias magnet 132B is applied to first to fourth MR sensors 131A-131D. - 特許庁

磁気抵抗素子２３は、ロータマグネット２１とバイアスマグネット２２との間に設けられ、ロータマグネット２１により形成される磁界とバイアスマグネット２２により形成されるバイアス磁界とによる合成磁界の磁束の方向を検出する。例文帳に追加

The magnetic resistance element 23 is provided between the rotor magnet 21 and the bias magnet 22, and detects the direction of the magnetic flux of a composed magnetic field by the magnetic field formed by the rotor magnet 21 and the bias magnetic field formed by the bias magnet 22. - 特許庁

磁気抵抗効果装置は、ＭＲ素子と、ＭＲ素子に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層２７と、各バイアス磁界印加層２７の一方の面に隣接し、且つＭＲ素子の一方の面に部分的に重なるように配置された２つの電極層６とを備えている。例文帳に追加

The magnetoresistive effect device is provided with an MR element, two bias magnetic field application layer 27 applying a vertical bias magnetic field to the MR element, and two electrode layers 6 adjacent to one face of each bias magnetic field application layer 27 and arranged to partially overlap with one face of the MR element. - 特許庁

バイアス磁界誘導層８Ｄはダミー素子２０Ｄからずれた位置に配置され、バイアス磁界誘導層８Ｄとダミー素子２０Ｄとの位置合わせにより、ＴＭＲ素子２０Ｒとバイアス磁界誘導層８Ｒとの位置合わせが行われる。例文帳に追加

The bias magnetic field inductive layer 8D is disposed in a position shifted from the dummy element 20D and, by aligning the bias magnetic field inductive layer 8D with the dummy element 20D, the TMR element 20R and the bias magnetic field inductive layer 8R are aligned with each other. - 特許庁

この交流電流により、バイアスコイル５は５〜６ガウスの交流磁界を発生する。例文帳に追加

By the AC current, the bias coil 5 generates an AC magnetic field of 5-6 gausses. - 特許庁

ケース１内に、バイアス磁界発生用磁石３、４を接合した超磁歪素子２を収容する。例文帳に追加

A super-magnetic distortion element 2 uniting bias magnetic field generating magnets 3 and 4 is accommodated in a case 1. - 特許庁

大きさを変えることなくより大きなバイアス磁界を使用できるインダクタンス部品を提供すること。例文帳に追加

To provide an inductance part which can use a larger bias magnetic field without changing the size. - 特許庁

その結果、フリー磁性層５へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。例文帳に追加

As the result, the application efficiency of the bias magnetic field to the free magnetic layer 5 can be raised. - 特許庁

バイアスマグネット１４により印加する磁界の強度は、マグネット制御部２０により制御する。例文帳に追加

The intensity of the magnetic field applied by the bias magnet 14 is controlled by a magnet control unit 20. - 特許庁

第１素子部９ＡにはＸ１方向のバイアス磁界Ｂ１が供給される。例文帳に追加

The first element part 9A is supplied with a bias magnetic field B1 along a direction X1. - 特許庁

硬磁性層９は、ＭＲ素子７を挟むように配置されて、フリー層２７にバイアス磁界を印加する。例文帳に追加

Hard magnetic layers 9 sandwich the MR element 7 and apply a magnetic field to the free layer 27. - 特許庁

層３５ａ，３５ｂは、フリー層２７にバイアス磁界を与える磁区制御層を構成しない。例文帳に追加

The layers 35a, 35b do not constitute a magnetic-domain control layer that gives a biased magnetic field to the free layer 27. - 特許庁

これにより、ＭＲ構造に対して、強力かつ安定した横バイアス磁界が印加される。例文帳に追加

Thus, the strong and stable horizontal bias magnetic field is impressed on the MR structure. - 特許庁

磁界を検出するためのセンサと、バイアス回路と、プロセッサとを備える磁力計が提供される。例文帳に追加

The magnetometer is provided which comprises a sensor for detecting a magnetic field, a bias circuit, and a processor. - 特許庁

積層体３０は、絶縁層３１とバイアス磁界印加層３２とを含んでいる。例文帳に追加

The laminate 30 include an insulating layer 31 and a bias magnetic field application layer 32. - 特許庁

ＭＲ素子に対して所望のバイアス磁界を印加して、優れた再生波形を示す。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive magnetic head, capable of showing an excellent reproducing waveform by applying a desired bias magnetic field to a MR element. - 特許庁

半選択メモリ・セルの意図しない切換を抑制するために磁界バイアスを使用するＭＲＡＭ装置例文帳に追加

MRAM DEVICE USING MAGNETIC FIELD BIAS FOR SUPPRESSING UNINTENDED SWITCHING OF SEMI-SELECTION MEMORY CELL - 特許庁

その後、磁区制御層を縦バイアス磁界が得られる方向に着磁する（Ｓ１１１）。例文帳に追加

After that, the magnetic domain control layer is magnetized in the direction of that a vertical bias magnetic field is obtained (S111). - 特許庁