「モリブデン基板」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、基板１７の材質には、シリコン以外にモリブデン、ケイ化鉄などを用いることができる。例文帳に追加

Molybdenum, iron silicide or the like other than silicon can be used as a material for the substrate 17. - 特許庁

基板１０の上にモリブデンとシリコンを交互に積層した多層膜２０を形成する。例文帳に追加

A multilayer film 20 is formed on a substrate 10 by laminating molybdenum and silicon alternately. - 特許庁

本発明の光電変換デバイスは、基本的に酸化モリブデンを成分とする材料層から構成され、典型的には、基板と、この基板上に形成される高純度の酸化モリブデンの結晶薄膜とから成る。例文帳に追加

The photoelectric converting device is basically composed of a material layer containing a molybdenum oxide, and typically a substrate and a crystal film of a high purity molybdenum oxide formed on the substrate. - 特許庁

第２表示基板は、第１基板と向かい合う第２基板上に配置され、銀−モリブデン合金電極と対向する共通電極を含む。例文帳に追加

A second display substrate includes a common electrode disposed on a second substrate opposed to the first substrate and opposed to the silver-molybdenum alloy electrode. - 特許庁

所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。例文帳に追加

A first molybdenum layer 3a is formed on a surface of a glass substrate 2 in a first atmosphere containing a predetermined amount of oxygen, and a second molybdenum layer 3b is formed on the surface of the first molybdenum layer 3a in a second atmosphere low in content percentage of oxygen relative to that of the first atmosphere. - 特許庁

基板１３上にモリブデンを含む層を形成し、モリブデンを含む層が露出した状態において、基板１３に対して加熱を伴う前洗浄処理を行い、洗浄処理を行った基板１３を、その基板温度が１３０℃以下の状態においてウェット洗浄する基板１３の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing a substrate 13 comprises the steps of forming a layer including the molybdenum on the substrate 13, preliminarily cleaning with heating the substrate 13 with the layer including the molybdenum exposed, and wet cleaning the substrate 13 that is clean processed with the temperature of the substrate set not more than 130°C. - 特許庁

これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。例文帳に追加

Thereby an adhesion layer 3a containing molybdenum oxide is formed on the glass substrate 2, and the molybdenum layer 3b can be formed on the adhesion layer 3a. - 特許庁

このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。例文帳に追加

By performing film deposition of molybdenum layer in the film deposition chamber 11B having the pressure gradient, the molybdenum layer having metal density gradient along the substrate side to the surface side can be deposited. - 特許庁

深層側多層膜２は、モリブデン層２ａの上に酸化モリブデン層２ｃが形成され、その上にシリコン層２ｂが成膜された単位周期構造２ｐが基板１０上に３０層積層されている。例文帳に追加

The multilayer film 2 comprises a molybdenum oxide layer 2c formed on a molybdenum layer 2a, and thirty layers of unitary cyclic structures 2p with a silicon layer 2b film-formed thereon are layered on the substrate 10. - 特許庁

網状金属基材の表面に、モリブデンがMoO_3として0.2〜1.0g/m^2の範囲で含まれる酸化モリブデン皮膜層が形成されていることを特徴とする排ガス脱硝触媒用の金属基板。例文帳に追加

In this metal substrate for an exhaust gas denitration catalyst, a molybdenum oxide coating layer containing molybdenum in the range of 0.2-1.0 g/m^2 as MoO_3 is formed on a surface of a net-like metal base material. - 特許庁

本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。例文帳に追加

In the manufacturing method for the substrate, a layer containing molybdenum is formed on a substrate, and atmospheric pressure plasma treatment using at least nitrogen gas is carried out for the substrate in a state wherein the layer containing molybdenum is exposed. - 特許庁

アルミニウムを含む基板上にモリブデン酸化物を堆積させて形成した薄膜を正極として用いることを特徴としている。例文帳に追加

The battery uses as a positive electrode a film formed by piling a molybdenum oxide on the substrate containing aluminum. - 特許庁

そこで、本発明では、マイカ基板１とモリブデン電極５との間にセラミック系材料の中間層２及びバインダ層４を介在させる。例文帳に追加

To cope with it, an intermediate layer 2 of ceramic material and a binder layer 4 are interposed between the mica substrate 1 and a molybdenum electrode 5. - 特許庁

モリブデン基板と保護膜との密着性が特にすぐれ、タッチパネルとしての耐久性に優れるタッチパネルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a touch panel particularly excellent in adhesiveness between a molybdenum substrate and a protection film and excellent in durability as a touch panel. - 特許庁

ガラス基板５０の全面にクロムやモリブデン等の高融点金属から成るゲート材料層７０をＣＶＤ法により堆積する。例文帳に追加

A gate material layer 70 made of a high-melt-point metal, such as chromium and molybdenum, is deposited on the entire surface of the glass substrate 50 by a CVD method. - 特許庁

有機電界発光表示装置は，絶縁基板と，絶縁基板上に位置し，引張応力を有するモリブデン膜又はモリブデン合金膜からなる導電膜パターンと，導電膜パターン上に位置するシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜とを含む。例文帳に追加

An organic electroluminescent display device comprises an insulating substrate, a conductive film pattern consisting of molybdenum film or molybdenum alloy film which is located on the insulating substrate and has tensile stress, and silicon nitride film or silicon oxynitride film which is located on the conductive film pattern. - 特許庁

第１表示基板は、第１基板上に配置され、データ信号を出力する出力端を含む信号印加モジュール、出力端を露出させるコンタクトホールが形成された絶縁パターン、及び出力端と電気的に連結され、銀及びモリブデンを含む銀−モリブデン合金電極を含む。例文帳に追加

The first display substrate includes a signal applying module disposed on a first substrate and including an output terminal outputting a data signal, an insulating pattern wherein a contact hole exposing the output terminal is formed and a silver-molybdenum alloy electrode electrically connected to the output terminal and including silver and molybdenum. - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明では、圧電基板の表面に、銅を主成分としてモリブデンを添加した合金、あるいは銅を主成分とし、モリブデンとアルミニウムとを添加した合金を電極材料として電極を形成する。例文帳に追加

The electrode is formed to the surface of the piezoelectric substrate with an electrode material of an alloy, the principal component of which is copper and in which molybdenum is added thereto or an alloy the principal component of which is copper and in which molybdenum and aluminum are added thereto. - 特許庁

本発明の放熱体１０は、銅の含有量が少なく、かつタングステンまたはモリブデンの含有量が多い銅−タングステン合金または銅−モリブデン合金から構成される低熱膨張係数を有する材料からなる基板１１に貫通孔１２を備えている。例文帳に追加

The heat sink 10 is constructed with through-holes 12 formed on a substrate 11 being made of a material with a low thermal expansion coefficient, which comprises a copper-tungsten alloy or a copper-molybdenum alloy having the small content of copper and the large content of tungsten or molybdenum. - 特許庁

ＣＶＤ法による酸化モリブデンを含有する薄膜の製造においてプレカーサの輸送性に優れ、基板への供給量の制御が容易かつ安定供給が可能であり、量産性良く良質な酸化モリブデンを含有する薄膜を製造できる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a molybdenum oxide-containing thin film by a CVD process, in which excellent transportation performance for a precursor is achieved, the supply amount of the precursor to a substrate is easily controlled, the precursor can be stably supplied, and a high-quality molybdenum oxide-containing thin film can be manufactured with good mass-productivity. - 特許庁

ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a film deposition substrate improved in adhesion force between a glass substrate and a molybdenum layer, a film deposition substrate, and a film deposition device. - 特許庁

補助パターンは、基板上に形成された金属層であり、インジウムスズ酸化物及びモリブデン中の一つからなり、また基板上に形成された金属層及び金属層上に形成された絶縁膜からなる。例文帳に追加

The auxiliary pattern is a metal layer formed on the substrate, made of one of an indium tin oxide and molybdenum, and comprises a metal layer formed on the substrate and an insulating film formed on the metal layer. - 特許庁

タングステンやモリブデン等のＸ線吸収性を有する金属によりグリッド基板２０を形成し、グリッド基板２０に領域を設定することにより複数のＸ線吸収部２４を形成する。例文帳に追加

A grid substrate 20 is formed with an X-ray-absorbent metal such as tungsten, molybdenum, etc., and multiple X-ray absorption parts 24 are formed by setting regions on the grid substrate 20. - 特許庁

ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a film deposition device which can deposit a molybdenum layer suitably removable when performing patterning using a LASER scribe method, and a film deposition substrate manufacturing method and a film deposition substrate. - 特許庁

モリブデン板１３ｓ’が、ダイヤモンド基板１２表面の露出領域に対向しているので、これよりも深部へのダイヤモンド基板１２表面の進行は抑制され、パターンの厚みを高精度に制御することができる。例文帳に追加

Since a molybdenum plate is placed opposite to the exposed area of the surface of the diamond substrate, the surface movement of the diamond substrate 12 beyond the depth of the plate is suppressed to enable the control of the thickness of the pattern in high accuracy. - 特許庁

本発明によるＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線方法は、酸素、窒素、炭素などからなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階とを含む。例文帳に追加

The aluminum wiring forming method for the substrate for the TFT LCD includes a step to vapor deposit a molybdenum layer on a substrate raw material under an atmosphere in which precursor gases of either one or more impurities selected from a group comprising oxygen, nitrogen, carbon and so on are present, and a step to vapor deposit an aluminum layer on the molybdenum layer. - 特許庁

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant. - 特許庁

透明基板１１と位相シフタ膜１２が合成石英ガラスとモリブデンシリサイドの酸化物あるいはモリブデンシリサイドの酸化窒化物の組み合わせからなる位相シフトマスク１０を水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリの水溶液からなるエッチング薬液を用いてエッチングして位相差調整を行う。例文帳に追加

The phase contrast of a phase shift mask 10 in which a transparent substrate 11 and a phase shifter film 12 comprise the combination of synthetic quartz glass and the oxide or oxynitride of molybdenum silicide is adjusted by etching the mask 10 with an etching solution comprising an aqueous solution of a strong alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide. - 特許庁

絶縁基体１の内部に複数の内部配線層２を、表面に前記内部配線層２と電気的に接続する複数の接続パッド３を形成して成る配線基板５であって、前記内部配線層２をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、接続パッド３をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成した。例文帳に追加

In the wiring board 5 where a plurality of internal wiring layers 2 are formed inside an insulating substrate 1 and a plurality of connection pads 3 to be electrically connected with the internal wiring layers 2 are formed on its surface, the internal wiring layers 2 are formed using tungsten and/or molybdenum and copper and the connection pads 3 are formed using tungsten and/or molybdenum and an iron group metal. - 特許庁

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。例文帳に追加

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15. - 特許庁

基板上に形成されたアルミニウム金属膜又はアルミニウム合金膜とモリブデン金属膜又はモリブデン合金膜との金属積層膜を一括してエッチングでき、テーパー角が６０度以下となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for etching with which enables to collectively etch a metal-stacked film including an aluminum metal film or an aluminum alloy film and a molybdenum metal film or a molybdenum alloy film formed on a substrate so that the taper angle is less than or equal to 60 degrees, and provide an etching method using the composition. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

基板３は、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、石英、モリブデン、ニオブ、タングステン、ムライト及びコージライトのうち少なくとも一つの材料を含有する。例文帳に追加

The substrate 3 contains at least one material of silicon nitride, silicon carbide, aluminum nitride, aluminum oxide, quartz, molybdenum, niobium, tungsten, mullite and cordierite. - 特許庁

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。例文帳に追加

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method. - 特許庁

炭化珪素基板の他方の面にモリブデンからなる第２の電極材料膜を成膜し、６００〜７００℃の温度範囲で熱処理してショットキー性の電極３を形成する。例文帳に追加

A second electrode material film made of molybdenum is formed on the other surface of the silicon carbide substrate, and heat treatment is performed within a temperature range of 600-700°C to form a Schottky electrode 3. - 特許庁

上記基板１１におけるフランジ４Ａ〜７Ａと接触する表面全域は、モリブデンコート１４で被覆し、さらにその全域をグラファイトコート１５で被覆している。例文帳に追加

The total surface area in contact with the flanges 4A-7A of the base plate 11 is coated with a molybdenum coat 14, and the total area thereof is coated by a graphite coat 15. - 特許庁

セラミック基板１の材質としては、窒化物セラミック（例えば、窒化アルミニウム）、発熱体パターン２の材質としては、導電性セラミック粒子（タングステン又はモリブデンの炭化物）を採用する。例文帳に追加

A ceramic nitride (e.g. aluminum nitride) is employed as the material of the ceramic substrate 1 and conductive ceramic particles (carbide of tungsten or molybdenum) is employed as the material of the heater pattern 2. - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明では、圧電基板の表面に、銀（Ａｇ）を主成分としてモリブデン（Ｍｏ）を添加した２元素系合金（Ａｇ−Ｍｏ）を電極材料として電極を形成する。例文帳に追加

The electrode is formed to the surface of a piezoelectric substrate by using a two-element alloy (Ag-Mo), wherein the principal component is silver (Ag) and molybdenum (Mo) is added to the silver as an electrode material. - 特許庁

基板１５の両側に配置した石英角材２２では、素線１６はモリブデン製の係止部２４を利用し、蛇行した素線１６の折り返し部３１に引掛けることで張設される。例文帳に追加

In addition, the wire 16 is stretched, by hanging square quartz bars 22 arranged on both sides of the substrate 15 on the folded sections 31 of the wire 16 by utilizing molybdenum-made clamping sections 24. - 特許庁

この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。例文帳に追加

In this metal density gradient, along the thickness direction of the molybdenum layer, the density gradient is formed such that the density may become lower accompanied by approaching from the surface side into the substrate side. - 特許庁

チャックトップ10のシリコンウエハWを載置する窒化アルミニウム材料によるセラミック基板12の側面に金属メッキおよびスパッタリングによりチタン・モリブデン・ニッケル・金等からなる側面シールド層14aを設ける。例文帳に追加

A side of a ceramic substrate 12 of a chuck top 10 comprising an aluminum nitride material for placing a silicon wafer w is provided with a side shield layer 14a comprising titanium, molybdenum, nickel, gold, and the like by metal plating and sputtering. - 特許庁

６価のモリブデン酸化物のアンモニア溶解液に酸を供給して得られる析出物をアルコールに分散させた後、この析出物を含有するアルコールを基板に供給し、乾燥・焼成して薄膜を形成する。例文帳に追加

After a precipitate obtained by supplying an acid to an ammonia solution of hexavalent molybdenum oxide is dispersed in alcohol, the alcohol containing the precipitate is supplied to a substrate to be dried and baked to form a membrane. - 特許庁

金属銅と、炭素薄膜のコーティングされたモリブデン基板とを、真空中で８００〜８５０℃の温度範囲に加熱し、銅ナノロッド若しくはナノワイヤーを生成させる。例文帳に追加

This method for producing the nanorods or nanowires is characterized by heating metal copper and coated carbon thin film-having molybdenum substrate in vacuum in a temperature range of 800 to 850°C to produce the copper nanorods or nanowires. - 特許庁

石英を素材とする基板１の上に膜厚２０nmの銅の下地膜２が形成され、さらにその上に周期長７nm、周期数５０層対のMo（モリブデン）／Si（シリコン）多層反射膜３が形成される。例文帳に追加

A base film 2 of copper of thickness 20 nm is formed on a substrate 1 made from quartz, and furthermore a multilayer reflection film 3 is formed thereon with a periodic length 7 nm, and periodicity paired 50-layer Mo (Molybdenum)/Si (Silicon). - 特許庁

基板と層対との間に、モリブデンを含む材料からなる単層膜（３）を、単層膜の一部が層対で覆われないように成膜している。例文帳に追加

The substrate and the layer pairs are interleaved with a single layer film (3) consisting of a material including molybdenum is formed so that the a part of the single layer film is not covered with the layer pair. - 特許庁