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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 周端プラズマに関連した英語例文

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周端プラズマの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 42



例文

誘導結合型プラズマ源は、アンテナ20の両部25に高波電力を供給してプラズマ生成室2の内部に誘導結合型プラズマPを生成する高波電源8を備えている。例文帳に追加

The induction coupling type plasma source has a high frequency power supply 8 which supplies high frequency power to the both ends parts 25 of the antenna 20 and generates induction coupling type plasma P inside the plasma generating chamber 2. - 特許庁

それによって基板の部付近におけるプラズマの活性種の分布の偏りを抑える。例文帳に追加

Accordingly, an uneven distribution of active species of plasma near the peripheral end of the substrate is prevented. - 特許庁

励起コイル6で形成された高波磁界の磁束線20は、磁路構造体7のコア部7Aの設けられたプラズマ室ボディ3の上面からプラズマ室2に導入され、プラズマ室2を交差した後に側面リターン部7Bへと導かれる。例文帳に追加

A flux line 20 of a high frequency magnetic field formed by the exciting coil 6 is introduced from the upper end face of the plasma chamber body 3 provided in a core portion 7A of the magnetic path structure 7 into a plasma chamber 2 and then introduced into a rear side return portion 7B after crossing the plasma chamber 2. - 特許庁

プラズマ電極のテーパ部25aに形成された切り欠き部26は、プラズマ電極25の軸心部と直角方向に広がる底面26aと、この底面26aの最大外部からプラズマ電極25の基部の方向へ伸びる側面26bとを有している。例文帳に追加

A notch 26 formed in the tapered part 25a of the plasma electrode includes a bottom surface 26a expanding in a direction perpendicular to an axis part of the plasma electrode 25, and a side surface 26b extending in a direction of a base end of the plasma electrode 25 from the maximum peripheral part of the bottom surface 26a. - 特許庁

例文

試料ガスおよびプラズマ用ガスを噴出するプラズマトーチ10の先付近に設けた高波誘導コイル21の外部に、該コイル21を取り囲むように円筒形の強磁性部材23を配置する。例文帳に追加

On the outer periphery of a high-frequency induction coil 21 mounted in the vicinity of the end outer periphery of a plasma torch 10-jetting a sample gas and a gas for plasma, a cylindrical ferromagnetic member 23 is disposed so as to surround the coil 21. - 特許庁


例文

これにより、遮蔽部と基板支持部により基板の縁部を除く領域でのプラズマ生成を防ぎ、誘導結合型プラズマ放電を用いて高密度のプラズマを生じさせて、基板の部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、誘導結合型プラズマ放電により基板の部のエッチング率を高めることができる。例文帳に追加

Production of plasma in a region other than the peripheral portion of the substrate is prevented by the shielding portion and the substrate supporting portion, particles and a thin film can be removed from the end region of the substrate by producing high density plasma using induction coupled plasma discharge, and etching rate can be enhanced at the end of the substrate by induction coupled plasma discharge. - 特許庁

FPC23は、プラズマディスプレイパネル17の縁部に設けられた外部接続子アレイ部27に、プラズマディスプレイパネル17の内側から、その先縁がプラズマディスプレイパネル17の外方を向く態様で、接続されて、プラズマディスプレイパネル17の側方にはみ出さないように配置されている。例文帳に追加

An FPC 23 is connected to an external connection terminal array portion 27 provided on an outer peripheral portion of a plasma display panel 17 so that its tip end edge faces on the outside of the plasma display panel 17 from the inside of the plasma display panel 17, and arranged not to protrude by the plasma display panel 17. - 特許庁

誘電体パーツ31を支持する梁26は,その辺でのプラズマ電子密度N_eがカットオフのプラズマ電子密度N_c以上になるように基板側に突出して設けられる。例文帳に追加

In order to make the plasma electron density N_e around the end of the beam 26 not less than the cutoff plasma electron density N_c, the beam 26 for supporting the dielectric parts 31 is so installed as to project to the substrate side. - 特許庁

噴出口211からアルゴン流が電極41及び電極42間の高波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部15内部に左から右方向へ噴出される。例文帳に追加

An argon flow from a jet nozzle 211 is processed to plasma by means of a high-frequency power in between electrodes 41, 42, and blown out inside a cylindrical member 15 from a left end to a right direction as a preliminary plasma. - 特許庁

例文

波電力の供給によって、プラズマキャピラリ40の内部でガスがプラズマ化し、その先部からボンディング対象8に対し噴出して表面処理が行われる。例文帳に追加

The gas is changed into plasma in the plasma capillary 40 by the supply of the high-frequency power, and the surface treatment is carried out by jetting it to the target 8 to be bonded. - 特許庁

例文

プラズマを誘導加熱する電流は、リング状の導体11に流れる電流であり、通常のコイルのようにをもたないため、完全な方向のプラズマ均一性が実現される。例文帳に追加

Since the currents for effecting the induction heating to the plasma flow through the annular conductors 11, there exists no terminal in contrary to the case with a normal coil, so that perfect circumferential directional uniformity of the plasma can be realized. - 特許庁

噴出口221においては、アルゴン流が電極43及び電極44間の高波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部15内部に右から左方向へ噴出される。例文帳に追加

In the blowing nozzle 221, the argon flow is processed to the plasma by means of the high-frequency power in between the electrodes 43, 44, and blown out inside the cylindrical member 15 from the right end to the left direction as the preliminary plasma. - 特許庁

基板部を研磨することなく,またプラズマを発生させることなく,基板部全の洗浄を簡単な制御で一度に行う。例文帳に追加

To perform washing of all circumferences of the substrate ends at one time with an easy control, without polishing the substrate ends, and without generating plasma. - 特許庁

このプラズマ処理装置は、X方向の一部から他部に高波電流I_R が流されるアンテナ30を備えている。例文帳に追加

A plasma processing apparatus has an antenna 30 in which a high-frequency current I_R is flowed from one end part to the other end part in an X direction. - 特許庁

大気圧又はその近傍の圧力下でプラズマを生成して管状部材(フッ素樹脂部材)12の開口(被処理表面)12Aを改質する表面改質方法であって、開口12Aが、プラズマ生成領域18を越えてプラズマ生成領域18の囲10mm未満の距離で囲まれる処理領域17内に配されて行われることを特徴とする。例文帳に追加

The surface modifying method comprises generating plasma at atmospheric pressure or its neighboring pressure to modify the open end (surface to be treated) 12A of a tubular member (fluororesin member) 12, and the open end 12A is arranged in the treating region 17 within a radius of the plasma generation region 18 plus less than 10 mm and is subjected to modification. - 特許庁

が開口で他が閉じた閉部である誘電体製のプラズマ生成容器2内にガス導入系21により導入されたガスに電力供給系3により高波電力が供給されてプラズマPが形成される。例文帳に追加

Plasma P is formed by feeding high-frequency power from a power feeding system 3 to a gas introduced, by a gas introducing system 21, into a dielectric plasma generation container 2 of which one end is an opening and the other end is a closed end part. - 特許庁

竿素材1の内部空間に導入された原料ガスを、竿素材1の一から他に向けて流動させながらその内部空間でプラズマ化し、プラズマ化した粒子を竿素材1の内面に堆積させて薄膜層2を形成する。例文帳に追加

A raw material gas introduced into the internal space of the rod material 1 is plasmatized in the internal space while making the gas flow from one side to the other side of the rod material 1 and plasmatized particles are piled on the inner peripheral surface of the rod material 1 to form a thin film layer 2. - 特許庁

この構成により、プラズマ中よりシールド11Aに流れる電流を制御して、放電を維持しつつ、プラズマの電位差を過剰に大きくすることなく成膜することが可能になり、ターゲット2の外部まで効果的に侵食させることができる。例文帳に追加

Owing to the configuration, the sputtering apparatus can deposit a film without excessively increasing potential difference for plasma, while keeping discharge by controlling a current passing from the inside of the plasma into the shield 11A, and can effectively erode the target 2 up to the peripheral part. - 特許庁

プラズマ作動システム100は、壁60と、壁60のりに配置される複数の壁アクチュエータ110と、壁60に隣接して配置されるブレード50とを含む。例文帳に追加

The plasma actuation system 100 includes an end wall 60, a plurality of end wall actuators 110 positioned about the end wall 60, and a blade 50 positioned adjacent to the end wall 60. - 特許庁

筒状の絶縁材料製プラズマトーチ1の先部分2Fの囲には高波コイル4が、先部分近傍には点火用コイル6がそれぞれ巻回されている。例文帳に追加

A high frequency coil 4 is wound around the top end part 2F of a cylindrical plasma torch 1 made of insulation material, and an ignition coil 6 is wound around the neighboring area of the top end part. - 特許庁

上記貫通孔2におけるプラズマ生成用ガスGの流通方向において下流側の電極3の部を上流側の電極4の部よりも外側に突出させる。例文帳に追加

A peripheral end part of the electrode 3 of a downstream in the flowing direction of the plasma generating gas G in the through holes 2 is projected more outwards than a peripheral end part of the electrode 4 of an upstream. - 特許庁

プラズマビームPbを用いて基板に膜を生成する成膜装置1において、材料ロッドMを保持するハース25のガイド部31は、上縁部37の外径が下部32側の外径よりも小さく、プラズマビームPbの入射範囲Aは、上縁部37の外内に合わせられている。例文帳に追加

In the film deposition apparatus 1 for depositing a film on a substrate by using plasma beams Pb, the outside diameter of an upper edge 37 of a guide part 31 of a hearth 25 for holding a material rod M is smaller than the outside diameter on a lower end 32 side, and the range A of incidence of the plasma beams Pb is set within an outer circumference of the upper edge 37. - 特許庁

波電源10が発生した高波電力をアンテナ1に供給することによりプラズマを生成するが、アンテナのもう一を電気容量が可変のコンデンサー9を挟んでアースに接地される。例文帳に追加

Plasma is generated by supplying an antenna 1 with high-frequency power generated by a high-frequency power source 10, and another end of the antenna 1 is grounded with a capacitor 9 having a variable capacitance. - 特許庁

また補助電極14と円面10bとの間にプラズマを発生させることにより、回転軸10の面10aと円面10bとに硬質炭素膜を形成する。例文帳に追加

The hard carbon film is deposited on the end face 10a and the circumferential surface 10b of the rotary shaft 10 by generating plasma between the auxiliary electrode 14 and the circumferential surface 10b. - 特許庁

セラミック基板11中にプラズマ発生用電極112を埋設すると共に、この電極112の一方の面に給電子23を接続してなる電極埋設部材10において、前記給電子23をセラミック基板11の外寄りに配置したプラズマ発生装置用電極埋設部材10。例文帳に追加

In the electrode-burying member 10 for plasma generators, the power feeding terminal 23 is arranged closer to the outer periphery of the ceramic substrate 11 in the electrode burying member 10 in which the electrode 112 for generating plasma is buried into the ceramic substrate 11 and the power feeding terminal 23 is connected to one surface of the electrode 112. - 特許庁

コイル保護膜形成にプラズマCVD法を採用し、プラズマを発生させるために電極間に高波の電界をかけたにもかかわらず、コイルの両子が短絡されているため、上記コイルでの不所望な起電力によって起電回路(12)や通信制御回路(13)などの電気回路が破壊されないで済む。例文帳に追加

A plasma CVD method is adopted for forming the coil protection film, and electric circuits such as an electromotive circuit (12) and a communication control circuit (13) cannot be broken due to the unwanted electromotive force in the coil since both the terminals of the coil are short-circuited regardless of the application of a high-frequency electric field between both electrodes to generate plasma. - 特許庁

課題を解決するために、本発明に係る液中プラズマ発生方法は導電性の液体3中で気泡9を発生させるとともに、1GHz〜200GHzの高波の電磁波を照射するマイクロ波集中装置10を使用し、マイクロ波集中装置10の先が気泡9に接した状態でマイクロ波集中装置により集中的に気泡に対して電磁波を照射して気泡中にプラズマを発生させる液中プラズマ発生方法ものである。例文帳に追加

In this method for generating plasma in the liquid 3, a bubble 9 is generated in the conductive liquid, and an electromagnetic wave is intensively irradiated to the bubble by a microwave concentrating device with the tip of the microwave concentrating device 10 brought into contact with the bubble 9 to generate plasma in the bubble by using the microwave concentrating device 10 to be irradiated with the high frequency electromagnetic wave of 1-200 GHz. - 特許庁

CF系のガスのプラズマを用いて半導体ウエハ上のSiO2膜やSiOC膜のエッチングを行うと、ウエハの裏面側縁部及び側面に、CF_Xを主成分とするポリマーが付着してしまう。例文帳に追加

To solve the problem that polymer mainly consisting of CF_x is stuck to the peripheral edge part a rear surface side and side end face of a wafer when an SiO_2 film and an SiOC film on a semiconductor wafer are etched using a plasma of a CF system. - 特許庁

ヘッド本体10の噴出孔3,3の近傍を除き、少なくともヘッド本体10の先面11と外面12に、DLC膜2がPVD法またはプラズマCVD法によりコーティングされている。例文帳に追加

At least a top end face 11 and an outer peripheral face 12 of a head body 10, excluding the neighborhoods of ejection holes 3, 3 of the head body 10, are coated with a DLC film 2 by a PVD method or a plasma CVD method. - 特許庁

従ってアンテナ3の先部の長さを変化させても吸収ポイントはシフトしないので、一回の測定のみでプラズマ表面波共鳴波数を求めることができる。例文帳に追加

Therefore, even if a length of the nose section of the antenna 3 is changed, since the absorption point is not shifted, it can find a plasma surface wave resonance frequency only by one measurement. - 特許庁

クレータ処理後のビード終始重なり部分にガストラップ起因の溶接欠陥が存在しない溶接継手が得られる金属管のプラズマキーホール円溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma key hole circumferential welding of a metal tube capable of obtaining a weld joint in which any defective welds attributable to gas trap are not present in a bead terminal overlapping part after the crater fill. - 特許庁

電極41と電極43との間に高波電力を印加すると、放電領域150の両からなだれ込む2つのアルゴンプラズマ間で放電が生じ放電領域150全体が放電状態となる。例文帳に追加

When the high-frequency power is applied in between the electrodes 41, 43, a discharge occurs in between two flows of argon plasma burst into from both ends of a discharging region 150, thereby causing discharge in the whole of the discharging region 150. - 特許庁

高密度誘導結合高プラズマ源を供給するために、基板側のを有する無線波数アンテナは、リアクタ室辺に位置しインピーダンス整合器を介して第二の無線波数信号源に接続されている。例文帳に追加

For feeding a high density induction coupling high frequency plasma source, a radio-frequency antenna 34 having the edge on the side of the substrate is positioned in the vicinity of the reactor chamber and is connected to a 2nd radio-frequency signal source 38 via an impedance matching apparatus. - 特許庁

ドライ洗浄工程では、発生した大気圧プラズマをガラス基板5の外面部分5bあるいは内面部分5cに吹き付け、ウエット洗浄では除去できない、これらの面部分に付着している有機物などの異物を除去する。例文帳に追加

In the dry washing step, generated atmospheric pressure plasma is brown to the outer peripheral end surface part 5b or the inner peripheral end surface part 5c of the glass substrate 5 and the foreign matters of an organic matter and the like adhering to the end surface parts, which can not be removed by wet washing, are removed. - 特許庁

ハニカム担体12の排気流れ上流側面及び排気流れ下流側面の少なくとも一方に、面の外に余肉を残して凹部が設けられており、この凹部に放電電極14,16が配置されていることを特徴とするプラズマリアクターとする。例文帳に追加

The plasma reactor is characterized in that a recess is formed in at least one of an exhaust flow upstream side end surface and an exhaust flow downstream side end surface of the honeycomb carrier 12 with a remaining thickness left around an outer periphery of the end surface, and discharge electrodes 14, 16 are disposed in this recess. - 特許庁

本発明によるプラズマエッチングチャンバは、フォトマスク基板を支持するための支持面と、前記支持面の囲で前記支持面を包囲する面とを備えた電極と、前記支持面の縁部に沿って設けられた伝熱部材と、前記伝熱部材に熱を供給するためのヒーターとを備えている。例文帳に追加

The plasma etching chamber comprises an electrode having a surface for supporting a photomask substrate and an end face surrounding the supporting surface on the periphery thereof, a heat transmitting member provided along the circumferential edge part of the supporting surface, and a heater for supplying heat to the heat transmitting member. - 特許庁

ラインガン13内部にHeとO_2の混合気体15を導入し、ラインガン先部にRF電源14からの高波によって発生したプラズマ16部分に電気的に設置したステージ17上に乗せた液晶パネル18の子部分19を重ねる。例文帳に追加

Mixed gas 15 of He and O_2 is introduced to the inside of a line gun 13 and the terminal part 19 of the liquid crystal panel 18 placed on a stage 17 which is electrically grounded is superposed on a plasma part 16 generated at the tip part of the line gun by high frequency from an RF power source 14. - 特許庁

また、プラズマ溶接トーチ14は、MAG溶接トーチ12と共に矢印A方向に移動しながら、溶接ビードの止部(溶接ビードの表面と第1被溶接金属18の表面との境界及びその辺部分)を溶融する。例文帳に追加

Further, the plasma welding torch 14, while moving with the MAG welding torch 12 in the direction of the arrow A, melts the toe of the weld bead (border including the periphery between the surface of the weld bead and the surface of the first metallic plate 18 to be welded). - 特許庁

前縁渦流低減システムは、部壁88から離れる方向に翼長方向に延びるガスタービンエンジン翼形部39と、翼形部の前縁LEの近く、かつ前縁のりに位置すると共に、フィレット34の近くに位置する前縁領域89内に翼形部及び部壁間のフィレットを通って翼長方向に延びる1つ以上のプラズマ発生器とを含む。例文帳に追加

A leading edge vortex reducing system includes a gas turbine engine airfoil 39 extending in a spanwise direction away from an end wall 88, one or more plasma generators extending in the spanwise direction through a fillet between the airfoil 39 and the end wall 88 in a leading edge region 89 near and around the leading edge LE of the airfoil 39 and near the fillet 34. - 特許庁

整合器30は、チャンバ内に設けられた電極に給電線路を介して高波電力を供給する半導体プラズマ処理装置に用いられるものであって、2つの可変容量コンデンサ22,23と、コンデンサ23の電極と給電線路の内部導体16の部との間に接続された銅板31〜33などで構成された分布定数回路とを備えたものである。例文帳に追加

The matching circuit 30 is used in a semiconductor plasma processing system for feeding high frequency electric power to an electrode in a chamber through a power feeding path. - 特許庁

プラズマ発生ノズル31の先に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管36を取付け、その保護管36の外面に熱電対38を取付け、その起電圧をセンサ入力部98でアナログ/デジタル変換して全体制御部90へ入力し、処理ガスの流量制御弁923をフィードバック制御する。例文帳に追加

A protection tube 36 comprising a silica glass pipe for corrosion resistance is attached at a tip of a plasma generating nozzle 31, a thermocouple 38 is attached on an outer peripheral surface of the protection tube 36, a start-up voltage is input to a whole control part 90 with analog/digital conversion by a sensor input part 98, and a flow control valve 923 of processing gas carries out feedback control. - 特許庁

例文

導電性を有する触媒導電層12上に、カーボン材料を含み繊維状または管状を成すとともに側部にグラフェンシート22の面22aが露出しているグラファイトナノチューブ21を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法であって、前記導電触媒層12を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層12の囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてCVDを行うことを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of the electron emission element containing a carbon material and shaped in a fibrous or tubular form forming graphite nanotube 21 with an end face 22a of a graphene sheet 22 exposed at a side part on a conductive catalyst layer 12 with conductivity, the conductive catalyst layer 12 is heated, mixture gas is guided in around the conductive catalyst layer 12, and plasma is generated to carry out CVD. - 特許庁




  
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