「導電ピン」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

作動流体として導電性を有するオイルを用いてロータを回転自在に支持する動圧軸受を備えたスピンドルモータにおいて、ベース部材の円形開口を、円板状のシールキャップによって閉塞するとともに、スリーブの下端面に、シールキャップとは協働して外気に連通する連通孔を形成する凹溝を設ける。例文帳に追加

In the spindle motor which has a dynamic pressure bearing which supports the rotor to rotate free by employing oil which has electrical conductivity as a working fluid, a round opening of a base member is sealed with a disc shape seal cap and a concave groove which works with the seal cap forms the communicating hole to the open air on the bottom end surface of a sleeve. - 特許庁

プローブピン１００は、導電性金属からなるスリーブ１１０と、スリーブ内の軸方向に収容されるスプリング１２０と、スリーブ１１０の一端から突出可能であり、かつスプリング１２０の一端に接続されるプランジャー１３０と、スリーブ１１０の他端から突出可能であり、かつスプリング１２０の他端に接続されるプランジャー１４０とを有する。例文帳に追加

A probe pin 100 comprises: a sleeve 110 made of a conductive metal; a spring 120 axially housed in the sleeve; a plunger 130 which is projectable from one end of the sleeve 110 and connected to one end of the spring 120; and a plunger 140 which is projectable from the other end of the sleeve 110 and connected to the other end of the spring 120. - 特許庁

導電性を有する金属材料にて形成され、弾性変形される弾性部１５ｊと、該弾性部１５ｊの先端側に設けられてＩＣパッケージのＩＣリードに接触される可動接触部１５ｎとを有するコンタクトピン１５において、前記可動弾性部１５ｎは研磨手段にて研磨されたことを特徴とする。例文帳に追加

In this contact pin 15, having the elastic part 15j made of a conductive metallic material and being deformed elastically, and a movable contact part 15n mounted on a tip side of the elastic part 15j and abutted on an IC lead of an IC package, the movable elastic part 15n is polished by a polishing means. - 特許庁

硫酸塩および／または硫酸水素塩を含有する電解質を陽極酸化することによって、ペルオキソ二硫酸塩、例えばペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウムおよびペルオキソ二硫酸カリウムを製造する方法の場合に、導電性担体上に配置されかつ３価または５価の元素を用いてのドーピングによって導電性にされたダイヤモンド層を陽極として使用し、陽極液に促進剤を添加しない。例文帳に追加

In the case of the method for preparing the peroxodisulfate, for example, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate and potassium peroxodisulfate by anodically oxidizing an electrolyte containing sulfate and/or hydrogensulfate, a diamond layer which is arranged on a conductive carrier and is made conductive by doping using a tervalent or pentavalent element is used as an anode and the accelerators are not added to an anolyte. - 特許庁

本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。例文帳に追加

The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set. - 特許庁

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。例文帳に追加

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light. - 特許庁

反強磁性層１２２と、固定磁性層１２３と、非磁性導電層１２４と、フリー磁性層１２５とを有し、基板上に形成された下部ギャップ層１２９と上部ギャップ層１２７との間に形成される スピンバルブ型薄膜素子ＭＲ１であり、 基板側から、フリー磁性層１２５、非磁性導電層１２４、固定磁性層１２３、反強磁性層１２２の順で積層され、前記上部ギャップ層１２７と前記反強磁性層１２２とが接して形成されたものする。例文帳に追加

The element is produced by successively laminating, from the substrate, the free magnetic layer 125, nonmagnetic electrically conductive layer 124, fixed magnetic layer 123 and antiferromagnetic layer 122, and then forming the upper gap layer 127 in contact with the antiferromagnetic layer 122. - 特許庁

絶縁テープの表裏両面に金属箔の配線パターンが形成されたテープ素材で構成され、前記テープ素材の表裏一方の面に配された前記配線パターンにおける多ピン構造のインナーリード部が半導体素子の電極バンプとフリップチップ方式で共晶接合されるテープフィルムにおいて、インナーリード部に対向した両面配線テープの反対面の裏面配線パターンは、半導体素子との接合時の荷重が各インナーリードに均等に加わるような形状で形成する。例文帳に追加

The tape film is composed of a tape material, having wiring patterns of metal foils formed on the front and back sides of an insulation tape 3 and multi-pin structured inner leads in the wiring pattern on one surface of the tape material are bonded eutectically to electrode bumps of semiconductor elements in the flip-chip system. - 特許庁

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁

ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。例文帳に追加

To provide an absorbable spin-on glass anti-reflection film and lithography material that a) can absorb a light strongly and evenly in a region of ultraviolet light, b) does not "collapse" a resist material or run off an intended resist line, and c) does not react photoresist developer in a manufacturing process of an SOG anti-reflection film to develop manufacture of layered materials, electronic components, and semiconductor components. - 特許庁

ＳＥＧ法によって形成されたコンタクトプラグの不純物濃度減少による抵抗の増加を防止するために、コンタクトプラグをＳＥＧ法によって形成する途中と形成後に、インサイツ(in-situ)でリンＰなどの不純物をサーマルドーピング(Thermal Doping)して不純物濃度を増加させることにより、抵抗を減少させて素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a contact plug forming method of a semiconductor element, which thermally dopes the impurity of phosphorus P in-situ during the formation of a contact plug by an SEG method and after formation, and increases impurity concentration for preventing the increase in the resistance due to the reduction in the impurity concentration of the contact plug formed by the SEG method. - 特許庁